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au siとは 意味・読み方・使い方
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「au si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 62件
Concretely, a hardened layer mainly made up of an Au-Pd-Si alloy, an Au-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Ge alloy, an Au-Pt-Ge alloy or an Au-Pd-Pt-Ge alloy is formed.例文帳に追加
具体的にはＡｕ−Ｐｄ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｇｅ合金またはＡｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｇｅ合金を主体とする硬化層を形成させる。 - 特許庁
To provide an Au plating method capable of forming an Au plating layer uniformly on an Si substrate or forming a continuous Au plating fine line of nanometer level.例文帳に追加
Ｓｉ基材上に均一にＡｕメッキ層を形成したり、ナノメータレベルの連続した金メッキ細線を形成したりする。 - 特許庁
An aluminum anodized coating is immersed into an aqueous solution containing the fluoro-complex salt of Zr, Si, Ti, Au, Ag, Co, Ni, Mo, Mn, Nb, Ta, W, Zn, Fe, Ir or Sc.例文帳に追加
アルミニウム陽極酸化皮膜を、Zr 、Si、Ti、Au、Ag、Co、Ni、Mo、Mn、Nb、Ta、W、Zn、Fe、Ir、又はScのフルオロ錯塩を含む水溶液に浸漬させることを特徴とする。 - 特許庁
In a thermoelectric material, a Ge 31 to which Au 32 is added and an Si 33 to which Au 34 is added are brought into contact with each other, and Au 35 and Au 36 which are made into one-dimensional are each brought into contact with the Ge 31 and the Si 33 respectively.例文帳に追加
Ａｕ３２を添加したＧｅ３１と、Ａｕ３４を添加したＳｉ３３とを互いに接触させ、該Ｇｅ３１及びＳｉ３３に一次元化したＡｕ３５，３６を夫々接触させたことを特徴とする熱電材料。 - 特許庁
In this Au-based clad composite material obtained by cladding Au or an Au alloy on the surface of a contact base material having an Ag-Cu-Si alloy layer, an intermetallic compound Cu-Si is dispersedly precipitated into the Au or Au alloy.例文帳に追加
Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｉ合金層を有する接点基材表面に、Ａｕ又はＡｕ合金を張り合わせたＡｕ系クラッド複合材であって、Ａｕ又はＡｕ合金中に金属間化合物Ｃｕ−Ｓｉを分散析出させたものとした。 - 特許庁
The semiconductor light emitting element has a P-type electrode 900 made of an Au-Ge alloy or Au-Si alloy.例文帳に追加
窒化ガリウム系半導体発光素子であって、Ｐ型電極９００としてＡｕ−Ｇｅ合金またはＡｕ−Ｓｉ合金を用いる。 - 特許庁
Further, a second light absorption layer 30 comprising an Au thin film 31 and an Au-Si eutectic section 32 is formed also on the back of the silicon substrate 11.例文帳に追加
また、シリコン基板１１の裏面にも、同様にＡｕ薄膜３１とＡｕ−Ｓｉ共晶部３２をからなる第２光吸収層３０を形成する。 - 特許庁
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「au si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 62件
To provide a metal coating Si substrate which prevents Au of an Au layer formed on an Si substrate from being diffused into the Si substrate even when a high-temperature heat treatment is carried out in an element manufacturing process, and to provide a junction type light-emitting element using the metal coating Si substrate and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
素子製造過程において高温の熱処理を施した場合であっても、Ｓｉ基板上に形成されたＡｕ層のＡｕがＳｉ基板に拡散することのない金属被膜Ｓｉ基板、ならびに、この金属被膜Si基板を用いた接合型発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.例文帳に追加
Ｔｅ以外の他の元素、例えばＡｌや、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＣｕおよびＡｕのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁
The weather-resistant surface coating contains any one of Ni, Si, Al alloy, Au, and Pt.例文帳に追加
耐候性表面被膜は、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ｐｔのいずれか１種を含む。 - 特許庁
The inorganic oxide is preferably an oxide of one element selected from Si, Ti, W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb and Mn or oxides of a combination of two or more elements.例文帳に追加
ここで、無機酸化物は、Si,Ti,W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb, Mnから選ばれるいずれか１種の酸化物、またはいずれか２種以上の組み合わせの酸化物であることが好ましい。 - 特許庁
The high melting point metal particles contains at least one kind selected from a group of Ag, Cu, Au, Pt, Ti, Zn, Al, Fe, Si or Ni.例文帳に追加
前記高融点金属粒子は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｉ、または、Ｎｉの群から選択された少なくても１種を含む。 - 特許庁
Ni group alloy plating is applied to almost all the regions other than an AU-Si joining part of the electrode plate, and the semiconductor device is resin-sealed.例文帳に追加
電極板のＡｕ−Ｓｉ接合部以外のほぼ全領域をＮｉ系合金めっきとして樹脂封止する。 - 特許庁
Further, the junction 3 contains at least one element selected from the group consisting of Si, Ni, Mn, Co, Zn, Ge, Au, Ag and Pd.例文帳に追加
また、接合部３は、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ、ＡｇおよびＰｄからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む。 - 特許庁
In an Si substrate 101, a protective layer 107, an Au electrode 108 composed of Au, and an alignment marker 105 are formed on the surface to which a photodiode 111 for receiving is bonded.例文帳に追加
Ｓｉ基板１０１において，受信用フォトダイオード１１１が接合される面には，保護層１０７，Ａｕから成るＡｕ電極１０８，およびアライメントマーカ１０５が形成されている。 - 特許庁
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