Si thermal oxidationとは 意味・読み方・使い方

Thereafter, a structure 60 obtained by retreating the Si substrate 50 and the Poly-Si 54 by wet etching is mounted on another Si substrate 62 and an SiO_2 film 64 is grown by thermal oxidation.例文帳に追加

次にＳｉ基板５０とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４とをウェットエッチングにより後退させてできた構造体６０を別のＳｉ基板６２に乗せ、熱酸化処理を施すことによりＳｉＯ_２膜６４を成長させる。 - 特許庁

The support film 14 is a SiO_2 thin film formed by thermal oxidation on an upper portion of an n-type substrate 10a (Si monocrystal).例文帳に追加

支持膜１４は、ｎ基板１０ａ（Ｓｉ単結晶）の上方に熱酸化により形成されたＳｉＯ_2薄膜である。 - 特許庁

A thermally oxidized SiO_2 film 22 is formed on the front and rear of the (110) Si single crystal substrate 21 using a thermal oxidation method.例文帳に追加

次に、熱酸化法を用いて、（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１の表裏に熱酸化ＳｉＯ_2膜２２を形成する。 - 特許庁

An SiO2 film 3 of 100 Å or more thickness is formed on an Si substrate 2 by thermal oxidation, and a ZnO film 4 is c-axis-orientated thereon.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上に熱酸化によりＳｉＯ_2膜３を１００Å以上の厚みに形成し、その上にＺｎＯ膜４をｃ軸配向させる。 - 特許庁

Finally, the SiGe layer 3 is etched through the opening surface H to form a cavity between the Si layer 5 and the Si substrate 1 and a thermal oxidation film is formed in the cavity.例文帳に追加

その後、開口面Ｈを介してＳｉＧｅ層３をエッチングして、Ｓｉ層５とＳｉ基板１との間に空洞部を形成し、空洞部内に熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing process of a microelectromechanical device, after forming a groove 20 as a gap by applying a processing using photolithography and etching to the resonator 22 and an Si layer as an electrode 21, the pair of thermal oxidation films 5, 5 of Si are formed on the opposite surfaces of the groove 20 by applying thermal oxidation treatment to the Si layer.例文帳に追加

本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。 - 特許庁

An insulation film (a gate oxide film) is formed on the surface of a monosrystal layer of Si, Ge, or the like comprising not less than two kinds of semiconductor on the semiconductor wafer by thermal oxidation in an atmosphere including reducer and oxidizing agent as oxidation species to the monocrystal layer.例文帳に追加

また、半導体基板上の２種類以上の半導体からなるＳｉＧｅなどの単結晶層の表面上に前記単結晶層に対する酸化種として還元剤及び酸化剤を含む雰囲気による熱酸化によって絶縁膜（ゲート酸化膜）を形成する。 - 特許庁

A thermal oxidation silicon film (SiO_2) is formed as a gate insulating film on the front surface of a silicon substrate (P-Si) of conductive p-type silicon wafer used as a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極として用いる導電性Ｐ型シリコンウェフアーのシリコン基板（Ｐ−Ｓｉ）の表面に、ゲート絶縁膜として熱酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2）を形成する。 - 特許庁