barrier layer capacitanceとは 意味・読み方・使い方

1st storage capacitance 70a is formed of a part of a semiconductor layer and the capacitance lines, 2nd storage capacitance 70b is formed of the capacitance lines and a part of a 1st barrier layer, and 3rd storage capacitance 70c is formed of a part of the semiconductor layer and the 1st shielding film, respectively.例文帳に追加

半導体層の一部及び容量線から第１蓄積容量（７０ａ）、容量線及び第１バリア層の一部から第２蓄積容量（７０ｂ）、半導体層の一部及び第１遮光膜の一部から第３蓄積容量（７０ｃ）が夫々構築されている。 - 特許庁

An upper side oxygen barrier layer 109A composed of a metal having conductivity even when oxidized is formed on the oxygen barrier layer 108A, the capacitance lower electrode 110A is formed on the upper side oxygen barrier layer 109A and the peripheral surfaces of the oxygen barrier layer 108A, the upper side oxygen barrier layer 109A and the capacitance lower electrode 110A are covered with a second protective insulation film 111.例文帳に追加

酸素バリア層１０８Ａの上には酸化されても導電性を有する金属からなる上側酸素バリア層１０９Ａが形成され、上側酸素バリア層１０９Ａの上には容量下部電極１１０Ａが形成され、酸素バリア層１０８Ａ、上側酸素バリア層１０９Ａ及び容量下部電極１１０Ａの周面は第２の保護絶縁膜１１１により覆われている。 - 特許庁

A first dielectric film 2 is interposed between a part of a semiconductor layer and the capacitance line to form a first storage capacitance 70a, and a second dielectric film 81 is interposed between the capacitance line and a part of the barrier layer to form a second storage capacitance 70b.例文帳に追加

半導体層の一部と容量線が第１誘電体膜（２）を挟持して第１蓄積容量（７０ａ）を構成し、容量線とバリア層の一部が第２誘電体膜（８１）を挟持して第２蓄積容量（７０ｂ）を構成する。 - 特許庁

The device is further provided with a barrier layer (80) for relay-connecting the pixel electrodes to the TFTs and 1st capacitance lines (82).例文帳に追加

画素電極とＴＦＴとを中継接続するバリア層（８０）と、このバリア層と同一膜からなる第１容量線（８２）とを更に備える。 - 特許庁

The storage capacitance is constructed by oppositely arranging a first capacitance electrode (13) made up with a same film of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) made up with the same film as a barrier layer (34), that relay connects the pixel electrodes and the TFTs, through a dielectric film (42).例文帳に追加

蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁

In the storage capacitance, a first capacitance electrode (13) which is formed of the same film as that of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) formed of the same film as that of a barrier layer (34) for relay-connecting between the pixel electrode and the TFT are arranged facing each other through a dielectric film (42).例文帳に追加

蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁

To prevent oxygen transmitted through lower electrodes from oxidating a barrier layer to result in a high resistance and low dielectric constant oxide layer in heat treating a dielectric film formed on the lower electrodes of capacitance elements of a DRAM in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

ＤＲＡＭの容量素子の下部電極上に形成した誘電体膜を酸素雰囲気中で熱処理する際、下部電極を透過した酸素がバリア層を酸化して、高抵抗、低誘電率の酸化物層を形成する不具合を防止する。 - 特許庁