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Si thicknessとは 意味・読み方・使い方
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「Si thickness」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 258件
As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加
金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁
The steel has a coating of a surface treating agent with 5 to 50 μm film thickness on its surface, the agent containing Si-containing iron powder by 15 to 75% of the solid content by mass ratio, so as to form a dense rust (Fe_2SiO_4) layer containing Si by the reaction of eluted Fe ions and Si ions.例文帳に追加
質量比で、固形分の15〜75％のSi含有鉄粉を含む表面処理剤の被覆を５〜50μｍの膜厚で表面に備え、溶出したFeイオンおよびSiイオンを反応させて、Siを含む緻密なさび(Fe_2SiO_4）層を生成させる。 - 特許庁
First, a resist 2 is applied on a base plate 1 made of Si or SiO_2 in such a manner that the thickness may become 350 nm or higher.例文帳に追加
まず、Si又はSiＯ_２からなる基板１の上にレジスト２を350nm以上の厚さとなるように塗布する。 - 特許庁
The coating layer consists of a material containing Si and has a thickness of 3 to 100 μm.例文帳に追加
この被覆層は、Siを含有する材料で構成され、厚さが3〜100μｍである。 - 特許庁
The ingot magnetic steel sheet is preferable to have the characteristic of Si≥0.01 mass%, plate thickness≤1.0 mm, and Hv≥105.例文帳に追加
溶製電磁鋼板は、Si≧0.01mass％、板厚≦1.Omm、Hv≧105の特性を有することが好ましい。 - 特許庁
An Si layer of the I/O region 15 is an Si epitaxial layer 18 whose thickness is larger than that of the Si layer 13 of the core region 14.例文帳に追加
Ｉ／Ｏ領域１５のＳｉ層は、コア領域１４のＳｉ層１３より厚いＳｉエピタキシャル層１８である。 - 特許庁
Thus the surface of the Si substrate 10, facing the etching system 102, is etched, and the thickness of the substrate 10 becomes smaller from its central part 10c (Fig. c).例文帳に追加
こうして、Si基板１０のエッチング系統１０２に面した側がエッチングされ、中央部付近１０ｃからSi基板１０は薄くなっていく(c)。 - 特許庁
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「Si thickness」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 258件
Since an Al amount is controlled, problems that a siliconizing rate varies and an effective Si concentration gradient is not obtained in a plate thickness direction are solved to obtain the unidirectional electromagnetic steel plate having an average Si concentration of 5.5 to 7 mass% on a steel plate surface and an average Si concentration of 3 to 5.5 mass% in the center of the plate thickness.例文帳に追加
Al量が制御されているため、浸珪速度が変動したり、板厚方向に有効なSi濃度勾配を実現できないという問題が解消され、鋼板表面の平均Si濃度が5.5〜7mass%、板厚中心の平均Si濃度が3〜5.5mass%である一方向性電磁鋼板が得られる。 - 特許庁
In this bipolar transistor, a Si-doped intermediate emitter layer 8 interposed between the lower emitter layer 7 and the upper emitter layer 9 is formed and a prescribed relationship is satisfied between the Si concentration and the thickness of the lower emitter layer 7 and the Si concentration and the thickness of the intermediate emitter layer 8.例文帳に追加
このバイポーラトランジスタでは、下部エミッタ層７と上部エミッタ層９とに挟まれた、Siドープの中間エミッタ層８を形成し、下部エミッタ層７のSi濃度および層厚と、中間エミッタ層８のSi濃度および層厚とが所定の関係を満たしている。 - 特許庁
In a reflecting film comprising an Mo/Si multilayer film formed by laminating periodically an Mo layer 1 with the thickness of 2.8 nm and an Si layer 2 with the thickness of 4.2 nm as many as 100 (50-pair) layers in total on a substrate 3, an Ru layer 4 is formed on the Si layer 2 on the outermost surface side of a periodical structure.例文帳に追加
基板３の上に、厚さ2.8nmのMo層１と厚さ4.2nmのSi層２が周期的に合計100（５０対）層積層されたMo/Si多層膜からなる反射膜において、周期構造の最表面側にあたるSi層２上に、Ru層４が成膜されている。 - 特許庁
In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.例文帳に追加
これにより、Alが30〜70mass％、Siが0.1 〜1.0mass％、SrがSi含有量の0.5 〜２％含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20％以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁
Then, in the sheet thickness cross-sectional region from the surface of the steel sheet to 1 μm in the sheet thickness direction, the content of Si-containing oxides is ≤5%.例文帳に追加
そして、鋼板表面から板厚方向1μmまでの板厚断面領域において、Si含有酸化物が５％以下であることとする。 - 特許庁
The thickness of the seed Si film 8 is ≥0.1 nm and not more than 5 nm.例文帳に追加
シードＳｉ膜８の膜厚は、０．１ｎｍ以上５ｎｍ未満である。 - 特許庁
The dispersion compensation element 12 is an Si substrate having a thickness of 780 μm.例文帳に追加
分散補償素子１２は、厚さ７８０μｍのＳｉ基板である。 - 特許庁
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