With P type baseとは 意味・読み方・使い方

Then, the base region 48 of the Tr 38 is formed simultaneously with a p-type well 40, an emitter region 49 is formed simultaneously with n-type source and drain region 42, and a high concentration p-type base region 50 is formed simultaneously with the p-type source and drain region 43.例文帳に追加

このとき、Ｔｒ３５のベース領域４８はｐ型ウェル４０と同時に形成し、エミッタ領域４９はｎ型ソース・ドレイン領域４２と同時に形成し、高濃度ｐ型ベース領域５０はｐ型ソース・ドレイン領域４３と同時に形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device having a parallel p-n layer with an n-type drift region 2 and a p-type partition region alternately arranged a plurality of times, an insulating film 16 thicker than a gate oxide film 6 is formed on the surface of a region with no p base region 8 between first p-type partition regions 3a having the p base regions 8 among the p-type partition regions.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成された第１ｐ型仕切領域３ａ間の、ｐベース領域８が形成されていない領域の表面に、ゲート酸化膜６より厚い絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

A gate electrode 7 is formed on the n-type drift region 2 and a second p-type partition region 3b with no p base region 8 among the p-type partition regions via the gate oxide film 6 and the insulating film 16.例文帳に追加

ゲート電極７は、ｎ型ドリフト領域２と、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成されていない第２ｐ型仕切領域３ｂと、の上に、ゲート酸化膜６と絶縁膜１６を介して設けられている。 - 特許庁

To prevent increase in the resistance in the neighborhood of a re-grown interface, when regrowing a p-type semiconductor layer that includes P and with a p-type semiconductor device as a base.例文帳に追加

Ｐを含むおよびｐ型の半導体装置を下地としてｐ型の半導体層を再成長する際に、再成長界面付近の抵抗値の増大を防止する。 - 特許庁

As a structure applicable to a MOSFET (field effect transistor) provided with a gate electrode G (MOS gate) of a trench electrode structure, a p-type diffused layer SP having a higher concentration than a p-type base area BS is formed around the surface of a substrate in a p-type base area BS.例文帳に追加

トレンチ電極構造のゲート電極Ｇ（ＭＯＳゲート）を備えるＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）に適用される構造として、ｐ型のベース領域ＢＳの基板表面付近に、該ベース領域ＢＳよりも濃度の高いｐ型の拡散層ＳＰを設けるようにする。 - 特許庁

First and second spacer layers 31 and 32 are used as a part of a mask at forming within a p-type base layer 24 by ion implantation, so that the p-type base layer 24 can be formed with higher precision through self- alignment.例文帳に追加

ｐ型ベース層２４をイオン注入により形成する際のマスクの一部として第１および第２スペーサ層３１，３２を用いることによって、ｐ型ベース層２４をセルフアラインにより高い精度もって形成する。 - 特許庁

This bipolar transistor comprises a GaAs substrate, an n-type collector region formed on the GaAs substrate, a p-type base region having a base layer consisting of p-type SiGe and having a composition, capable of lattice matching with the GaAs substrate and formed on the n-type collector region, and an n-type emitter region formed on the p-type base region.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板上に形成されたｎ型コレクタ領域と、前記ｎ型コレクタ領域上に形成され前記ＧａＡｓ基板と格子整合する組成のｐ型のＳｉＧｅからなるベース層を有するｐ型ベース領域と、前記ｐ型ベース領域上に形成されたｎ型エミッタ領域と、を備えることを特徴とするバイポーラ型トランジスタを提供する。 - 特許庁

A low resistance n-type emitter layer 4 in contact with the upper side of the trench 17 is formed over that surface of the p-type base layer 3.例文帳に追加

ｐ型ベース層３の表面内にはトレンチ１７の上部に接する低抵抗のｎ型エミッタ層４が形成される。 - 特許庁