「Si structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The alloy having an amorphous structure is composed of the components (Fe-Ni-Co)-(B-Si-C).例文帳に追加

非晶質組織を有する合金は（Fe-Ni-Co)-(Ｂ-Si-Ｃ）の成分系からなる。 - 特許庁

The gate insulation film is given a multilayer structure comprising at least SiO_2 and SRN (Si Rich Nitride) film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を少なくともSiO_2とSRN（Si Rich Nitride）膜との積層構造とする。 - 特許庁

GROOVE STRUCTURE FORMING METHOD AND Si SUBSTRATE HAVING GROOVE STRUCTURE例文帳に追加

溝構造作製方法及び溝構造を有するＳｉ基板 - 特許庁

An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁

The structure comprises a first member 100 containing a compound between an element A except both Si and Ge, and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1), and a second member 101 containing one of the element A and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1).例文帳に追加

Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。 - 特許庁

The mirror includes a multilayer structure including an Mo/Si alternation layer.例文帳に追加

該ミラーは、Ｍｏ／Ｓｉ交互層を含む多層構造を含む。 - 特許庁

FLOOR UNIT FOR SI HOUSE AND FLOOR STRUCTURE例文帳に追加

ＳＩ住宅用床ユニットおよび床構造 - 特許庁

HONEYCOMB STRUCTURE BODY CONTAINING Si AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｓｉ含有ハニカム構造体及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING AN UNEVEN STRUCTURE IN COMPOUND INCLUDING Si-O-Si BOND, AND TO PROVIDE DEVICE例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物への凹凸構造の形成法及びデバイス - 特許庁

The component (B) is a silicon-containing polymer having Si-H group and having at least one bridging structure by an Si-O-Si bond.例文帳に追加

（Ｂ）成分：Ｓｉ−Ｈ基を有し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合による橋かけ構造を一箇所以上有するケイ素含有重合体。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

The non-dissolved structure of Al-Sn is an atomized structure with Sn flake-like or crescent shape, and in the non-solved structure of Al-Si, Si is a substantially circular grain or an uneven grain.例文帳に追加

Al-Snの未溶解組織はSnが片状、三日月状などとのアトマイズ組織となり、Al-Siの未溶解組織はSiが円に近い粒上、凹凸がある粒状などとなる。 - 特許庁

The aluminum-based thermal spraying sliding material has the composition consisting of (a) 5-20% Sn, (b) 5-20% Sn and 1-15% Si, or (c) 8-17% Si, and the balance Al with inevitable impurities, with non-dissolved structure and dissolved structure mixed therein.例文帳に追加

(イ)5〜20％Sn、(ロ)5〜20％Sn及び1〜15％Si、又は(ハ)8〜17％Siを含有し、残部がAl及び不可避的不純物からなり、未溶解組織と溶解組織が混在するアルミニウム系溶射摺動材料。 - 特許庁

A powder of Si-X alloy (X is one or more elements to form an inter-metal compound or solid solution together with Si) whose structure includes an Si-phase having a large Li-occluding ability is manufactured by a rapid cooling solidification method with a cooling speed of 100°C/sec (gas atomizing method, rapid cool rolling method, etc.).例文帳に追加

Si−Ｘ (ＸはSiと金属間化合物または固溶体を形成する１種以上の元素) 合金であって、組織中にLi吸蔵能の大きいSi相を有する合金の粉末を、冷却速度100 ℃/sec以上の急冷凝固法 (ガスアトマイズ法、急冷ロール法等)により製造する。 - 特許庁

This method of forming metal wiring contains a step of cleaning the surface of a silicon substrate 10 that is exposed by a contact hole 12h, a step of forming a Ti-Si film on the structure obtained in the preceding step, and a step of forming a Ti-Si-N film 16 on the Ti-Si film 14.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホール12hにより露出されたシリコン基板10の表面を洗浄する段階と、前段階で得られた構造物上にTi-Si膜を形成する段階と、前記Ti-Si膜14上にTi-Si-N膜16を形成する段階とを含んでなる金属配線形成方法である。 - 特許庁

In a reflecting film comprising an Mo/Si multilayer film formed by laminating periodically an Mo layer 1 with the thickness of 2.8 nm and an Si layer 2 with the thickness of 4.2 nm as many as 100 (50-pair) layers in total on a substrate 3, an Ru layer 4 is formed on the Si layer 2 on the outermost surface side of a periodical structure.例文帳に追加

基板３の上に、厚さ2.8nmのMo層１と厚さ4.2nmのSi層２が周期的に合計100（５０対）層積層されたMo/Si多層膜からなる反射膜において、周期構造の最表面側にあたるSi層２上に、Ru層４が成膜されている。 - 特許庁

