avalanche voltageとは 意味・読み方・使い方

With such a configuration, since the avalanche resistance can be remarkably improved, it is made possible to lower the loss without lowering the avalanche breakdown voltage.例文帳に追加

このような構成により、アバランシェ耐量を著しく向上させることができるので、アバランシェ降伏電圧を低下させ、低損失化を実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide a SiC semiconductor device capable of relaxing current concentration during avalanche breakdown and capable of improving breakdown voltage and avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ降伏時の電流集中を緩和することができ、耐圧およびアバランシェ耐量をともに向上させることができる、ＳｉＣ半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of having a high breakdown voltage and high avalanche resistance, and achieving low on-state resistance.例文帳に追加

高耐圧、高アバランシェ耐量、および低オン抵抗を実現できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the optical receiver 10, a bias voltage generating circuit 12 applies a variable DC voltage to an avalanche photodiode (APD) 14.例文帳に追加

光受信器１０では、バイアス電圧発生回路１２によってアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）１４に可変の直流電圧が印加される。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage ESD protection diode which can be formed using the same manufacturing process as for the high breakdown voltage transistor to be protected with the high avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量が高く、保護する高耐圧トランジスタと同製造工程を用いて形成できる高耐圧ESD保護ダイオードを提供する。 - 特許庁

The bias control circuit 10 has a voltage source 16 for generating a variable DC voltage Vh to be fed to an avalanche photo diode (APD) 12.例文帳に追加

バイアス制御回路１０は、可変の直流電圧Ｖｈを生成してアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）１２に印加する電圧源１６を有する。 - 特許庁

To provide a PIN diode in which breakage by the application of reverse direction bias equal to or higher than an avalanche breakdown voltage is prevented and loss is reduced by improving avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量を向上させることにより、アバランシェ降伏電圧以上の逆方向バイアスの印加による破損を抑制し、低損失化を実現させたＰＩＮダイオードを提供する。 - 特許庁

In an element for detecting photons entering within a time when a reverse pulse bias voltage higher than a breakdown voltage is being applied to avalanche photodiodes 11 and 12, the bias voltage is applied simultaneously to two avalanche photodiodes 11 and 12 and the difference of the output voltages from the avalanche photodiodes 11 and 12 is delivered as a signal.例文帳に追加

アバランシェフォトダイオード１１，１２にブレークダウン電圧以上の逆方向バイアス電圧をパルス状に印加し、このバイアス電圧が印加されている時間内に入射した光子を検出する素子において、２つのアバランシェフォトダイオード１１，１２に同時にバイアス電圧を印加し、このアバランシェフォトダイオード１１，１２の出力電圧の差を信号出力とする。 - 特許庁