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V-11とは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ヴァルティー V-11およびV-12とはアメリカ合衆国で1930年代に開発された航空機である。
「V-11」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 876件
Apollo 11 is on the way, riding that pillar of flame from the saturn v out there, 250, 000 miles away, where the moon is waiting for man 's first arrival.例文帳に追加
アポロ11が乗って、道を進んでいること 炎の柱 サターンVからそこに、 250、000マイル離れて、 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Apollo 11 is on the way, riding that pillar of flame from the saturn v out there, 250, 000 miles away, where the moon is waiting for man 's first arrival.例文帳に追加
アポロ11が乗って、道を進んでいること 炎の柱 サターンvからそこに、 250、000マイル離れて、 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
A strong charge pump 11 generates power source voltages of 5.0 V and 8.0 V.例文帳に追加
ストロングチャージポンプ１１は、５．０Ｖ及び８．０Ｖの電源電圧を発生する。 - 特許庁
A rotary table 10 is fittingly attached to an annular V-V rolling guide 11 situated at a fixed body 12 and has the V-V rolling guide 11 rotatably mounted with the center of the annular V-V rolling guide 11 taken as a rotary shaft C.例文帳に追加
固定体に設けたリング状のＶ−Ｖころがり案内に嵌着され、リング状のＶ−Ｖころがり案内の中心を回転軸として回転可能に取付けられたＶ−Ｖころがり案内を有する回転テーブルとした。 - 特許庁
The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加
また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁
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「V-11」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 876件
Aramid short fibers 8 protruding from the side 11 of the V-rib 7 of a V-rib belt are formed in a curled state.例文帳に追加
Ｖリブドベルト10のＶリブ7の側面11から突出するアラミド系短繊維8を、カール状に形成する。 - 特許庁
A current constriction layer 12 is configured by the group III-V compound semiconductor layer 11 and the group III-V compound semiconductor layer 13.例文帳に追加
III−V族化合物半導体層１１とIII−V族化合物半導体層１３とによって電流狭窄層１２が構成される。 - 特許庁
In the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer, the composition ratio x+v at the interface with the dissimilar substrate 11 is closer to that of the dissimilar substrate 11 material than the x+v in the main surface.例文帳に追加
Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 - 特許庁
It is possible to perform correct cleavage even for a fragile material by shaping the cutout 11 into V.例文帳に追加
切欠11の形状をV型とすることで、脆性材料であっても適正な劈開を容易に行うことができる。 - 特許庁
The roots of the two protrusion parts 15 and 40 are erected from the side 11 of the V-rib.例文帳に追加
両突出部15,40の根元は、Ｖリブ7の側面11から起立している。 - 特許庁
The inner edge surface has a second V-shaped groove 211 corresponding to the first V-shaped groove 11.例文帳に追加
内縁面は第１Ｖ型溝１１に対応する第２Ｖ型溝２１１を有する。 - 特許庁
The root part of the aramid short fiber 8 is erected from the side 11 of the V-rib 7.例文帳に追加
アラミド系短繊維8の根元部12は、Ｖリブ7の側面11から起立している。 - 特許庁
The 1st signal converter 10a provides an output of 15 V power toward the antenna side when receiving a 15 V signal in a 11/15 V polarized wave switching signal from a CS tuner 13 and provides an output of 15 V power on which a square wave is superimposed toward the antenna side when receiving a 11 V signal in the 11/15 V polarized wave switching signal.例文帳に追加
第１信号変換器１０ａは、ＣＳチューナ１３から送出された１１／１５Ｖの偏波切換信号のうち１５Ｖ信号が入来したら１５Ｖでアンテナ側へ出力し、１１Ｖ信号が入来したら１５Ｖに方形波を重畳して出力する。 - 特許庁
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