atomic temperatureとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM BY PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE例文帳に追加

低温でプラズマ励起原子膜の成膜によりシリコン酸化膜を成膜する方法 - 特許庁

The silicon nitride film is deposited at a deposition temperature of 400°C or lower by atomic layer deposition, and the plasma nitriding is performed at a temperature equal to or lower than the deposition temperature in the atomic layer deposition.例文帳に追加

窒化珪素膜は、ＡＬＤ法により４００℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ＡＬＤ法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 - 特許庁

To improve the etching resistance of a silicon nitride film formed by low-temperature atomic layer deposition.例文帳に追加

低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁

As compared with a case where the gas dissociation accelerating part 6 does not exist, nitriding reaction proceeds at a lower temperature, since a nitrogen compound gas is dissociated at a lower temperature and atomic hydrogen and atomic nitrogen are formed.例文帳に追加

ガス解離促進部６が存在しない場合と比較して、より低温で窒素化合物ガスが解離し原子状水素と原子状窒素が生成するため、より低温で窒化反応が進行する。 - 特許庁

An element having a larger atomic radius than phosphorus has is used as the impurity added to the low-temperature buffer layer 102.例文帳に追加

低温緩衝層１０２に添加する不純物をリンより原子半径を大とする元素とする。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition (ALD) process for forming a silicon dioxide thin film at low temperature.例文帳に追加

低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

To provide a frequency adjusting method of an atomic oscillator with which a center frequency of the atomic oscillator can be precisely adjusted by uniquely determining the temperature of a gas cell.例文帳に追加

ガスセルの温度を一義的に定めることで原子発振器の中心周波数を微小に調整することができる原子発振器の周波数調整方法を提供する。 - 特許庁

An Nb-Al-Si intermetallic compound containing 20 atomic % Al and 47 atomic % Si, forming a dense alumina protective film on the surface in a high temperature atmosphere and excellent in oxidation resistance, is obtained.例文帳に追加

Alを20原子%、Siを47原子%含有し、高温大気中において表面に緻密なアルミナ保護膜を形成し、耐酸化性に優れるNb-Al-Si系金属間化合物を得る。 - 特許庁