bipolar technologyとは 意味・読み方・使い方

To provide a technology where on-voltage is reduced, without increasing the feedback capacitance in an insulated gate bipolar transistor.例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、帰還容量が増加することなく、オン電圧を低減させる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology which can improve a manufacture yield of a semiconductor device having, for example, IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) as a semiconductor component.例文帳に追加

半導体素子として、例えばＩＧＢＴを有する半導体装置の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

The pseudomorphic high-electron-mobility transistors and the hetero-junction bipolar transistors are manufactured using a GaAs BiFET technology process.例文帳に追加

擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 - 特許庁

To provide a technology of improving the ESD (Electro-Static Discharge) resistance of a semiconductor device by making a parasitic bipolar transistor in a semiconductor device hardly turned on.例文帳に追加

半導体装置に内在する寄生バイポーラトランジスタをオンし難くすることによって、半導体装置のＥＳＤ（Electro-Static Discharge）耐量を高くする技術を提供する。 - 特許庁

iii) The technology (excluding programs) pertaining to the design or manufacture of hetero-junction microchips (excluding high electron mobility transistors or hetero-junction bipolar transistors whose operating frequency is less than 31.8 gigahertz発音を聞く 例文帳に追加

三　ヘテロ接合の半導体素子（動作周波数が三一・八ギガヘルツ未満の高電子移動度トランジスタ又はヘテロ接合バイポーラトランジスタを除く。）の設計又は製造に係る技術（プログラムを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

Since the prescaler 6 requires an operation for an ultrahigh frequency band, the prescaler 6 is integrated in the orthogonal detection IC 1 that is integrated by bipolar technology, and since the other circuits are in operation for the mega Hz band, they are integrated in the digital demodulation IC 9 that is integrated by the MOS technology.例文帳に追加

プリスケーラ６は超高周波帯で動作させる必要があるため、バイポーラ技術で集積化される直交検波ＩＣ１にプリスケーラ６を集積化させ、その他の回路はメガヘルツ帯で動作するので、ＭＯＳ技術で集積化されたデジタル復調ＩＣ９に集積化される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing the transmission loss of an input signal, while preventing latchup by a parasitic element caused, when forming a control circuit on the same semiconductor substrate as that of an IGBT (insulating gate bipolar transistor), by using a junction isolation technology.例文帳に追加

接合分離技術を用いてＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）と同一半導体基板上に制御回路を形成する際に発生する寄生素子によるラッチアップを防止しつつ、入力信号の伝送損失を低減する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein emitter resistance is increased and reliability is lowered, in a method for manufacturing a self-aligned bipolar transistor of conventional technology, since voids occur at the deposition of an emitter N^+-type polysilicon because the aspect ratio of an opening for emitter formation is large in the transistor.例文帳に追加

従来技術の自己整合型バイポーラトランジスタの製造方法は、エミッタ形成用の開口部のアスペクト比が大きいため、エミッタ用Ｎ ^＋型ポリシリコンの成膜においてボイドが発生し、エミッタ抵抗の増加や信頼性の低下という問題点が発生する。 - 特許庁