Well-formed elementとは 意味・読み方・使い方

An element separation film 2 is further formed in the n well 3 to separate the plurality of semiconductor elements.例文帳に追加

Ｎウエル３に、複数の半導体素子を分離するように素子分離膜２をさらに形成する。 - 特許庁

A shallow trench isolation (STI) 12 is formed in an N-type well resistance element forming region of a silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１のＮウェル抵抗素子形成領域にＳＴＩ１２を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, a first conductivity deep well region, a second conductivity shallow well region and an element separating region are formed.例文帳に追加

半導体基板上に第１導電型の深いウェル領域と、第２導電型の浅いウェル領域と、素子分離領域とを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method is for manufacturing a semiconductor device into a structure, wherein trench element isolation regions 2, n-type well regions 3 and p-type well regions 4 are formed in the order in the upper part of an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上部にトレンチ素子分離領域２、ｎ型ウェル領域３およびｐ型ウェル領域４を順次形成する。 - 特許庁

Also, well voltage (WELL) of a well region where a sub-decoder element group is formed is set to a voltage level in which a space between the source and the substrate of the transistor of the sub-decoder element becomes a deep reverse bias state.例文帳に追加

また、サブデコーダ素子群がが形成されるウェル領域のウェル電圧（ＷＥＬＬ）は、そのサブデコーダ素子のトランジスタのソース-基板間が、深い逆バイアス状態となるような電圧レベルに設定する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor element 30 having a P-type well 9 and an N-type diffusion layer 2 to be formed on the P-type well 9; and a P-type diffusion resistance 40 to be formed on the N-type well 8.例文帳に追加

本発明による半導体装置１００は、Ｐ型ウェル９とＰ型ウェル９上に形成されるＮ型拡散層２とを備える半導体素子３０と、Ｎ型ウェル８上に形成されるＰ型拡散抵抗４０とを具備する。 - 特許庁

In a high-frequency switch, constituted of a finger-type MOSFET formed on an Si substrate, a p+-type well contact region 105 for applying a fixed potential to a p-type well 102 is formed in an element isolation layer 101, and a capacitor 109 is formed between the p+ well contact region 105 and the p-type well.例文帳に追加

Ｓｉ基板に形成されたフィンガー型MOSFETからなる高周波スイッチにおいて、ｐ型ウエル１０２に固定電位を与えるｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５を素子分離層１０１の中に設け、ｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５とｐ型ウエルとの間に容量１０９を設ける。 - 特許庁

A first well 210 is formed in the first element forming region 12 using a first mask pattern, and a second well 410 is formed in the second element formation region 13 using a second mask pattern.例文帳に追加

第１マスクパターンを用いて第１素子形成領域１２に第１ウェル２１０を形成し、第２マスクパターンを用いて第２素子形成領域１３に第２ウェル４１０を形成する。 - 特許庁