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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > atom diffusionの意味・解説 

atom diffusionとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「atom diffusion」の意味

atom diffusion

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「atom diffusion」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 33



例文

METHOD OF OBSERVING ATOM DIFFUSION WITHIN METAL WIRING例文帳に追加

金属配線内原子拡散の観察方法 - 特許庁

The gate dielectric 13 is constituted of an oxide film (SiO_2) and a diffusion prevention film (BN) containing at least a boron atom and a nitrogen atom.例文帳に追加

ゲート絶縁膜13は、酸化膜(SiO_2)と、少なくともボロン原子と窒素原子を含む拡散防止膜(BN)とから構成される。 - 特許庁

Accordingly, diffusion of the Be atom into the active layer increases to increase the drive current.例文帳に追加

そのため、Be原子の活性層への拡散が増加して上記駆動電流が高くなってしまう。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF METAL NANOWIRE BY CONTROLLING DIFFUSION OF ATOM AND METAL NANOWIRE MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

原子の拡散を制御することによる金属ナノワイヤの製造方法およびこの方法により製造する金属ナノワイヤ - 特許庁

To provide a semiconductor device where, comprising a copper wiring, a trace amount of diffusion of a copper atom into a memory housing region is surely prevented.例文帳に追加

銅配線を備え、メモリ収納領域への銅原子の微量の拡散を確実に防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Such a copper wiring is realized by diffusion adding the metallic atom by forming a seed layer of an alloy of copper and a metal except the copper in the copper wiring layer formed on the seed layer, and diffusion adding the silicon atom from the surface of the copper wiring.例文帳に追加

このような銅配線は、シード層上に形成された銅配線層の中に、前記シード層を銅と銅以外の金属との合金により形成することにより、前記金属の原子を拡散添加させ、さらに前記銅配線の表面からシリコン原子を拡散添加することにより実現される。 - 特許庁

例文

To provide depositing method of a barrier film of AsSiN capable of preventing the diffusion of Cu atom into an insulating film on the insulating film with good coverage.例文帳に追加

Cu原子の絶縁膜への拡散を防止できるTaSiNのバリア膜を、絶縁膜上にカバレッジ良く成膜する方法を提供する。 - 特許庁

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「atom diffusion」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 33



例文

The thermal spraying powder contains cobalt alloy particles containing elements having the value of the iron atom diffusion coefficient at 1,100°C being smaller than that of the cobalt element.例文帳に追加

本発明の溶射用粉末は、1100℃における鉄原子拡散係数の値がコバルト元素に比べて小さい元素を含んだコバルト合金粒子を含有する。 - 特許庁

The intermediate layer 18 may contain Zr diffused from the solid electrolyte 16, and the amount of diffusion is 40 atom% at the maximum.例文帳に追加

この中間層18には、固体電解質16から拡散したZrが含まれることがあるが、その拡散量は、最大でも40原子%に抑制される。 - 特許庁

When the atom diffusion phenomenon occurs, the metal atoms are mixed together to form an alloy, so that the bumps of the TCP and the array wiring of the LCD are joined together.例文帳に追加

この原子拡散現象が生じれば互いの金属原子が混ざり合い合金が形成され、TCPのバンプとLCDのアレイ配線とが接合される。 - 特許庁

A diffusion-stop layer 16 is provided between the active layer 14 and the p cover layer 20 so as to suppress the diffusion of Mg-doping atom from the p cover layer to the active layer 14 (the diffusion usually occurs at high growth temperatures to the GaP window layer 22).例文帳に追加

Mgドープ原子がpカバー層20からアクティブ層14へ拡散するのを抑圧するために(この拡散は通常、GaP窓層22に対する高い成長温度の際に発生する)、アクティブ層14とpカバー層20との間に拡散ストップ層16が設けられている。 - 特許庁

The plated member which is formed of a copper-containing metal material plated with gold copper has a metal layer formed of iron or nickel, which prevents the diffusion of a gold atom and a copper atom in the plated film of gold copper, provided between the metal material and a plated layer of gold copper.例文帳に追加

銅を含有する金属部材に金銅メッキを施してなるメッキ部材であって、前記金属部材と金銅メッキからなる層との間に、金銅メッキ中の金原子および銅原子の拡散を防止する鉄またはニッケルからなる金属層を備える。 - 特許庁

Infiltration/diffusion of an atom for constituting a metal phase to/in an Si substrate is prevented, by terminating a dangling bond of the Si existing on a surface of the substrate by an atom-like hydrogen 12, before a metal layer is formed on the substrate contacted with the metal.例文帳に追加

金属が接するSi基板に,金属層を形成する前にSi基板表面に存在するSiの未結合手を原子状水素12によって終端することにより金属相を構成する原子がSi基板中へ侵入・拡散することを防止した。 - 特許庁

This method includes plasma nitriding the surface of the steel material, and then implanting nitrogen ions in the surface, to make the nitrogen concentration of the surface to be 30 atom% or higher, for diffusion treatment causing little film- peeling.例文帳に追加

鉄鋼材料表面を剥離の恐れがない拡散処理として、プラズマ窒化処理し、その後に窒素イオンを注入し、表面の窒素濃度を30原子%以上にする。 - 特許庁

例文

The semiconductor device comprises a wiring part 50 containing copper wirings 16a and 16b and a memory cell part 30 on a semiconductor substrate 1, while in a region surrounding the memory cell part, copper diffusion preventing films 14, 9b, and 13b for preventing diffusion of the copper atom from the wiring part are provided.例文帳に追加

この半導体装置は、半導体基板1上にメモリセル部30と銅配線16a,16bを含む配線部50とを備え、メモリセル部を取り囲む領域に、配線部からの銅原子の拡散を阻止する銅拡散防止膜14,9b,13bとを備える。 - 特許庁

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