「atomic target」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A compound with a specific structure comprises an oligonucleotide having a labeled atomic group and a sequence hybridizable to a target.例文帳に追加

標識された原子団を有し、標的とハイブリッド形成可能な配列を持つオリゴヌクレオチドを含む、特定の構造を有する化合物。 - 特許庁

When the target is irradiated with laser beams, the noble metal source and the NOx storage material source are mixed with each other on the atomic levels in ionized states or neutral particle states and the obtained mixture is then mixed with the carrier oxide source on the atomic levels.例文帳に追加

レーザー照射によって貴金属源とNO_x 吸蔵材源とはイオン状態あるいは中性粒子状態で原子レベルで混合され、それが原子レベルで担体酸化物源と混合されることになる。 - 特許庁

By sputtering the sputtering target in the argon atmosphere, a protective film for an optical disk in which the atomic ratio of O and C is in a range of 1.0 : 0.5 to 1.7 : 0.17 when the atomic ratio of Si is set to be 1.0.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタリングすることにより、Ｓｉの原子数比を１．０としたとき、Ｏ及びＣの原子数比が１．０：０．５〜１．７：０．１７の範囲にある光ディスク用保護膜を得ることができる。 - 特許庁

This Ta target for film-forming a barrier material is the one in which the powder of one or ≥ two kinds among (C, B, Ir, W, Ge, CeO2 and RuO2) of ≤49 atomic% and Ta powder of ≥51 atomic% are sintered.例文帳に追加

本発明は、４９原子％以下の（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ__2、ＲｕＯ_2）の１種または２種以上の粉末と、５１原子％以上のＴａ粉末とが焼結してなるバリア材成膜用Ｔａ系ターゲットである。 - 特許庁

Moreover, the sputter target is further comprised of 0 to 7 atomic percent X_3, wherein X_3 is an element selected from the group consisting of Ti, V, Zr, Nb, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta, and Ir.例文帳に追加

スパッタターゲットは、更に０〜７原子パーセントまでのＸ_3を含み、前記Ｘ_3が、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ及びＩｒからなるグループから選択された１つの元素である。 - 特許庁

As the target material is formed by the metal silicon mixed with the metal whose atomic number is ≤11 like this, the resistivity can be decreased.例文帳に追加

このように、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンでターゲット材が形成されているため、抵抗率を低下させることができる。 - 特許庁

One manufacturing method of the InSbO_4-contained transparent conductive membrane is to sputter simultaneously a target comprising a sintered compact consisting of In, Sb, and O with an atomic ratio of 1:0.9 to 1.1 for In:Sb, and a target consisting of Sb.例文帳に追加

ＩｎとＳｂとＯからなり原子比Ｉｎ：Ｓｂが１：０．９〜１．１である焼結体からなるターゲットとＳｂからなるターゲットとを同時にスパッタすることによるＩｎＳｂＯ_4含有導透明電性膜の製造方法。 - 特許庁

Further, another manufacturing method of the INSbO_4-contained transparent conductive membrane is to sputter simultaneously a target consisting of Sn and/or Hf, In, Sb and O with an atomic ratio of 1:0.9 to 1.1 for In:Sb, and a target consisting of Sb.例文帳に追加

Ｓｎおよび／またはＨｆとＩｎとＳｂとＯからなり原子比Ｉｎ：Ｓｂが１：０．９〜１．１であるターゲットとＳｂからなるターゲットを同時にスパッタするＩｎＳｂＯ_4含有導透明電性膜の製造方法。 - 特許庁

The target is provided with a target material 11 containing at least one kind among the groups consisting of Ni, Cu, Sn, Ag, Al and Co by 0.01 to 1 atomic %, and the balance substantially Si and a backing plate 12 supporting the target material 11.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも１種を０．０１原子％以上１原子％以下含有し残部が実質的にＳｉからなるターゲット材１１と、前記ターゲット材１１を支持するパッキングプレート１２とを具備する事を特徴とするターゲット。 - 特許庁

