「atomic temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

RUBIDIUM ATOMIC OSCILLATOR AND METHOD FOR COMPENSATING FREQUENCY TEMPERATURE CHARACTERISTIC例文帳に追加

ルビジウム原子発振器及びその周波数温度特性補償方法 - 特許庁

ATOMIC FORCE MICROSCOPE OBSERVATION METHOD OF POLYMERIC MATERIAL AT HIGH TEMPERATURE STATE例文帳に追加

高温状態における高分子材料の原子間力顕微鏡観察方法 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM BY PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE例文帳に追加

低温でプラズマ励起原子膜の成膜によりシリコン酸化膜を成膜する方法 - 特許庁

The silicon nitride film is deposited at a deposition temperature of 400°C or lower by atomic layer deposition, and the plasma nitriding is performed at a temperature equal to or lower than the deposition temperature in the atomic layer deposition.例文帳に追加

窒化珪素膜は、ＡＬＤ法により４００℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ＡＬＤ法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 - 特許庁

To improve the etching resistance of a silicon nitride film formed by low-temperature atomic layer deposition.例文帳に追加

低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁

As compared with a case where the gas dissociation accelerating part 6 does not exist, nitriding reaction proceeds at a lower temperature, since a nitrogen compound gas is dissociated at a lower temperature and atomic hydrogen and atomic nitrogen are formed.例文帳に追加

ガス解離促進部６が存在しない場合と比較して、より低温で窒素化合物ガスが解離し原子状水素と原子状窒素が生成するため、より低温で窒化反応が進行する。 - 特許庁

An element having a larger atomic radius than phosphorus has is used as the impurity added to the low-temperature buffer layer 102.例文帳に追加

低温緩衝層１０２に添加する不純物をリンより原子半径を大とする元素とする。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition (ALD) process for forming a silicon dioxide thin film at low temperature.例文帳に追加

低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

To provide a frequency adjusting method of an atomic oscillator with which a center frequency of the atomic oscillator can be precisely adjusted by uniquely determining the temperature of a gas cell.例文帳に追加

ガスセルの温度を一義的に定めることで原子発振器の中心周波数を微小に調整することができる原子発振器の周波数調整方法を提供する。 - 特許庁

An Nb-Al-Si intermetallic compound containing 20 atomic % Al and 47 atomic % Si, forming a dense alumina protective film on the surface in a high temperature atmosphere and excellent in oxidation resistance, is obtained.例文帳に追加

Alを20原子%、Siを47原子%含有し、高温大気中において表面に緻密なアルミナ保護膜を形成し、耐酸化性に優れるNb-Al-Si系金属間化合物を得る。 - 特許庁

The bearing for high temperature is formed from Ni_3(Si, Ti) series intermetallic compound alloy containing B of 25-500 wt ppm based on the total weight of the composition of the total 100 atomic% containing Ni as the main component and Si: 7.5-12.5 atomic%, Ti: 4.5-10.5 atomic%, Nb: 0-3 atomic% and Cr: 0-3 atomic%.例文帳に追加

本発明によれば，Ｎｉを主成分とし且つＳｉ：７．５〜１２．５原子％，Ｔｉ：４．５〜１０．５原子％，Ｎｂ：０〜３原子％，Ｃｒ：０〜３原子％を含む合計１００原子％の組成の合計重量に対してＢ：２５〜５００重量ｐｐｍを含むＮｉ_3（Ｓｉ，Ｔｉ）系金属間化合物合金で形成された高温用軸受が提供される。 - 特許庁

By placing a material with low atomic number among the materials constituting the clad of the heat reception plate 4 on the high temperature material 3 side, mixing of metal atoms of high atomic numbers due to spattering to the high temperature material 3 can be reduced.例文帳に追加

また、受熱板４のクラッド材を構成する材料のうち、低原子番号の材料を高温物質３側に設置することにより、高温物質３へのスパッタリングによる高原子番号の金属原子の混入を低減できる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING NITRIDE FILM FORMED BY LOW-TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR ETCH-STOP LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

低温原子層蒸着による窒化膜をエッチング阻止層として利用する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

