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「atom concentration」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 129件
The carbon atom concentration is lower than the Ni atom concentration in the surface side of the electrode layer 16.例文帳に追加
電極層１６の表面側においてＣ原子濃度はＮｉ原子濃度よりも小さい。 - 特許庁
The hydrogen atom concentration of the hard carbon thin film is ≤1atom.%.例文帳に追加
硬質炭素薄膜の水素原子濃度が１原子％以下である。 - 特許庁
The PBT contains titanium in a concentration of ≤90 ppm as titanium atom, and cobalt in a concentration of 0.06-4 ppm as cobalt atom.例文帳に追加
チタンを含有し且つその濃度がチタン原子として９０ｐｐｍ以下であり、コバルトの濃度がコバルト原子として０．０６〜４ｐｐｍであるＰＢＴ。 - 特許庁
The doped nitrogen concentration is in the range of 0.5×10^13 atom/cm^3 to 3×10^15 atom/cm^3.例文帳に追加
ドープされた窒素濃度は０．５×１０^13ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3〜５×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3である。 - 特許庁
The Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer is composed of a laminated Ge atom high-concentration layer and a Ge atom low-concentration layer on a substrate, where the low-concentration layer is laminated on the high-concentration layer.例文帳に追加
基板上に積層されたＧｅ原子高濃度層およびＧｅ原子低濃度層からなり、該高濃度層上に該低濃度層が積層されていることを特徴とするＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層状物。 - 特許庁
Concentration of nitrogen atom at the first peak 91 is higher than that at the second peak 92.例文帳に追加
第１のピーク９１は第２のピーク９２よりも窒素原子の濃度が高い。 - 特許庁
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「atom concentration」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 129件
In the phosphate-based glass body, the ratio of the concentration of fluorine atom and phosphorus atom (fluorine atom concentration/phosphorus atom concentration) in at least a part of the surface is larger than that in the depth 2,000 nm deep from the surface.例文帳に追加
表面の少なくとも一部分において、当該表面におけるフッ素原子とリン原子との濃度比（フッ素原子濃度／リン原子濃度）が、該表面から２０００ｎｍの深さにおけるフッ素原子とリン原子との濃度比（フッ素原子濃度／リン原子濃度）に比べて大きいことを特徴とするリン酸塩系ガラス体。 - 特許庁
The surface part has a portion where an Si concentration is 8-30 atom%, and the critical part has the Si concentration lower than that in the surface part.例文帳に追加
その表面部はＳｉ濃度が８〜３０原子％である部分を有し、臨界部は表面部よりもＳｉ濃度が低い。 - 特許庁
The second layers 30n, 40n have second nitrogen atom concentration larger than the first nitrogen atom concentration, and face one-side surfaces of the tunnel insulation film 30t and the block insulation film 50, respectively.例文帳に追加
第２の層３０ｎ、４０ｎは、第１の窒素原子濃度よりも大きい第２の窒素原子濃度を有し、かつトンネル絶縁膜３０ｔおよびブロック絶縁膜５０の一方に面している。 - 特許庁
Since ferromagnetic atom concentration in the ferromagnetic atom rich layer is higher than that of the recording layer 16, the exchange coupling which acts between the ferromagnetic atom rich layer and recording layer are enhanced remarkably.例文帳に追加
強磁性原子リッチ層は記録層１６よりも強磁性原子濃度が高いため、当該強磁性原子リッチ層と記録層との間で働く交換結合が著しく向上する。 - 特許庁
The second layer 52 is doped with Zn up to the same dopant atom concentration, and is in contact with the first layer.例文帳に追加
第2の層(52)も同じドーパント原子濃度までZnでドーピングされ、第1の層と接触している。 - 特許庁
SiC semiconductor of p-type contains Al and Ti in SiC crystal as impurites, and Ti concentration is equal to or less than Al concentration, based on an atom ratio.例文帳に追加
ＳｉＣ結晶中に不純物としてＡｌとＴｉを含み、原子比でＴｉ濃度≦Ａｌ濃度であるｐ型ＳｉＣ半導体。 - 特許庁
An impurity having an effect on carrier concentration in the oxide semiconductor layer, such as a hydrogen atom or a compound containing a hydrogen atom such as H_2O, may be eliminated.例文帳に追加
酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。 - 特許庁
Impurities included in an oxide semiconductor layer that affect the carrier concentration may be eliminated, such as a hydrogen atom or a compound including a hydrogen atom such as H_2O.例文帳に追加
酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。 - 特許庁
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