The high-strength sputtering target has a composition containing, by atomic %, 10 to 30% Ge, 10 to 25% Sb, and 0.5 to 5% Ti, and consists of the balance Te and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１０〜３０％、Ｓｂ：１０〜２５％、Ｔｉ：０．５〜５を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する高強度スパッタリングターゲット。 - 特許庁

This target has a composition, by atomic%, 20-30% Ge, 20-30% Sb, 0.3-1.5% oxygen and the balance Te with unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：２０〜３０％、Ｓｂ：２０〜３０％を含有し、酸素：０．３〜１．５％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する。 - 特許庁

The sintered compact target mainly consists of indium oxide and titanium, in which the content of the titanium is 0.003 to 0.120 in Ti/In atomic ratio and the specific resistance is ≤1 kΩcm.例文帳に追加

主として酸化インジウムからなり、チタンを含み、チタンの含有量がＴi／Ｉｎ原子数比で０．００３〜０．１２０であり、比抵抗が１ｋΩｃｍ以下である。 - 特許庁

By using a sputtering target composed of an ITO sintered compact composed substantially of indium, tin, gallium and oxygen and contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga), an ITO thin film contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga) is formed.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ薄膜を形成する。 - 特許庁

The sputtering target is composed of at least either of high- purity Ta and high-purity TaN and contains high-purity Ta and N in amounts of ≤2 atomic %, and Cu content in the target-constituting material is regulated to ≤50 ppm.例文帳に追加

高純度Ｔａ、窒素を2at%以下の範囲で含有する高純度Ｔａ、および高純度ＴａＮから選ばれる少なくとも1種からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット構成材料中のＣｕ含有量を50ppm以下とする。 - 特許庁

A far-infrared pulse laser beam is made to enter a target, consisting of a low atomic number substance, thereby high-speed electrons caused by resonance absorption phenomenon is generated; and this high-speed electrons are made to collide with a high atomic number substance, thereby characteristic X-rays of short-pulse high luminance point-like light source is generated.例文帳に追加

遠赤外パルスレーザー光を低原子番号物質からなるターゲットに入射させることにより共鳴吸収現象に起因する高速電子を発生させ、該高速電子を高原子番号物質に衝突させることにより、短パルス高輝度点光源の特性Ｘ線を発生させる。 - 特許庁

The target can be obtd., e.g. by subjecting the powder of one or ≥ two kinds among (C, B, Ir, W, Ge, CeO2 and RuO2) of ≤49 atomic% and Ta powder of ≥51 atomic% to pressure sintering at ≥700°C under ≥50 MPa.例文帳に追加

本発明のターゲットは、たとえば、４９原子％以下の（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ_2、ＲｕＯ_2）の１種または２種以上の粉末と、５１原子％以上のＴａ粉末とを７００℃以上、かつ５０ＭＰａ以上で加圧焼結を行うことにより得ることができる。 - 特許庁

In the sintered Cr alloy target material comprising, as additional elements, B of 1 to 20 atomic%, Ti and/or Mo of 5 to 30 atomic%, and the balance substantially Cr, a β-B phase is not substantially present in the structure.例文帳に追加

添加元素として、Ｂを１〜２０原子％、Ｔｉおよび／またはＭｏを５〜３０原子％含有する残部実質的にＣｒからなる焼結Ｃｒ合金ターゲット材であって、該ターゲット材の組織中に実質的にβ−Ｂ相が存在しないＣｒ合金ターゲット材である。 - 特許庁

The sputtering target for forming the protective film of the optical recording medium is the sintered compact which has a composition comprising 10-30 atomic% silicon dioxide, 0.01-10 atomic% argon, nitrogen or a mixture thereof and the balance being zinc sulfide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０原子％、アルゴン、窒素、またはアルゴンおよび窒素の混合成分：０．０１〜１０原子％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする高速スパッタリングが可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

