anomalous positionとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for controlling magnetostrictive position sensors and capable of preventing both noise by software and the occurrence of anomalous operation without impacting a servo motor etc.例文帳に追加

ソフト的にノイズを阻止し、サーボモータ等に衝撃を与えず、異常動作の発生を防止できる磁歪式位置センサの制御方法を提供。 - 特許庁

In the case that the present speed data is smaller than the limit speed data, an anomalous data counter is set at zero (S16), and present data is stored as position data (S17).例文帳に追加

現在速度データが限界速度データより小さい場合は、異常データカウンタをゼロとし（Ｓ１６）現在データを位置データとして保存する（Ｓ１７）。 - 特許庁

To provide a mechanism of allowing an photographer to check an influence by an anomalous pixel of a still image before photographing the still image when a high-definition still image is photographed in an appropriate position and timing along with an observation of a moving object in moving image photographing, for example.例文帳に追加

例えば動画撮影で動く物体を観察しながら適切な位置とタイミングを見計らって高精細な静止画を撮影するような場合に、静止画の撮影前に予め静止画の特異画素による影響を撮像前に撮影者に確認させる仕組みを提供する。 - 特許庁

To provide a positron emission tomograph for finding the position of anomalous tissue such as cancer cells with satisfactory positional accuracy by effectively discriminating a photoelectric effect phenomenon from a Compton scatter phenomenon to detect only light emission (Cherenkov light) caused by charged particles generated by a photoelectric effect, and moreover simplifying data collection and an analysis mechanism.例文帳に追加

光電効果事象をコンプトン散乱事象から有効に識別し、光電効果により発生した荷電粒子による発光（チェレンコフ光）のみを検出することで、位置精度良く癌細胞などの異常組織の位置を発見することができ、しかもデータ収集及び解析機構を簡素化することができる陽電子放出断層撮像装置を提供する。 - 特許庁

This positron emission tomograph is provided with a plurality of γ-ray detection means around an object under measurement and used for detecting γ-rays by the respective detection means to detect the position of the anomalous tissue existing in the object, the γ-rays being generated in the object by positron-rich nuclei given to the object.例文帳に追加

γ線検出手段が被測定物の周囲に複数個設けられ、被測定物に投与された陽電子過剰核によって被測定物中で発生したγ線を、各γ線検出手段で検出して、被測定物内に存在する異常組織の位置を検出する陽電子放出断層撮像装置に関する。 - 特許庁

To enhance reliability and productivity of semiconductor devices by preventing anomalous electrostatic charging of a circuit pattern, and controlling electrostatic charge voltage to a desired value uniformly in an electron-beam irradiation region in a method of inspecting the position and the type of defect on a wafer having a circuit pattern using a charged-particle beam during a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

荷電粒子線を用いて、半導体製造工程途中の回路パターンを持つウエハ上の欠陥の位置や種類を検査する方法において、回路パターンの異常な帯電を防ぎ、電子線照射領域を均一に、所望の帯電電圧に制御し、半導体装置の信頼性および生産性を高める。 - 特許庁