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Si structureとは 意味・読み方・使い方
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「Si structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 553件
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。 - 特許庁
An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁
MANUFACTURE OF Si FINE CRYSTAL STRUCTURE例文帳に追加
Si微結晶構造の製造方法 - 特許庁
The dumb-bell structure of Si [110] is clearly exhibited in the image.発音を聞く 例文帳に追加
Si[110]のダムベル構造が、その像の中で明瞭に示されている。 - 科学技術論文動詞集
The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.例文帳に追加
フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁
An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加
n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁
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「Si structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 553件
The non-dissolved structure of Al-Sn is an atomized structure with Sn flake-like or crescent shape, and in the non-solved structure of Al-Si, Si is a substantially circular grain or an uneven grain.例文帳に追加
Al-Snの未溶解組織はSnが片状、三日月状などとのアトマイズ組織となり、Al-Siの未溶解組織はSiが円に近い粒上、凹凸がある粒状などとなる。 - 特許庁
The alloy having an amorphous structure is composed of the components (Fe-Ni-Co)-(B-Si-C).例文帳に追加
非晶質組織を有する合金は(Fe-Ni-Co)-(B-Si-C)の成分系からなる。 - 特許庁
The gate insulation film is given a multilayer structure comprising at least SiO_2 and SRN (Si Rich Nitride) film.例文帳に追加
ゲート絶縁膜を少なくともSiO_2とSRN(Si Rich Nitride)膜との積層構造とする。 - 特許庁
GROOVE STRUCTURE FORMING METHOD AND Si SUBSTRATE HAVING GROOVE STRUCTURE例文帳に追加
溝構造作製方法及び溝構造を有するSi基板 - 特許庁
The resultant TiN/TiO_2/HfSiO/SiO_2/Si structure satisfies the conditions: EOT<1.0 nm, low leakage current, and hysteresis<20 mV.例文帳に追加
形成されたTiN/TiO_2/HfSiO/SiO_2/Si構造は、EOT<1.0nm, 低リーク電流, ヒステリシス<20mVを満たしている。 - 特許庁
A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加
前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge4接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁
METHOD OF FORMING AN UNEVEN STRUCTURE IN COMPOUND INCLUDING Si-O-Si BOND, AND TO PROVIDE DEVICE例文帳に追加
Si−O−Si結合を含む化合物への凹凸構造の形成法及びデバイス - 特許庁
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