Combination and reference intensities of a neutral atomic beam and an ion beam are stored for various elements, and, when a target sample contains such an element (Yes in S3), the intensities of the neutral atomic beam and ion beam originating in the specific element are determined and the intensity ratio is calculated (S4).例文帳に追加

各種元素について中性原子線とイオン線との組み合わせや基準強度を記憶しておき、目的試料がこうした元素を含む場合には（Ｓ３でＹｅｓ）、その特定元素に由来する中性原子線とイオン線との強度を求めてその強度比を算出する（Ｓ４）。 - 特許庁

A metallic sputtering target has a composition substantially expressed by the formula of M_100-zFe_z (M is at least one kind of element selected from Ti, Nb and Ta; and 10≤z≤50 atomic%).例文帳に追加

金属系スパッタリングターゲットは、Ｍ_100-zＦｅ_z（ＭはＴｉ、ＮｂおよびＴａから選ばれる少なくとも1種の元素、10≦ｚ≦50原子％）の式で実質的に表される組成を有する。 - 特許庁

The sputtering target contains, by atomic%, 20 to 40% Ga, 0.05 to 2% Na and 0.025 to 1.0% S, and the balance comprising Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、 さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。 - 特許庁

The plurality of target chips are connected by filling an alloy material having a second composition containing the same constitutive atomic species as those of the first composition in each boundary part.例文帳に追加

これらの複数のターゲット片は、その境界部分に、第１の組成と構成原子種が同一である第２の組成を有する合金材料を充填されることで連結される。 - 特許庁

To provide a cantilever control device preventing the stop of the self-oscillation of a cantilever and the contact of the probe of the cantilever with a measuring target in an atomic force microscope.例文帳に追加

原子間力顕微鏡において、カンチレバーの自励振動の停止を防止でき、カンチレバーの探針が測定対象物と接触することを防止できるカンチレバー制御装置の提供。 - 特許庁

In addition, on the SiO_2 film prepared by the sputtering using the target material in which the purity of the silicon is raised, inclusion of the metal whose atomic number is ≤11 does not decrease the optical characteristics.例文帳に追加

そして、シリコンの純度を高めたターゲット材を用いてスパッタリングで作製したＳｉＯ_２膜について、原子番号が１１以下の金属の含有は光学特性を低下させない。 - 特許庁

The sputtering target discharging a metallic component by collision of an accelerated particle, includes a metal substrate and the target material formed into a film-like shape by thermal spraying a metal silicon mixed with a metal whose atomic number is ≤11 on the surface of the substrate.例文帳に追加

加速粒子の衝突により金属成分を放出するスパッタリングターゲットであって、金属の基材と、前記基材の表面に、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンで溶射により膜状に形成されたターゲット材とを備える。 - 特許庁

A crystalline oxide semiconductor film is formed without plural steps by preferentially depositing zinc having a smaller atomic weight on an oxide insulating film to form a seed crystal containing zinc as well as growing crystal of tin, indium and the like having a larger atomic weight on the seed crystal by use of difference in atomic weight between plural kinds of atoms included in a target for the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, contains Zn, Sn and O, and has atomic ratio of Zn and Sn from 20:80 or more to 80:20 or less.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＯを含有し、ＺｎとＳｎとの原子数比が２０：８０以上８０：２０以下である。 - 特許庁

Alternatively, there is provided the soft magnetic target material consisting of Fe-Ni based alloy, wherein the atomic ratio of Fe:Ni 100: 20:80, and also, one or two selected from Al and Cr are incorporated in an amount of 0.2 to 5 at% is provided.例文帳に追加

また、Ｆｅ−Ｎｉ系合金において、Ｆｅ：Ｎｉのａｔ比が１００：０〜２０：８０とし、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなる軟磁性ターゲット材。 - 特許庁

A gas (Ar gas) having an atomic weight lower than that of an ion emitted from a target material 6 (Cr) is introduced into a furnace 1, and the Ar gas is ionized with a filament electron source 2.例文帳に追加

