VLEDとは 意味・読み方・使い方

The error amplifier 15 compares the constant current circuit voltage VLED with a reference voltage Vref input from a constant voltage source 14 to output an output signal OUT.例文帳に追加

誤差増幅器１５は定電流回路電圧ＶＬＥＤと、定電圧源１４から入力される基準電圧Ｖｒｅｆとを比較し、出力信号ＥＯＵＴを出力する。 - 特許庁

A constant current circuit 13 is connected in series to the LED series circuit 2, and a constant current circuit voltage VLED produced in the constant current circuit 13 is input to an error amplifier 15.例文帳に追加

ＬＥＤ直列回路２には定電流回路１３が直列接続され、定電流回路１３に生じる定電流回路電圧ＶＬＥＤが誤差増幅器１５に入力される。 - 特許庁

The position of a lens is calculated, and also light quantity (VLED) of an LED and reference voltage (VLEF) of a PSD are changed from output voltage (V1 and V2) of a PSD processing circuit respectively obtained when the LED does not emit light (H) and when the LED emits the light (L).例文帳に追加

ＬＥＤの非発光時（Ｈ）と、発光時（Ｌ）の、ＰＳＤ処理回路のそれぞれの出力電圧（Ｖ１，Ｖ２）から、レンズの位置を算出すると共に、ＬＥＤの光量（ＶＬＥＤ）と、ＰＳＤの基準電圧（ＶＬＥＦ）を変更する。 - 特許庁

The vertical light-emitting diode (VLED) die further includes an electrode 22 on the n-type semiconductor layer, an electrode frame 24 on the n-type semiconductor layer in electrical contact state with the electrode, and an organic or inorganic substance having selected optical characteristics and contained in the electrode frame.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、ｎ型半導体層上の電極２２と、電極と電気的接触状態にある、ｎ型半導体層上の電極フレーム２４と、電極フレーム内に含有された、選択された光学特性を有する有機又は無機物質とをさらに含む。 - 特許庁

A vertical light-emitting diode (VLED) die includes a metal base (base) 12, a mirror 14 on the metal base, a p-type semiconductor layer 16 on the mirror, a multiple quantum well (MQW) layer 18 on the p-type semiconductor layer configured to emit light, and an n-type semiconductor layer 20 on the multiple quantum well (MQW) layer.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、金属ベース（基部）１２と、金属ベース上のミラー１４と、ミラー上のｐ型半導体層１６と、光を放出するように構成された、ｐ型半導体層上の多重量子井戸（ＭＱＷ）層１８と、多重量子井戸（ＭＱＷ）層上のｎ型半導体層２０と、を含む。 - 特許庁

A vertical light emitting diode (VLED) die 10A includes a p-type confinement layer 12A, an active layer 14A on the p-type confinement layer configured to emit light, and an n-type confinement structure 16A having at least one etch stop layer 22A configured to protect the active layer.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。 - 特許庁

A method for fabricating the vertical light emitting diode (VLED) die includes the steps of: providing a carrier substrate 24A; forming on the carrier substrate an n-type confinement structure having at least one etch stop layer; forming an active layer on the n-type confinement structure; forming a p-type confinement layer on the active layer; and removing the carrier substrate.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 - 特許庁