To suppress the consumed electric energy of a high accuracy reference oscillator such as an atomic oscillator and a constant temperature oven controlled crystal oscillator.例文帳に追加

原子発振器や恒温槽制御水晶発振器等の高精度基準発振器の消費電力量を抑える。 - 特許庁

The atomic layer of second species may be deposited at nearly the optimum temperature for deposition of the second species different from the optimum temperature of the first species on the first species.例文帳に追加

第２スピーシは、前記第１スピーシ上に、第１スピーシの最適温度とは異なる第２スピーシの堆積のためのほぼ最適温度において、原子層堆積されてもよい。 - 特許庁

To provide a process of atomic layer deposition (ALD) to form a silicon dioxide thin film at low temperature under various conditions.例文帳に追加

種々の状況において低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

It is constituted to return feedwater to a boiler after generating power by a turbine for atomic power by feeding water to the turbine for atomic power at the stage where the turbine for atomic power rises up to pressure/ temperature to be operated at before raising the feedwater to final pressure/ temperature at the time of returning the final feedwater of a thermal power plant to the boiler.例文帳に追加

火力発電所の最終給水をボイラーに返すにあたり、前記給水を最終的な圧力／温度に上げる前に、原子力用タービンが稼動できる圧力／温度までに上昇した段階で、前記原子力用タービンに供給し、前記原子力用タービンで発電を行ってから給水を前記ボイラーに返す構成とする。 - 特許庁

The deposition temperature in the first process can be made lower than the deposition temperature in the second process, as the vapor phase deposition technology, for example, an atomic layer deposition method is used.例文帳に追加

第１の工程における成膜温度を、第２の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator that stably exerts desired characteristics by maintaining a gas cell and a light emission section in a predetermined temperature range irrespective of environmental temperature.例文帳に追加

環境温度に関わらず、ガスセルおよび光出射部を所定温度範囲に保つことができ、安定して所望の特性を発揮することのできる原子発振器を提供すること。 - 特許庁

To generate a temperature gradient inside a cell with an appropriate timing in order to suppress an atomic deposition in a region irradiated with light.例文帳に追加

光の照射される領域に原子が析出することを抑制するために、適切なタイミングでセル内部に温度勾配を発生させる。 - 特許庁

To provide an optical system of an atomic oscillator wherein the length of a gas cell is made flexible and a temperature distribution of the gas cell is made uniform.例文帳に追加

ガスセルの長さにフレキシビリティを持たすと共に、ガスセルの温度分布の均一化を実現した原子発振器の光学系を提供する。 - 特許庁

To provide a rubidium atomic oscillator, wherein the generated heat from the oscillator self is drastically reduced so as to be able to use a constant temperature bath attached crystal oscillator on market the specification of a high temperature side of which is 70°C MAX.例文帳に追加

ルビジウム原子発振器自体の発熱を大幅に低減し、高温側の仕様が７０℃ＭＡＸである市販の恒温槽付き水晶発振器の使用を可能とすることができる。 - 特許庁

Thereby, the method makes diversifisication of usable precursors compatible with forming the superior atomic layer of metal oxide at a low temperature.例文帳に追加

従って、本発明によれば、使用可能な前駆体の多様化と低温で優れた金属酸化物の原子層を形成させることの両立が図られる。 - 特許庁

The cooling medium, which is heated in the reactor core 1 of the atomic reactor to a high temperature, is introduced into a heat exchanger 9 to transfer the heat to a supercritical pressure hydrogen manufacturing system 5.例文帳に追加

原子炉炉心１により加熱され高温となった冷却材を熱交換器９に導き、超臨界圧水素製造系５に熱を伝えさせる。 - 特許庁

The deposition method can also be made to have a process step of depositing the atomic layer of first species at a temperature nearly optimum for deposition of the first species on the substrate.例文帳に追加

堆積方法はまた、基板上に、第１スピーシの堆積にほぼ最適な温度で、第１スピーシを原子層堆積する工程を有することができる。 - 特許庁

Metal atoms are adsorbed onto the carbon material, and activation energy for atomization is determined through temperature change measurement of a graphite furnace atomic absorption signal of the atoms.例文帳に追加