ターゲット材６（Ｃｒ）より放出されるイオンよりも低原子量のガス（Ａｒガス）を炉１内に導入し、フィラメント電子源２でＡｒガスをイオン化し、基材４にバイアス電圧を印加する。 - 特許庁

There is provided the soft magnetic target material consisting of Fe-Co based alloy, wherein the atomic ratio of Fe:Co is 100:0 to 20:80, and one or two selected from Al and Cr are incorporated in an amount of 0.2 to 5 at%.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が１００：０〜２０：８０とし、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなる軟磁性ターゲット材。 - 特許庁

An oxide based sputtering target has a composition substantially expressed by the formula of (M_1-aFe_a)_100-xO_x(M is at least one kind of element selected from Ti, Nb and Ta; and 0.1≤a≤0.5, and 50≤x≤80 atomic%).例文帳に追加

酸化物系スパッタリングターゲットは、（Ｍ_1-aＦｅ_a）_100-xＯ_x（ＭはＴｉ、ＮｂおよびＴａから選ばれる少なくとも1種の元素、0.1≦ａ≦0.5、50≦ｘ≦80原子％）の式で実質的に表される組成を有する。 - 特許庁

This target is a sintered body consisting of indium and molybdenum, in which molybdenum exists at the rate of 0.003-0.20 by atomic ratio against indium, and of which the relative density of the sintered body is 90% or more.例文帳に追加

インジウムとモリブデンと酸素とからなる焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で０．００３〜０．２０の割合で存在し、焼結体相対密度が９０％以上のものである。 - 特許庁

Also, subject to the level of measured indium concentration, it is possible to use other methods with comparable accuracy (for example, graphite furnace atomic absorption spectrometry for the target concentration)例文帳に追加

なお、作業環境中のインジウム濃度に応じて、下記以外の相当の精度を有する測定方法（例えば目標濃度に対する原子吸光分析(黒鉛炉法)）を使用することも可能である。 - 厚生労働省

The temperature control calculator 13 controls the temperatures of the molecular beam generators 10a/10b, so that a measurement result of the atomic absorptive film-formation monitor 8 becomes the control target value of the atomic absorptive film-formation monitor 8 calculated from a remaining amount of a molecular beam source calculated from measurement results of the vacuum gauges 14a/14b.例文帳に追加

温度制御演算器１３は、原子吸光式成膜モニタ８の測定結果が、真空計１４ａ・１４ｂの測定結果から算出した分子線源の残量より算出した原子吸光式成膜モニタ８の制御目標値となるように、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する。 - 特許庁

An IGZO layer is formed on a substrate by vapor-depositing ions including In, Ga, and Zn from a first target, and the compositional ratio of In of the IGZO layer is turned to be 45 to 80 atomic% by vapor-depositing the ions including In from a second target.例文帳に追加

第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 - 特許庁

Each of a semi-reflective film or a reflective film for an optical information recording medium and an Ag based alloy sputtering target includes an Ag based alloy containing 0.01 to 10 atomic percent of Li.例文帳に追加

Ｌiを０.０１〜１０原子％含有するＡg基合金であることを特徴とする光情報記録媒体用Ａg基合金半透過反射膜、反射膜及び光情報記録媒体用Ａg基合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The target for wiring formation is composed of the Mo-W material having a composition consisting of 25-45 atomic % tungsten and the balance molybdenum with inevitable impurities and prepared, e.g. by integrally compounding tungsten and molybdenum by a powder metallurgy method, a melting method, etc.例文帳に追加

配線形成用ターゲットは、原子パーセントでタングステン25〜 45%、残部モリブデンおよび不可避的不純物よりなり、例えばタングステンとモリブデンを粉末冶金法や溶解法などで複合一体化したＭｏ−Ｗ材からなる。 - 特許庁

In the Co alloy target material for a magnetic recording medium, in a Co alloy target material contains 25 to 90 atomic percent of one or more kinds of elements selected from Nb, Ta, Mo, W and Ti, and the balance substantially Co, an αCo phase or an εCo phase remains in the structure.例文帳に追加

（Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ）から選択される１種以上の元素を２５〜９０原子％含有し、残部実質的にＣｏとからなるＣｏ合金ターゲット材において、ターゲット材の組織中にαＣｏ相あるいはεＣｏ相が残存している磁気記録媒体用Ｃｏ合金ターゲット材である。 - 特許庁

The zinc oxide-based sintered target contains 0.2 to 3 mass% aluminum, sintered density is ≥5.5 g/cm^3, and also, ≥8 atomic% of the aluminum is present in a solid-soluted form.例文帳に追加

アルミニウムを０．２〜３質量％含有する酸化亜鉛系ターゲットであって、焼結密度５．５ｇ／ｃｍ^３以上、且つアルミニウムの内の８原子％以上が、固溶した形態で存在している酸化亜鉛系焼結ターゲットである。 - 特許庁

To provide an NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film which can suppress deterioration in the electrical characteristics caused by electrolytic corrosion and atomic diffusion of a Cu electrode, and can achieve patterning with high precision by wet etching.例文帳に追加

Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材を提供すること。 - 特許庁

Further, the sputtering target for forming the Ni alloy electrode film has a composition composed of 0.5 to 2.0 atomic% W, and the balance Ni with inevitable impurities, and is used for forming an electrode film exposed to repeated heating.例文帳に追加

また、繰返し加熱に曝される電極膜形成用に用いられる０．５〜２．０原子％のＷを含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる組成を有するＮｉ合金電極膜形成用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

A Co alloy target comprising 1 to 10 atomic% of Zr and 1 to 10 atomic% of Nb and/or Ta, the balance being unavoidable impurities and Co, is produced by rapidly solidifying a melt of the Co alloy to produce an alloy powder, classifying the alloy powder to maximum particle size of 500 μm or less, and pressure-sintering the classified alloy powder.例文帳に追加

本発明は、Ｚｒを１〜１０原子％、Ｎｂおよび/またはＴａを１〜１０原子％含有し、残部実質的にＣｏからなるＣｏ合金ターゲット材の製造方法において、該Ｃｏ合金溶湯を急冷凝固処理して合金粉末を作製した後、粉末粒径５００μｍ以下の該合金粉末を加圧焼結するＣｏ合金ターゲット材の製造方法である。 - 特許庁

The interconnection and an electrode for flat panel display using a thin-film transistor having superior adhesiveness, formed by a copper alloy thin film having a composition containing oxygen by 0.4 to 6 atomic%, one or more of Ni, Co and Zn by 0.001 to 3 atomic% in total, and the rest consisting of Cu and unavoidable impurities, and is also relates to a sputtering target for forming interconnections and the electrode.例文帳に追加

酸素：０．４〜６原子％を含有し、さらにＮｉ、ＣｏおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．００１〜３原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The oxide sintered body which is made of indium oxide whose crystal structure is substantially a bixbyite structure, has a gallium atom solid-dissolved in the indium oxide and has an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.10 to 0.15, is used as a target material for sputtering.例文帳に追加

結晶構造が、実質的にビックスバイト構造を示す酸化インジウムからなり、前記酸化インジウムにガリウム原子が固溶しており、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．１０〜０．１５である酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲット材とする。 - 特許庁

The protective film for the optical disk containing In, Ce and O by elemental analysis and having an atomic ratio of In to Ce of 1:0.08 to 0.35 is obtained by using a sputtering target for forming the protective film containing 10 to 40 mass% CeO_2 and the balance In_2O_3.例文帳に追加

ＣｅＯ_2 を１０〜４０質量％含み、残部がＩｎ_2Ｏ_3からなる保護膜形成用スパッタリングターゲットを用いて、元素分析でＩｎと、Ｃｅと、Ｏとを含み、ＩｎとＣｅとの原子比が、１：０．０８〜０．３５である光ディスク用保護膜を得る。 - 特許庁