avalanche transistorとは 意味・読み方・使い方

At a high temperature, the protective transistor 20 decreases in threshold to 0 V or below to be turned on, and takes partial charge of a part or the whole of an avalanche current of the output transistor.例文帳に追加

高温の場合、保護トランジスタ２０は、閾値が０Ｖ以下に低下してオンし、出力トランジスタのアバランシェ電流の一部又は全部を分担する。 - 特許庁

Further, an avalanche diode 300 is connected in parallel to the insulating gate type field effect transistor 200 to prevent the same transistor 200 from being destroyed.例文帳に追加

また、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ２００にアバランシェダイオード３００を並列に接続して、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ２００の破壊を防ぐ。 - 特許庁

With this structure, when the excess voltage is applied on an output terminal, the protection element 1 is turned on before the MOS transistor 15, and thereby the MOS transistor 15 is protected from an avalanche current.例文帳に追加

この構造により、出力端子に過電圧が印加された際に、ＭＯＳトランジスタ１５よりも保護素子１の方が先にオン動作し、アバランシェ電流からＭＯＳトランジスタ１５が保護される。 - 特許庁

To provide an insulation gate field-effect transistor with vertical field plate structure capable of alleviating concentration of an avalanche current caused by a parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

縦型のフィールドプレート構造を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、寄生バイポーラトランジスタによるアバランシェ電流の集中を緩和する。 - 特許庁

To control an avalanche phenomenon in turnoff, improve the trade-off characteristic of saturation voltage-turnoff loss and RBSOA (Rutherford back scattering operation analysis), and control oscillation in turnoff in an IGBT (insulated gate bipolar transistor).例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ターンオフ時のアバランシェ現象を抑制し、飽和電圧−ターンオフ損失のトレードオフ特性およびＲＢＳＯＡを改善し、さらにはターンオフ時の発振を抑制すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for preventing avalanche breakdown from occurring due to a parasitic transistor in an element and improving reliability.例文帳に追加

素子内部の寄生トランジスタによるアバランシェ破壊の発生を防止することができ、信頼性を向上することが可能になる半導体装置とその製造方法をを提供すること。 - 特許庁

A carrier injection layer 14 of the avalanche field effect transistor is formed by an InAlAs, an InAINAs, or a GaInNAs layer, thus enabling quick, efficient, and low-noise amplification operation.例文帳に追加

アバランシェ電界効果トランジスタのキャリア注入層１４をＩｎＡｌＡｓ層、ＩｎＡｌＮＡｓ層、あるいはＧａＩｎＮＡｓ層で形成することで、高速・高効率・低雑音の増幅動作が可能となる。 - 特許庁

To provide a technology of simultaneously achieving improvement of recovery characteristic of a reflux diode and sure maintenance of avalanche resistance of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in a semiconductor device with the MOSFET and SBD (Schottky Barrier Diode) in reverse parallel with the MOSFET formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳＦＥＴと逆並列となるＳＢＤとが同一半導体基板に形成された半導体装置において、還流ダイオードのリカバリ特性の改善と、ＭＯＳＦＥＴのアバランシェ耐量の確保との両立が可能な技術を提供する。 - 特許庁