concentration potentialとは 意味・読み方・使い方

The support substrate 2 has an impurity concentration of ≤1×10^14 cm^-3, and a potential GND.例文帳に追加

支持基板２の不純物濃度を１×１０^14ｃｍ^-3以下とし、かつ、支持基板２の電位をＧＮＤにする。 - 特許庁

This method comprises a step of adding a neutralizing agent to the waste water having the strong oxidation potential so that the waste water having the strong oxidation potential is neutralized and the concentration of residual chlorine in the waste water having the strong oxidation potential is lowered.例文帳に追加

本発明では、強酸化電位水に中和剤を添加することにより、前記強酸化電位水を中和するとともに、前記強酸化電位水中の残留塩素の濃度を低減させることにした。 - 特許庁

A substrate potential contact region 9b having an N type impurity concentration higher than that of the substrate potential region 11b is formed in the substantial potential region 11b.例文帳に追加

基板電位用領域１１ｂ、基板電位用領域１１ｂよりも濃いＮ型不純物濃度をもつ基板電位用コンタクト領域９ｂが形成されている。 - 特許庁

There is used a high-concentration silica slurry having a silica concentration of 20-50%, a pH of 1.5-5.5, a conductivity of 300-1,500 μS/cm, and a zeta potential of silica particles in the high-concentration silica slurry of +10 to +80 mV.例文帳に追加

シリカ濃度が２０〜５０％、ｐＨが１.５〜５.５、導電率が３００〜１５００μＳ／ｃｍであって、且つ、高濃度シリカスラリー中のシリカ粒子のゼータ電位が＋１０〜＋８０ｍＶである高濃度シリカスラリーを用いる。 - 特許庁

The pitting potential difference is formed, for example, by Zn concentration difference in an aluminum alloy constituting the fin 20.例文帳に追加

前記孔食電位差は、例えば、フィン(20)を構成するアルミニウム合金中のＺｎ濃度差によって形成されている。 - 特許庁

The oxygen (gas) concentration is thereby found, based on the potential difference between the reference electrode 11 and the detection electrode 13, in the gas-measuring part 7.例文帳に追加

従って、ガス測定部７では、基準電極１１と検知電極１３との間の電位差から酸素濃度を求めることができる。 - 特許庁

Thereafter, an optimum flange shape reducing the quantity of corrosion is determined by a shape evaluator 113 while referring to the found potential distribution and concentration distribution.例文帳に追加

その後、形状評価部１１３により、求めた電位分布や濃度分布を参照して腐食量を抑えた最適なフランジ形状を決定する。 - 特許庁

To suppress the capacity coupling of a capacitive element with other circuit components, by providing well regions of low impurity concentration between the source potential (VSS).例文帳に追加

ソース電位（ＶＳＳ）との間に低不純物濃度のウェル領域を具備することにより、容量素子と他の回路素子との容量結合を抑制する。 - 特許庁