炭素材料に金属原子を吸着させ、その原子の黒鉛炉原子吸光信号の温度変化測定を通して原子化の活性エネルギーを求める。 - 特許庁

A method is disclosed that uses a low temperature atomic layer deposition (ALD) process to manufacture an Sr_xTi_yO_3 based metal-insulator-metal (MIM) capacitor.例文帳に追加

低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。 - 特許庁

The locking member 14 has smaller sensitivity to stress corrosion cracks in the high temperature and high pressure water in a commercial atomic power reactor.例文帳に追加

ロック部材１４は、商業的な原子力発電炉の高温、高圧水の中において応力腐食割れに対してより小さい感受性を有する。 - 特許庁

To easily remove a deposit deposited in a device without increasing temperature, in a device for growing an atomic layer for forming, for instance, an alumina film, assuming a low-temperature process around 300°C at most.例文帳に追加

高々３００℃程度の低温処理を前提とされた例えばアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物を、高温にすることなく容易に除去できるようにする。 - 特許庁

It can make contribution to solve destruction of environment, desertification, warm temperature trend, and destruction of ecosystem by atomic power generation and thermal power generation in the areas in the world where the electric power is not yet spread.例文帳に追加

電力の普及しいていなし世界各地や、原子力発電、火力発電などによる、環境破壊、砂漠化、温暖化、生態系破壊などの解決に寄与できる。 - 特許庁

Instead of measuring the position near the surface of the semiconductor device by using the tunnel current phenomenon, the position near the surface can be measured by using an atomic force, a temperature or light.例文帳に追加

トンネル電流を用いて半導体装置表面の上部の近接位置を測定する代わりに原子間力、温度、光を用いても近接位置の測定は可能である。 - 特許庁

The atomic carbon used in the snow melting agent is obtained by heating an organic substance in a non-oxygenic atmosphere at a predetermined temperature and thermally decomposing components except carbon in the atmosphere and the organic substance one by one from the components having lower decomposition temperature at a temperature of ≤600°C to individually separate the components.例文帳に追加

融雪剤に用いられる原子状炭素は、有機物を無酸素雰囲気において所定の温度で加熱し、前記雰囲気中及び有機物中の炭素以外の成分を、６００℃以下の温度において分解温度の低いものから順次熱分解させて個別的に遊離させて得られる。 - 特許庁

To suppress occurrence of deposits deposited inside an apparatus, relating to an atomic layer deposition apparatus for forming an alumina film which is based on the premise of low temperature treatment around 300°C.例文帳に追加

高々３００℃程度の低温処理を前提とされたアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物の発生が抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a rubidium atomic oscillator that can reach a steady-state with a quick rise characteristic in a short shift time by quickly bringing its gas cell to a stable temperature when the oscillator is started from stop.例文帳に追加

ルビジウム原子発振器では、停止状態から起動したとき、急速にガスセルの安定温度に到達させ、素早い立ち上がり特性で通常状態への移行時間を短くする。 - 特許庁

To provide a method for analyzing molecular motion of the whole or some of molecules in a crystal, by using isotropic temperature factors and atomic coordinates obtained by a crystal structure analysis.例文帳に追加

結晶構造解析により得られる原子座標と等方性温度因子を用いて結晶内の分子全体又その一部の分子の分子運動を解析するための手段の提供。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator whose temperature can be easily and correctly controlled at a quantum level by storing a light detection output value at a resonant frequency when there is no CPT resonance in order to control the temperature of a gas cell constant, and controlling the temperature so that a current light intensity may be the same as the light detection output value stored when correcting the temperature.例文帳に追加

ガスセルの温度を一定に制御するために、ＣＰＴ共振がないときの共鳴周波数における光検出出力値を記憶しておき、温度補正時に記憶した光検出出力値になるように温度制御することにより、簡単に且つ正確に量子レベルでの温度制御を可能とした原子発振器を提供する。 - 特許庁

In the rubidium atomic oscillator, a part of a lamp house therein is raised locally to high temperatures by semiconductor elements (heating elements such as TR and three-terminal regulator) in the prior art and the temperature is monitored to control the heating temperature of the semiconductor, thereby keeping a Rb lamp settled in the lamp house at a constant temperature of about 100°C.例文帳に追加

