channel spinとは 意味・読み方・使い方

This spin field effect logic element includes a gate electrode, a channel for passing selectively an electron spin-polarized on the gate electrode, a source on the channel, a drain from which the electron from the source outgoes, and an output electrode.例文帳に追加

ゲート電極と、ゲート電極上でスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質のチャンネルと、チャンネル上のソースと、ソースからの電子が出て行くドレイン並びに出力電極と具備するスピン電界効果論理素子である。 - 特許庁

To provide a spin conduction element that can reduce a noise and an error caused by the external magnetic field penetrating into the channel.例文帳に追加

外部磁場がチャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。 - 特許庁

The spin injection structure includes a channel layer 7 made of Si, a magnetized fixed layer 12B made of a ferromagnetic body formed on the channel layer 7, and a first tunnel barrier 8B interposed between the channel layer 7 and the magnetized fixed layer 12B.例文帳に追加

Ｓｉからなるチャンネル層７と、チャンネル層７上に形成された強磁性体からなる磁化固定層１２Ｂと、チャンネル層７と磁化固定層１２Ｂとの間に介在する第１トンネル障壁８Ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide a spin MOSFET which suppresses influences on adjacent transistors by a leakage magnetic field, makes shift adjustment possible, and suppresses spin relaxation in a channel region, even when perpendicular magnetic film is used in a ferromagnetic body of MTJ in the source/drain regions of a spin MOSFET.例文帳に追加

スピンＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域におけるＭＴＪの強磁性体に垂直磁化膜を用いても、隣接トランジスタへの漏れ磁界による影響を抑制し、シフト調整を可能にし、チャネル領域中のスピン緩和を抑制するスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

This spin polarized carrier generation element includes: a semiconductor channel region 101; a carrier generation part 102 for generating carriers in the semiconductor channel region 101; and a magnetic field gradient application part 103 for forming a magnetic field gradient having changing magnetic field intensity in the semiconductor channel region 101.例文帳に追加

半導体チャネル領域１０１と、半導体チャネル領域１０１にキャリアを生成させるキャリア生成部１０２と、半導体チャネル領域１０１に磁場強度が変化している磁場勾配を形成する磁場勾配印加部１０３とを備える。 - 特許庁

In this way, the polymer film 130 is formed by the spin coating, so the polymer film 130 formed on the channel 120 protects the channel 120 when the oxide film 140 is formed to suppress damaging of the channel 120.例文帳に追加

このように、スピンコートにより高分子膜１３０を形成しているので、酸化物膜１４０を形成する際にチャネル１２０の上に形成された高分子膜１３０がチャネル１２０を保護し、チャネル１２０が損傷してしまうことを抑制できる。 - 特許庁

A pressure switch 35 is disposed in an air venting channel 33 venting air in the vessel 231, when supplying the solvent to the vessel 231 of the spin disk filter 23.例文帳に追加

スピンディスクフィルタ２３の容器２３１内に溶剤を供給する際に容器２３１内の空気を抜く空気抜き流路３３に圧力スイッチ３５を配設する。 - 特許庁

A semiconductor channel 2 is provided with a carrier injector 3 and a spin-orbit interaction space gradient generator 4, and a potential control unit 1 is also added to its configuration.例文帳に追加

半導体チャンネル２にキャリア注入部３とスピン軌道相互作用空間勾配生成部４が備わり、その構成に電位制御部１が備わる。 - 特許庁