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a mis-typeとは 意味・読み方・使い方
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「a mis-type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 188件
The semiconductor device includes an n-type MIS transistor and a p-type MIS transistor.例文帳に追加
半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタ及びｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁
A semiconductor device includes the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加
半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁
An n-type MIS transistor Q_1 and a p-type MIS transistor Q_2 are fabricated on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板１上にｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1およびｐ型ＭＩＳトランジスタＱ_2を形成する。 - 特許庁
In a CMIS element comprising an n-type MIS element and a p-type MIS element, in the n-type MIS element, a gate electrode 10 composed of a silicon nitride tantalic film is formed on a gate insulating film 9 composed of a hafnium aluminate film in the n-type MIS element.例文帳に追加
ｎ型ＭＩＳ素子とｐ型ＭＩＳ素子を備えるＣＭＩＳ素子において、ｎ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上にケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１０を形成する。 - 特許庁
To solve the problem: it is difficult to establish compatibility between the high reliability of an n-type MIS transistor and the high performance of a p-type MIS transistor when a sidewall width is the same in the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加
ｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタとにおいてサイドウォール幅が同一である場合、ｎ型ＭＩＳトランジスタの高信頼性とｐ型ＭＩＳトランジスタの高性能化を両立させることは難しい。 - 特許庁
To easily achieve a semiconductor device including complementary type MIS transistors having improved characteristics of a p-type MIS transistor and an n-type MIS transistor.例文帳に追加
ｐ型ＭＩＳトランジスタ及びｎ型ＭＩＳトランジスタの特性を向上した相補型ＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。 - 特許庁
To acquire a drain current of a p-type MIS transistor and to decrease a leakage current of a gate insulating film of an n-type MIS transistor.例文帳に追加
Ｐ型ＭＩＳトランジスタのドレイン電流を確保し、かつＮ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜のリーク電流を低下する。 - 特許庁
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「a mis-type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 188件
The memory n-type MIS transistor QM1 has a channel area smaller than that of the logic n-type MIS transistor QL1.例文帳に追加
また、メモリ用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＭ１は、ロジック用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＬ１よりもチャネル面積が小さい。 - 特許庁
In the DRAM cell, a planar type MIS capacitor (NQ) is used.例文帳に追加
ＤＲＡＭセルにおいては、プレーナ型ＭＩＳキャパシタ（ＮＱ）を用いる。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device comprising a low resistance p-type MIS element, a low resistance n-type MIS element, and a high resistance MIS element wherein off leak current can be suppressed easily in these MIS elements; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
低抵抗Ｐ型ＭＩＳ素子、低抵抗Ｎ型ＭＩＳ素子、および高抵抗ＭＩＳ素子を備え、これらのＭＩＳ素子でのオフリーク電流を抑え易い半導体装置、およびその製造方法を得ること。 - 特許庁
A p-type well PW is formed with common use of an n-channel low voltage resistance MIS in a low voltage resistance MIS region, and a well of an n-channel low voltage resistance MIS in an intermediate voltage resistance MIS region.例文帳に追加
低耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の低耐圧ＭＩＳと中耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の低耐圧ＭＩＳのウエルを共用化し、Ｐ型ウエルＰＷとする。 - 特許庁
To provide an MIS-type FET which has low resistance, and is suitable for miniaturizing, easy to manufacture and proper for fine type whose gate length is approximately 0.2 μm or less and an SOI structure, and a method for manufacturing a semiconductor device of such an MIS-type FET or the like.例文帳に追加
低抵抗で、微細化に適し、製造が容易で、ゲート長が概ね0.2μm以下の微細な形式やSOI構造のものに好適なMIS型FET、及び、このようなMIS型FET等の半導体装置を製造する製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an appropriate method of manufacturing a semiconductor device that integrates a fin-type MIS transistor, a planar-type MIS transistor, and a resistance element.例文帳に追加
フィン型ＭＩＳトランジスタ、プレーナ型ＭＩＳトランジスタ及び抵抗素子を集積化した半導体装置において、的確な製造方法を提供する。 - 特許庁
To easily manufacture a light emitting element which has a MIS type structure and high luminous efficiency.例文帳に追加
発光効率が高いＭＩＳ形構造素子を簡単に製作できる。 - 特許庁
To actualize an n-type, a p-type MIS transistor having a low threshold voltage by increasing the effective work function of the p-type MIS transistor, while suppressing thickening of the converted film thickness of an oxide film of a gate insulating film of the p-type MIS transistor.例文帳に追加
ｐ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜の酸化膜換算膜厚の厚膜化を抑制しつつ、ｐ型ＭＩＳトランジスタの実効仕事関数を増加させて、低閾値電圧を有するｎ型，ｐ型ＭＩＳトランジスタを実現する。 - 特許庁
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