Y interfaceとは 意味・読み方・使い方

A GaN layer or an AlxInyGa1-x-yN layer (0≤x≤1, 0≤y≤1) which are doped with Mg, Zn and Cd can be used for the interface layer 16.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｚｎ、ＣｄがドープされたＧａＮまたはＡｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を、この層に使用することができる。 - 特許庁

When this request is received, a layer 2 data link control part sets the reception enable information of DLCI=y to a reception interface part.例文帳に追加

レイヤ２データリンク制御部は、この要求を受け取ると、ＤＬＣＩ＝ｙの受信可情報を受信インタフェース部に設定する。 - 特許庁

The driving parts 19, 20 and 21 can move the attachment interface in x-, y- and z-directions in a Cartesian coordinate system having x-, y- and z-coordinate systems.例文帳に追加

複数の位置設定駆動部１９、２０、２１は、ｘ，ｙ，ｚ座標系を有するデカルト座標系におけるｘ方向、ｙ方向およびｚ方向に取付インターフェースを移動できる。 - 特許庁

To prevent an interface device from power consumption when a slave station z is in a waiting state regarding the interface device in which the slave station z of a different 2-type paging system Z is connected to a 1-type paging system Y.例文帳に追加

１型ページングシステムＹに異なる２型ページングシステムＺの子局ｚを接続するインターフェース装置に関し、子局ｚが待ち受け状態ではインターフェース装置が電力消費をしないこと。 - 特許庁

This invention provides the metal compound which is a p-type metal having a work function of about 4.75-5.3 eV, preferably about 5 eV and comprises MO_xN_y stable to heat on the gate stack comprising the high-k dielectric and an interface layer, and a method for manufacturing the MO_xN_y metal compound.例文帳に追加

仕事関数が約４．７５から約５．３、好ましくは約５ｅＶであるｐ型金属であり、高ｋ誘電体とインタフェース層とを含むゲート・スタック上で熱に対して安定なＭＯ_ｘＮ_ｙを含む金属化合物、およびこのＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物を製作する方法が提供される。 - 特許庁

Accordingly, also in the interface with a gate insulating film 4 formed by a HfAl_xO_y film, the oxidation resistance of a metal electrode film 5 is improved, and oxidation of metal electrode film 5 is made to be controlled also under high temperature environment at the time of film formation and annealing.例文帳に追加

これにより、ＨｆＡｌ_xＯ_y膜で形成されているゲート絶縁膜４との界面においても、金属電極膜５の耐酸化性が向上し、成膜時やアニール時の高い温度環境下でも、金属電極膜５の酸化が抑制されるようになる。 - 特許庁

A MOS transistor comprises a substrate, an active region within the substrate, an interface oxide thin film on the substrate, a WSiN_y gate dielectric thin film formed on the interface oxide thin film, and a gate separated from the active region by the WSiN_y gate dielectric thin film.例文帳に追加

本発明のＭＯＳトランジスタは、基板と、前記基板内にあるアクティブ領域と、前記基板上にある界面酸化物薄膜と、前記界面酸化物薄膜上に形成されるＷＳｉＮ_ｙゲート誘電体薄膜と、前記ＷＳｉＮ_ｙゲート誘電体薄膜によって前記アクティブ領域から分離されるゲートとを含む。 - 特許庁

A counter circuit 40 has a counter for loading X, Y, M and Y, and renews X, Y, M and N according the display of the rectangular regions or the like, and an address generating circuit 50 generates an address value corresponding to the display data on the basis of the count value from the counter circuit 40, and outputs it to the display controller interface circuit 60.例文帳に追加

カウンタ回路４０は、Ｘ、Ｙ、Ｍ、Ｎをロードするカウンタを持ち画素、矩形領域等の表示により、Ｘ、Ｙ、Ｍ、Ｎを更新し、アドレス生成回路５０は、カウンタ回路４０からのカウント値に基づいて表示データに対応するアドレス値を作成し、表示コントローラインタフェース回路６０出力する。 - 特許庁