atomic targetとは 意味・読み方・使い方

By sputtering the sputtering target in the argon atmosphere, a protective film for an optical disk in which the atomic ratio of O and C is in a range of 1.0 : 0.5 to 1.7 : 0.17 when the atomic ratio of Si is set to be 1.0.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタリングすることにより、Ｓｉの原子数比を１．０としたとき、Ｏ及びＣの原子数比が１．０：０．５〜１．７：０．１７の範囲にある光ディスク用保護膜を得ることができる。 - 特許庁

This Ta target for film-forming a barrier material is the one in which the powder of one or ≥ two kinds among (C, B, Ir, W, Ge, CeO2 and RuO2) of ≤49 atomic% and Ta powder of ≥51 atomic% are sintered.例文帳に追加

本発明は、４９原子％以下の（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ__2、ＲｕＯ_2）の１種または２種以上の粉末と、５１原子％以上のＴａ粉末とが焼結してなるバリア材成膜用Ｔａ系ターゲットである。 - 特許庁

Moreover, the sputter target is further comprised of 0 to 7 atomic percent X_3, wherein X_3 is an element selected from the group consisting of Ti, V, Zr, Nb, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta, and Ir.例文帳に追加

スパッタターゲットは、更に０〜７原子パーセントまでのＸ_3を含み、前記Ｘ_3が、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ及びＩｒからなるグループから選択された１つの元素である。 - 特許庁

As the target material is formed by the metal silicon mixed with the metal whose atomic number is ≤11 like this, the resistivity can be decreased.例文帳に追加

このように、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンでターゲット材が形成されているため、抵抗率を低下させることができる。 - 特許庁

One manufacturing method of the InSbO_4-contained transparent conductive membrane is to sputter simultaneously a target comprising a sintered compact consisting of In, Sb, and O with an atomic ratio of 1:0.9 to 1.1 for In:Sb, and a target consisting of Sb.例文帳に追加

ＩｎとＳｂとＯからなり原子比Ｉｎ：Ｓｂが１：０．９〜１．１である焼結体からなるターゲットとＳｂからなるターゲットとを同時にスパッタすることによるＩｎＳｂＯ_4含有導透明電性膜の製造方法。 - 特許庁

Further, another manufacturing method of the INSbO_4-contained transparent conductive membrane is to sputter simultaneously a target consisting of Sn and/or Hf, In, Sb and O with an atomic ratio of 1:0.9 to 1.1 for In:Sb, and a target consisting of Sb.例文帳に追加

Ｓｎおよび／またはＨｆとＩｎとＳｂとＯからなり原子比Ｉｎ：Ｓｂが１：０．９〜１．１であるターゲットとＳｂからなるターゲットを同時にスパッタするＩｎＳｂＯ_4含有導透明電性膜の製造方法。 - 特許庁

The target is provided with a target material 11 containing at least one kind among the groups consisting of Ni, Cu, Sn, Ag, Al and Co by 0.01 to 1 atomic %, and the balance substantially Si and a backing plate 12 supporting the target material 11.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも１種を０．０１原子％以上１原子％以下含有し残部が実質的にＳｉからなるターゲット材１１と、前記ターゲット材１１を支持するパッキングプレート１２とを具備する事を特徴とするターゲット。 - 特許庁

The high-strength sputtering target has a composition containing, by atomic %, 10 to 30% Ge, 10 to 25% Sb, and 0.5 to 5% Ti, and consists of the balance Te and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１０〜３０％、Ｓｂ：１０〜２５％、Ｔｉ：０．５〜５を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する高強度スパッタリングターゲット。 - 特許庁