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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和対訳 > Z containing Yの意味・解説 

Z containing Yとは

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Weblio英和対訳辞書での「Z containing Y」の意味

Z containing Y

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。


「Z containing Y」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 61



例文

Further, a structural gene Y, a recombinant vector Z containing the structural gene Y, and a transformant A containing the recombinant vector Z also have a structural gene Y as a special technical feature.発音を聞く例文帳に追加

さらに、構造遺伝子Y、構造遺伝子Yを含む組換えベクターZ及び組換えベクターZを含む形質転換体Aは、すべて構造遺伝子Yという同一の特別な技術的特徴を有している。 - 特許庁

The compound containing copper, zinc and sulfur preferably has a composition of Cu_xZn_yS_z(x=2; y=1.5 to 2.5; z=2.5 to 3.5; and x+y+z=7).例文帳に追加

前記銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物は、Cu_xZn_yS_z(x=2;y=1.5〜2.5;z=2.5〜3.5;x+y+z=7)の組成を有することが好ましい。 - 特許庁

There is provided an active material for a battery, containing monoclinic composite oxide represented by Li_xTi_1-yM1_yNb_2-zM2_zO_7±δ (0≤x≤5, 0≤y≤1, 0≤z≤2 and 0≤δ≤0.3).例文帳に追加

Li_xTi_1-yM1_yNb_2-zM2_zO_7±δ(0≦x≦5、0≦y≦1、0≦z≦2、0≦δ≦0.3)で表される単斜晶型複合酸化物を含む電池用活物質が提供される。 - 特許庁

The precursor for film deposition is obtained by dissolving ruthenium tetroxide into fluorine-containing ether expressed by the general formula: C_xH_yF_zO (wherein, x, y, z have the relations of 2x+2=y+z, x=2 to 15, and z>y).例文帳に追加

一般式C_xH_yF_zO(ただし、x、y、zは2x+2=y+z、x=2〜15、z>yの関係を有する)にて表されるフッ素含有エーテルに四酸化ルテニウムを溶解した成膜用前駆体。 - 特許庁

In this solar battery, a compound semiconductor layer containing nitride based compound semiconductor expressed by a composition formula AlXGaYInZNW, where X, Y, Z and W show composition ratio, and satisfy 0.8≤(X+Y+Z)/W≤1.2 and 0.1≤Z/(X+Y+Z)≤1.0 is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、半導体基板上に、組成式がAl_XGa_YIn_ZN_Wで表される窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を有し、該X,Y,Z及びWは組成比を表し、0.8≦(X+Y+Z)/W≦1.2、かつ、0.1≦Z/(X+Y+Z)≦1.0を満たすことを特徴とする太陽電池である。 - 特許庁

Furthermore, assuming that the number of moles of manganese in the oxide containing nickel and manganese is Y, the number of moles of nickel is Z, and a=Y/(Y+Z), then a≤0.5.例文帳に追加

また、ニッケルとマンガンを含む酸化物におけるマンガンのモル数をY、ニッケルのモル数をZとし、a=Y/(Y+Z)とした時、a≦0.5とする。 - 特許庁

例文

The Zr precursor is represented by general formula; Zr_x(OR)_yL_z (wherein R is an alkyl group; L is a β-diketonate group; x is 1 or 2; y is 2, 4 or 6; and z is 1 or 2), and is used for depositing thin films of or containing zirconium oxide using an MOCVD technique.例文帳に追加

一般式: Zr_x(OR)_yL_z (式中、Rはアルキル基であり; Lはβ-ジケトネート基であり; x = 1又は2であり; y = 2、4又は6であり; z = 1又は2である。)を有する、MOCVD法を用いて酸化ジルコニウムの薄膜又は酸化ジルコニウムを含む薄膜を堆積させるのに用いるジルコニウム前駆物質。 - 特許庁

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「Z containing Y」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 61



例文

In the dry etching method, gallium-nitride compound layers 22-24, sapphire substrates 21 or alumina substrates are etched by plasma 26 generated from a reaction gas containing chlorine gas and gas of a compound (such as chloroform, dichloromethane, etc.), represented by a chemical formula C_xH_yCl_z, in which each of x, y, and z is a positive integer.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物(クロロホルム、ジクロルメタン等)のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ26により、窒化ガリウム系化合物層22〜24、サファイア基板21もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁

In some embodiments, a hardmask film includes a high-hardness boron-containing film selected from the group consisting of Si_xB_yC_z, Si_xB_yN_z, Si_xB_yC_zN_w, B_xC_y and B_xN_y.例文帳に追加

ハードマスク膜は、Si_xB_yC_z、Si_xB_yN_z、Si_xB_yC_zN_w、B_xC_y、およびB_xN_yから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。 - 特許庁

The Mg-containing black iron oxide particles contain the composition expressed by Mg_xFe_yO(Fe_2O_3)_1+z (where, 0.3<x<1, 0<y<0.7, x+y=1, 0<z<0.5), and have an average grain size of 0.01 to 0.5 μm.例文帳に追加

Mg_xFe_yO(Fe_2O_3)_1+z(ただし、0.3<x<1、0<y<0.7、x+y=1、0<z<0.5)で表わされる組成物を含有し、かつ平均粒径が0.01〜0.5μmであるMg含有黒色酸化鉄粒子。 - 特許庁

The Pt containing compound used for nucleic acid probe marking for hybridization expressed by structural formula 1 or 2, and have chemical formulas {PtII(w) (x) (y) (z)} or {PtIV(u) (v) (w) (x) (y) (z)}.例文帳に追加

下記の構造式1または2で表わされ、化学式{PtII(w)(x)(y)(z)}または{PtIV(u)(v)(w)(x)(y)(z)}を持つハイブリダイゼーションに用いる核酸プローブ標式用のPt含有化合物である。 - 特許庁

The positive electrode has a positive electrode active material, containing a lithium-iron-phosphorus complex oxide Li_yFe_1-zM_zPO_4 that has an olivine structure.例文帳に追加

正極は、オリビン構造をなすリチウム鉄リン複合酸化物Li_y Fe_1-z M_z PO_4を含む正極活物質を有している。 - 特許庁

Preferably, (P) has a structure obtained by alternately chemically bonding an amino acid sequence containing an interstitial amino acid sequences (Z) and (Y) at both the terminals of (X).例文帳に追加

(P)が、(X)の両端に介在アミノ酸配列(Z)を含むアミノ酸配列と(Y)とが交互に化学結合してなる構造を有することが好ましい。 - 特許庁

Tenth stage stator vanes of the compressor comprise airfoil profiles substantially in accordance with Cartesian coordinate values of X, Y and Z set forth in inches in Table I, wherein Z coordinate values are perpendicular distances from planes normal to a radius from the compressor centerline and containing the X and Y values with the Z value commencing at zero in the X, Y planes at a radial aerodynamic section of the airfoil.例文帳に追加

圧縮機の第10段固定子羽根は、表Iにインチ単位で記載されるX、Y及びZのデカルト座標値にほぼ従ったエーロフォイルプロファイルを具備し、Z座標値が圧縮機中心線からの半径に対して垂直であり且つX値及びY値を含む平面からの垂直距離であり、Z値がX,Y平面においてエーロフォイルの半径方向空力部分を0として始まる。 - 特許庁

例文

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

TFTに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜(SiN_X B_Y O_Z )をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

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