complex index of refractionとは 意味・読み方・使い方

The complex index of refraction of the measured object 20 is found by successive approximation based on an expression indicating the relation between the complex index of refraction of the measured object 20 and these quantities.例文帳に追加

これらと被測定物２０の複素屈折率との関係を示す式に基づいて、逐次近似により被測定物２０の複素屈折率を求める。 - 特許庁

To reduce calculation volume, and to precisely and stably measure the complex index of refraction.例文帳に追加

計算量を低減しかつ安定して精度良く複素屈折率を測定する。 - 特許庁

The complex connection diffraction grating 7 is adjacent to the DBR area 8, and is adjusted so that both the gain or loss of active later 11 and the refraction index are modulated cyclically.例文帳に追加

複素結合回折格子７は、ＤＢＲ領域８に隣接しており、かつ活性層１１の利得または損失と、屈折率との両方が周期的に変調するように調整されている。 - 特許庁

A reflecting mirror, satisfying k(λ)>√(-n(λ)^2+18n(λ)-1) when the complex index of refraction N of a metal film contributing to the reflection characteristic of the reflection mirror, is defined as N(λ)=n(λ)-ik(λ), is used as a polygon mirror 5 (reflecting mirror).例文帳に追加

ポリゴンミラー５（反射鏡）は、その反射鏡の反射特性に寄与する金属膜の複素屈折率Ｎを、Ｎ（λ）＝ｎ（λ）−ｉｋ（λ）と定義したとき、ｋ（λ）＞√（−ｎ（λ）^2＋１８ｎ（λ）−１）を満足する反射鏡を用いた。 - 特許庁

In relation to the upper p-SiN film 12, the real part (n) of the complex index of refraction is set in the range of 1.7-2.4, the imaginary part (k) in the range of 0.15-0.75 and the film thickness in the range of 10-40 nm.例文帳に追加

上層ｐ−ＳｉＮ膜１２に関して、複素屈折率の実部ｎを１．７以上２．４以下の範囲内に、虚部ｋを０．１５以上０．７５以下の範囲内に及び膜厚を１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲内に設定している。 - 特許庁

In relation to the lower p-SiN film 11, the real part (n) of the complex index of refraction is set in the range of 1.9-2.5, the imaginary part (k) in the range of 0.9-1.7 and the film thickness in the range of 20-60 nm.例文帳に追加

下層ｐ−ＳｉＮ膜１１に関して、複素屈折率の実部ｎを１．９以上２．５以下の範囲内に、虚部ｋを０．９以上ｋ以下１．７の範囲内に及び膜厚を２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内に設定している。 - 特許庁

By finding a complex coefficient for updating the electromagnetic field from the frequency of light made incident to the analysis area, the complex index of refraction corresponding to the incident light frequency of the metal and the conductivity of the metal to the DC potential, the electromagnetic field is analyzed in a system containing the metal with high accuracy and high reliability.例文帳に追加

電磁場の更新をするための複素数係数を、解析領域への入射光周波数と、金属の入射光周波数に対応する複素屈折率と、金属の直流電位に対する導電率とから求めることで、金属を含む系での電磁場解析が高精度高信頼性をもって行われるようになる。 - 特許庁