HONEYCOMB STRUCTURE, Si-SiC BASED COMPOSITE MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING HONEYCOMB STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING Si-SiC BASED COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ハニカム構造体、Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料、ハニカム構造体の製造方法及びＳｉ−ＳｉＣ系複合材料の製造方法 - 特許庁

There is provided the light receiving element with the reflective structure which is composed of a multilayer film of a-Si/c-Si formed by changing a part of Si crystal constituting a photoelectric conversion layer into an a-Si layer.例文帳に追加

反射構造を備えた光受光素子を、 前記反射構造が、光電変換層を構成するＳｉ結晶の一部をａ−Ｓｉ層に変質させて形成されたａ−Ｓｉ／ｃ−Ｓｉによる多層膜によって構成する。 - 特許庁

Related to a device structure, a plurality of wafers are pasted together with at least one layer being Si, and the Si layer bonded to a wafer flat surface is inclined from (III) surface toward [1, 1, -2].例文帳に追加

デバイス構造において、複数のウェーハが張り合わされており、少なくとも１つの層がSiで、ウェーハ平面に対して接着したSi層が(111)面から[1,1,-2]方向へ傾いている構成を有している。 - 特許庁

An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加

n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁

In this electric resistor comprising a structure composed by coating the surface of a ceramic base material having an electric insulation property with a resistance coating formed of a Si group alloy, 0.03-5% of B is contained in the Si group alloy.例文帳に追加

電気絶縁性のセラミックス基材の表面にSi基合金からなる抵抗被膜を被覆した構造からなる電気抵抗体において、該Si基合金の中にBを0.03〜5％含有させることを特徴とする。 - 特許庁

SiC/Si HETORO STRUCTURE SEMICONDUCTOR SWITCH AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＳｉＣ／Ｓｉヘテロ構造半導体スイッチ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM ON SI SUBSTRATE AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

Ｓｉ基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物 - 特許庁

PHOTOELECTRIC FUSION DEVICE STRUCTURE ON Si SUBSTRATE AND MANUFACTURE OF THE DEVICE例文帳に追加

Ｓｉ基板上の光電融合デバイス構造及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Al-Si ALLOY MATERIAL WITH FINE STRUCTURE例文帳に追加

微細組織を有するＡｌ−Ｓｉ系合金材料の製造方法 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING Al-Si BASED ALLOY MATERIAL HAVING FINE STRUCTURE例文帳に追加

微細組織を有するＡｌ−Ｓｉ系合金材料の製造方法 - 特許庁

The component (A) is a silicon-containing polymer having one or more reactive groups selected from the group consisting of Si-CH=CH_2, Si-R^1-CH=CH_2 and Si-R^1-OCOC(R^2)=CH_2 and having at least one bridging structure by an Si-O-Si bond.例文帳に追加

（Ａ）成分：Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ_2 、Ｓｉ−Ｒ^1 −ＣＨ＝ＣＨ_2 及びＳｉ−Ｒ^1 −ＯＣＯＣ（Ｒ^2 ）＝ＣＨ_2 から選ばれる反応基を一種又は二種以上有し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合による橋かけ構造を一箇所以上有するケイ素含有重合体。 - 特許庁

To provide a method of producing an Al-Si based alloy material which consists of an Al-Si based alloy such as an Al-Si-Cu based alloy, an Al-Si-Mg based alloy and an Al-Si-Cu-Mg based alloy, has a fine crystal structure even after solution treatment and has excellent mechanical properties.例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金またはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｍｇ系合金のようなＡｌ−Ｓｉ系合金からなり、溶体化処理後においても微細な結晶組織を有する機械的性質が優れたＡｌ−Ｓｉ系合金材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

A cell plate, having a polycide structure composed of a polycrystalline Si film and a WSiX film, is formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に多結晶Ｓｉ膜とＷＳｉ_x 膜とのポリサイド構造を有するセルプレート１５を形成する。 - 特許庁

The magnetic sensor 7 is formed into multilayer structure, and is arranged with a substrate 8 comprising a Si (silicon) material in the lowermost layer as a sensor substrate.例文帳に追加

磁気センサ７は、多層構造を成しすとともに、最下層にセンサ基板としてSi（シリコン）を材質とする基板８が配設されている。 - 特許庁

To provide an electroluminescent (EL) device, and to provide a method for forming a rare earth element-doped silicon (Si)/Si dioxide(SiO_2) lattice structure.例文帳に追加

