Si thin film transistorとは 意味・読み方・使い方

They are formed as an active layer, a transistor for a pixel is formed in a polycrystalline Si thin film 4b into a thick film, and a transistor for a drive circuit is formed into a polycrystalline Si thin film 4a in a thin film.例文帳に追加

これらを活性層として、厚膜の多結晶Ｓｉ薄膜４ｂの部分に画素用トランジスタを形成し、薄膜の多結晶Ｓｉ薄膜４ａの部分に駆動回路用のトランジスタを形成する。 - 特許庁

A BOX layer 152a left on the single crystal Si thin film transistor 130 is eliminated by etching.例文帳に追加

また、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１３０上に残ったＢＯＸ層１５２ａをエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Si semiconductor thin film having good film electrical characteristics such as mobility or the like, and capable of preventing a contamination of the film and a thin film transistor using this Si semiconductor thin film.例文帳に追加

移動度などの膜電気特性がよく、膜の汚染を防ぐ事の可能な、Ｓｉ系半導体薄膜の製造方法、このＳｉ系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 20 comprises an SiO_2 film 3; a MOS non-single crystal Si thin film transistor 1a, containing a non-single crystal Si thin film 5' of polycrystalline Si; a MOS single-crystal Si thin-film transistor 16a provided with a single-crystal Si thin-film 14a; and a metal wiring 22 on an insulation substrate 2.例文帳に追加

半導体装置２０は、絶縁基板２上に、ＳｉＯ_2膜３、多結晶Ｓｉからなる非単結晶Ｓｉ薄膜５’を含むＭＯＳ型の非単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１ａ、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを備えたＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａ、金属配線２２を備えている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a single crystal Si thin film transistor fabricated on an insulating substrate by transfer, and a poly-Si thin film transistor fabricated on the insulating substrate in which the single crystal Si thin film transistor is protected against damage due to laser beam irradiation for forming a poly-Si thin film.例文帳に追加

絶縁基板上に、転写により形成された単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタと、絶縁基板上で形成された多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタとを有する半導体装置において、多結晶Ｓｉ薄膜を形成するためのレーザ光照射による単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの損傷を防止する。 - 特許庁

To form a thin-film transistor having a desired characteristic by controlling a film thickness because, in a laser crystallization method, the mean crystal particle size of a polycrystalline Si thin film and irregularity in the crystal particle size of the thin film are correlated with the film thickness of an amorphous Si thin film.例文帳に追加

レーザー結晶化法において、多結晶Ｓｉ薄膜の平均結晶粒径と結晶粒径ばらつきは、非晶質Ｓｉ薄膜の膜厚と相関があるので、膜厚制御により所望の特性を有する薄膜トランジスタを形成すること。 - 特許庁

Nitrogen of the nitrogen-containing layer binds to Si of the thin-film transistor semiconductor layer 33, and the thin film of pure Al or Al alloy is connected to the thin-film transistor semiconductor layer 33 through the nitrogen-containing layer.例文帳に追加

窒素含有層の窒素は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合しており、純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜は、窒素含有層を介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 - 特許庁