atomic layersとは 意味・読み方・使い方

To provide a dry etching method removing a solid material composed of plural constituting elements by one atomic layer or by one molecular layer and capable of controlling the order of the atomic layers or the order of the molecular layers, and to provide a device therefor.例文帳に追加

複数の構成元素からなる固体材料を１原子層又は１分子層ずつ除去して、原子層オーダー又は分子層オーダーの制御が可能なドライエッチング方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

Then, a dopant atomic not selected from group IIIA and group VA is doped into polysilicon channel layers (14, 22) to form the polysilicon channel layers (14, 22).例文帳に追加

そして、IIIＡ族およびＶＡ族から選択されてないドーパント原子が、ポリシリコンチャネル層（１４，２２）を形成するために、ポリシリコンチャネル層（１４，２２）内にドープされる。 - 特許庁

In the protective film for atomic power facilities composed of three layers, the thickness ratio of the intermediate layer and the outer layers is preferably outer layer-intermediate layer-outer layer=2:1:2-1:4:1.例文帳に追加

この３層からなる原発養生用フィルムは、中層と外層との厚さ比が、外層：中層：外層＝２：１：２〜１：４：１が好ましい。 - 特許庁

To provide a precursor for forming a group 4 metal-containing film by deposition of atomic layers, and a method therefor.例文帳に追加

原子層堆積によって、第四族金属含有フィルムを形成する前駆体及び方法を提供する。 - 特許庁

The average thickness of the atoms layers 4a is ≥0.36 nm and that of the atomic layers 4b is ≥0.28 nm.例文帳に追加

読み出し層４を構成する積層膜において、Ｇｄ原子層４ａの平均膜厚を０．３６ｎｍ以上、ＦｅＣｏ原子層４ｂの平均膜厚を０．２８ｎｍ以上とする。 - 特許庁

The novel organic/inorganic-oxide multilayer material is based on single or multiple atomic layers or tungsten oxide, molybdenum oxide or other metal oxide interspersed between organic spacer layers.例文帳に追加

新規な有機／無機酸化物材料は、有機スペーサ層の間に点在する酸化タングステン、酸化モリブデン又は他の金属酸化物の単又は多原子層に基づく。 - 特許庁

The oxide layers are formed within a chamber, and the chamber includes a plurality of processing stations for successively forming atomic layers of oxide along the passes of the flexible substrate.例文帳に追加

該酸化物層はチャンバ内で形成され、該チャンバには、その内部で該軟質基板のパスに沿って酸化物の原子層を逐次形成するための複数の処理ステーションが含まれる。 - 特許庁

A free magnetic layer 6 and second fixed magnetic layers 4c and 8c are formed of CoMnGeSi alloy layers whose composition formulae are expressed by Co_2xMn_x(Ge_1-zSi_z)_y (both of x and y are atomic%, and 3x+y=100 atomic%).例文帳に追加

フリー磁性層６及び第２固定磁性層４ｃ，８ｃが、組成式がＣｏ_２ｘＭｎ_ｘ（Ｇｅ_１—ｚＳｉ_ｚ）_ｙ（ｘ、ｙはいずれも原子％であり、３ｘ＋ｙ＝１００原子％）で表されるＣｏＭｎＧｅＳｉ合金層で形成されている。 - 特許庁