ルビジウム原子発振器内のランプハウスおいて、従来は半導体素子（ＴＲや３端子レギュレータなどの発熱体）によりランプハウスの一部を局所的に高温にし、温度を監視し半導体の発熱温度をコントロールしてランプハウス内部に設置されたＲｂランプを１００℃程度の温度に一定にしていた。 - 特許庁

This hydrocarbon-based fuel composition has ≥89 octane number by a research method, ≤15 vol.% aromatic component, ≤1 ppm sulfur content, 5 % distillation temperature of ≥25°C, 50% distillation temperature of ≥75°C to ≤100°C, 95% distillation temperature of ≤190°C and ≤2.0 atomic ratio (H/C ratio) of hydrogen to carbon.例文帳に追加

本発明による炭化水素系燃料組成物は、リサーチ法オクタン価が８９以上、芳香族分が１５容量％以下、硫黄分が１ｐｐｍ以下、５％留出温度が２５℃以上、５０％留出温度が７５℃以上１００℃以下、９５％留出温度が１９０℃以下、かつ、水素と炭素の原子比（Ｈ／Ｃ比）が２．０以下である。 - 特許庁

The temperature control calculator 13 controls the temperatures of the molecular beam generators 10a/10b, so that a measurement result of the atomic absorptive film-formation monitor 8 becomes the control target value of the atomic absorptive film-formation monitor 8 calculated from a remaining amount of a molecular beam source calculated from measurement results of the vacuum gauges 14a/14b.例文帳に追加

温度制御演算器１３は、原子吸光式成膜モニタ８の測定結果が、真空計１４ａ・１４ｂの測定結果から算出した分子線源の残量より算出した原子吸光式成膜モニタ８の制御目標値となるように、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal compound oxide, with which the metal compound oxide with a desired structure is obtained more efficiently at a lower temperature, while more retaining the atomic arrangement of a precursor, by making the same into ceramic.例文帳に追加

前駆体の原子配置をより維持したままセラミックス化し、所望の構造の金属複合酸化物をより効率的に、より低温で得る金属複合酸化物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To control the concentration of atomic oxygen O in a wafer-laminating direction, and equalize the film thickness distribution of an oxide film in the wafer-laminating direction at a low temperature of e.g. ≥500°C and ≤700°C.例文帳に追加

例えば５００℃以上７００℃以下の低温において、原子状酸素Ｏの濃度をウエハ積層方向に渡りコントロールし、酸化膜の膜厚分布をウエハ積層方向に渡り均等化する。 - 特許庁

The normal temperature magnetic ferroelectric superlattice is constituted by layering at least two kinds of ferroelectric oxide thin films on a substrate, wherein the oxide thin film of each layer is composed of an odd number of atomic layers.例文帳に追加

基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 - 特許庁

The method for forming the semiconductor structure includes reacting a silicon precursor and an atomic oxygen precursor at a processing temperature of about 150°C or less to form a silicon oxide layer over a substrate.例文帳に追加

半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。 - 特許庁

The method provides the influence of factors like pH, temperature, viscosity and ionic nature of media along with atomic and molecular properties indicating chemical and therapeutic values of foods and medicines of natural and synthetic nature.例文帳に追加

天然および合成性の食品および医薬品の化学的および治療的価値を示す原子および分子属性とともに、pH、温度、粘性および媒質のイオン性といった因子の影響を提供する。 - 特許庁

In the conventional rubidium atomic oscillator, a part of the cavity of an optical microwave unit(OMU) has to be raised locally to high temperatures by semiconductor elements (heating elements such as TR and three-terminal regulator) in the prior art and hence the temperature is monitored to control the heating temperature of the semiconductor, thereby keeping a gas cell settled in the cavity at a constant temperature of about 100°C.例文帳に追加

ルビジウム原子発振器内の光マイクロ波ユニット（ＯＭＵ）おいて、従来は半導体素子（ＴＲや３端子レギュレータなどの発熱体）によりキャビティーの一部を局所的に高温にし、温度を監視し半導体の発熱温度をコントロールしてキャビティー内部に設置されたガスセルを１００℃程度の温度に一定にしていた。 - 特許庁