chalcogenide semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To provide a device in which both good adherence and reduced reactivity are attained between an electrode for a chalcogenide-containing semiconductor device and chalcogenide, in a phase change memory electrode.例文帳に追加

相変化メモリ電極において、カルコゲニド含有半導体デバイス用電極とカルコゲニド間の良好な接着性と低めの反応性を共に実現するデバイスの提供。 - 特許庁

An interface layer which has both functions of an adhesive layer and a high resistance layer (thermal resistance layer) and comprises extremely thin insulator or a semiconductor is inserted between a chalcogenide material layer and an interlayer insulating film, and between the chalcogenide material layer and a plug.例文帳に追加

接着層と高抵抗層（熱抵抗層）の機能を兼ね備えた、極薄の絶縁体または半導体からなる界面層をカルコゲナイド材料層／層間絶縁膜間、及びカルコゲナイド材料層／プラグ間に挿入する。 - 特許庁

A storage cell 20 is made of the storage element 24 including a chalcogenide layer 34 and the diode element 22 consisting of group 6 semiconductor material.例文帳に追加

記憶セル２０は、カルコゲナイド層３４を含む記憶素子２４と６族半導体材料からなるダイオード素子２２とから形成される。 - 特許庁

(1) The chalcogenide-based compound semiconductor contains Cu, Zn, Sn, an element X_3(=S and/or Se), and O as essential elements.例文帳に追加

（１）カルコゲナイト系化合物半導体は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、元素Ｘ_3（＝Ｓ及び／又はＳｅ）、及び、Ｏを必須元素として含む。 - 特許庁

The chalcogenide structure 42 is implemented in series with a semiconductor device such as a diode 10 or a selecting transistor.例文帳に追加

カルコゲニド構造４２はダイオード１０や選択トランジスタのような半導体素子と直列に実装される。 - 特許庁

To provide a novel chalcogenide-based compound semiconductor having a relatively high conversion efficiency, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

相対的に高い変換効率を持つ新規なカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

OXY-CHALCOGENIDE BASED THIN FILM, METHOD FOR GROWING THE SAME, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM METHOD FOR GROWING THE SAME, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法、オキシカルコゲナイド系薄膜、酸化物半導体薄膜の成長方法、酸化物半導体薄膜、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

The anti-ferromagnetic half metallic semiconductor is manufactured by adding more than two kinds of magnetic elements having a d-electron number of smaller than 5 and a d-electron number of larger than 5, into chalcogenide semiconductor containing cadmium to replace a part of cadmium constituent contained in the chalcogenide semiconductor by the magnetic elements of more than two kinds.例文帳に追加

本発明に係る反強磁性ハーフメタリック半導体は、カドミウムを含有するカルコゲナイド半導体にｄ電子数が５より少ない磁性元素とｄ電子数が５より多い磁性元素とを含む２種類以上の磁性元素を添加して、前記カルコゲナイド半導体が含有するカドミウム成分一部を前記２種類以上の磁性元素で置換することにより作製される。 - 特許庁