Well-formed elementとは 意味・読み方・使い方

A first well 210 is formed in the first element forming region 12 using a first mask pattern, and a second well 410 is formed in the second element formation region 13 using a second mask pattern.例文帳に追加

第１マスクパターンを用いて第１素子形成領域１２に第１ウェル２１０を形成し、第２マスクパターンを用いて第２素子形成領域１３に第２ウェル４１０を形成する。 - 特許庁

An element separation film 2 is further formed in the n well 3 to separate the plurality of semiconductor elements.例文帳に追加

Ｎウエル３に、複数の半導体素子を分離するように素子分離膜２をさらに形成する。 - 特許庁

The first anti-fuse element and the second anti-fuse element are configured to be simultaneously programmable, and formed in a P-well 130 and a P-well 134 on a substrate 102 respectively, and an N-well 122 and an N-well 124 of an opposite conductivity type isolating the P-well 130 and the P-well 134 mutually are formed between the P-well 130 and P-well 134.例文帳に追加

第１のアンチヒューズ素子および第２のアンチヒューズ素子は、同時にプログラム可能に構成され、第１のアンチヒューズ素子および第２のアンチヒューズ素子は、それぞれ、基板１０２上のＰウェル１３０およびＰウェル１３４に形成され、Ｐウェル１３０とＰウェル１３４との間には、これらを分離する逆導電型のＮウェル１２２やＮウェル１２４が形成されている。 - 特許庁

In the varactor element 13, the surface of the p-type substrate 1 is formed with an N well 2, and a gate insulating film 6 is formed on the N well 2, and an n-type polysilicon layer 4 is formed on the gate insulating film 6.例文帳に追加

バラクタ素子１３においては、Ｐ型基板１の表面にＮウエル２を形成し、その上にゲート絶縁膜６を設け、その上にＮ型ポリシリコン層４を設ける。 - 特許庁

Also, well voltage (WELL) of a well region where a sub-decoder element group is formed is set to a voltage level in which a space between the source and the substrate of the transistor of the sub-decoder element becomes a deep reverse bias state.例文帳に追加

また、サブデコーダ素子群がが形成されるウェル領域のウェル電圧（ＷＥＬＬ）は、そのサブデコーダ素子のトランジスタのソース-基板間が、深い逆バイアス状態となるような電圧レベルに設定する。 - 特許庁

When the absorption layer is formed in the element, reliability of the element can be improved as well as the service life of the element can be extended by removing moisture.例文帳に追加

吸収層を素子の内部に構成すると、水分の除去によって素子の寿命を延ばせると同時に、素子の信頼性を改善することができる。 - 特許庁

Furthermore, a p-type well 42d, and the like, are formed in an n^--type layer 42a, and the like, composed of the active layer 2c, and a semiconductor element is formed in the p-type well 42d.例文帳に追加

また、活性層２ｃにて構成されるｎ^-型層４２ａ等の中にｐ型ウェル４２ｄ等を形成し、このｐ型ウェル４２ｄ内に半導体素子を形成する。 - 特許庁

Also, in the varactor element 14, the surface of the p-type substrate 1 is formed with an N well 2, and the gate insulating film 6 and the p-type polysilicon layer 5 are formed on the N well 2.例文帳に追加

また、バラクタ素子１４においては、Ｐ型基板１の表面にＮウエル２を形成し、その上にゲート絶縁膜６及びＰ型ポリシリコン層５を設ける。 - 特許庁