電界発光（ＥＬ）素子および、希土類元素がドープされたシリコン（Ｓｉ）／二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）格子構造の形成方法の提供。 - 特許庁

The Si thin line waveguide 3 has a one-dimensional photonic crystal structure in the direction in which the Si thin line waveguide 3 is extended.例文帳に追加

Ｓｉ細線導波路３は、Ｓｉ細線導波路３の延びる方向において１次元フォトニック結晶構造を有する。 - 特許庁

To provide a one-dimensional nanostructure of an Si(110) surface in which the Si(110) surface structure is controlled with high accuracy, and to provide a production method of the nanostructure.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）表面構造を精度良く制御したＳｉ（１１０）表面の一次元ナノ構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The bonding film 3 contains an Si frame having an atom structure containing a siloxane bond, and a leaving group which is bonded to the Si frame.例文帳に追加

接合膜３は、シロキサン結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。 - 特許庁

The core 42 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 421, a polymer thin film 422 and a Si thin film 423 in a direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加

コア４２は、Ｓｉ薄膜４２１、ポリマ薄膜４２２およびＳｉ薄膜４２３を基板１に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁

The core 43 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 431, a polymer thin film 432 and a Si thin film 433 in the direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加

コア４３は、Ｓｉ薄膜４３１、ポリマ薄膜４３２およびＳｉ薄膜４３３を基板１に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁

The steel wire for a spring contains, by mass, 0.50 to 0.90% C, 1.0 to 3.0% Si, 0.5 to 1.5% Mn and 0.1 to 5.0% Cr, and has a metallic structure mainly consisting of tempered martensite.例文帳に追加

質量％でC：0.50〜0.90、Si：1.0〜3.0、Mn：0.5〜1.5、Cr：0.1〜5.0を含み、主として金属組織が焼戻しマルテンサイトからなるばね用鋼線である。 - 特許庁

To provide the structure and manufacturing method of a relaxation buffer layer for manufacturing a distortion Si crystal or the like.例文帳に追加

本発明は、歪Si結晶等を作製するための緩和バッファ層の構造並びに、製造方法に関する - 特許庁

As a result, Al, an Al oxide, an Si oxide, and Si are piled up successively at a connection section 30 to form the strong connection structure.例文帳に追加

これにより、接合部３０にはＡｌ／Ａｌ酸化物／Ｓｉ酸化物／Ｓｉの順番で物質が積み重なって強固な接合構造となる。 - 特許庁

To provide a composite structure type high-tensile strength cold-rolled steel sheet having a trace amount of Si content and having a tensile strength of ≥590 MPa, and in which TS×El satisfies 19,000 MPa×% or above.例文帳に追加

微量のSi含有量で、引張強さ：590MPa以上で、かつTS×Elが19000MPa・％以上となる、複合組織型高張力冷延鋼板を提案する。 - 特許庁

This steel wire contains, by mass, 0.60 to 0.95% C, 0.1 to 1.2% Si and 0.30 to 0.90% Mu and has a bainitic structure of 90% or more in volume %.例文帳に追加

質量％でC：0.60〜0.95％、Si：0.1〜1.2％、Mn：0.30〜0.90を含有し、体積％で90％以上のベイナイト組織を有する。 - 特許庁

The Si dispersed vitreous carbon material is provided with structural performance that a crystalline structure except graphite structure does not exist practically in the structure, the diffraction line attributed to metal Si or an Si compound is not detected in an X-ray diffraction method and granular structure is not discriminated by the observation by a transmission electron microscope(TEM).例文帳に追加

また、その組織中には実質的に黒鉛構造以外の結晶構造が存在せず、Ｘ線回折法により金属ＳｉおよびＳｉ化合物に帰属する回折線が検出されず、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の観察によって粒状組織が識別できない組織性状を備えている。 - 特許庁

The bonding film 3 contains an Si skeleton including a siloxane (Si-O) bond and having a random atom structure, and a leaving group bonded to the Si skeleton.例文帳に追加

この接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。 - 特許庁

The joining films 31, 32 in the joined article 5 contains a Si skeleton having a random atom structure containing siloxane (Si-O) bonds and releasing groups bonded to the Si skeleton.例文帳に追加

このような接合体５のうち、各接合膜３１、３２は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。 - 特許庁

The component (C) is a silicon-containing polymer having one or more above reactive groups and further an Si-H group and having at least one bridging structure by an Si-O-Si bond.例文帳に追加

（Ｃ）成分：上記反応基を一種又は二種以上有し、さらにＳｉ−Ｈ基を有し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合による橋かけ構造を一箇所以上有するケイ素含有重合体。 - 特許庁