conductive SiC substrateとは 意味・読み方・使い方

The conductive substrate 1 is an n-type [0001] plane direction SiC substrate, and the donor-doped nitride semiconductor film layer 10 is an AIN added with Si of a concentration of 5×10^21 cm^-3.例文帳に追加

導電性基板１はｎ型{０００１}面方位ＳｉＣ基板、ドナー添加窒化物半導体膜層１０は濃度５×１０^21ｃｍ^-3のＳｉを添加したＡｌＮである。 - 特許庁

A field effect transistor includes an N^+ type SiC substrate 2 and an N^- type drain region 1 which are first conductive type semiconductor substrates, and on a first main surface side of the N^+ type SiC substrate 2, a P-type well region 3, an N^+ type source region 5, and a gate electrode 7.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、第一導電型の半導体基体であるＮ^+型ＳｉＣ基板２及びＮ^-型ドレイン領域１と、Ｎ^+型ＳｉＣ基板２の第一主面側に、Ｐ型ウエル領域３とＮ^+型ソース領域５とゲート電極７とを有する。 - 特許庁

To provide a GaN light emitting element formed on an n-type SiC substrate doped with nitrogen, which can be improved in brightness by keeping the SiC substrate conductive, restraining the light emitted from a light emitting layer from being reabsorbed, and specifying the range of electron concentration in the SiC board, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒素ドープされたｎ型ＳｉＣ基板上に形成されたＧａＮ系半導体発光素子における、ＳｉＣ基板の導電性を保ち、かつ発光層より発光した光の再吸収を抑制することが可能な、ＳｉＣ基板中の電子濃度範囲を規定することにより、輝度の向上を可能とするＧａＮ系発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal film 2 is formed on the upper surface of the conductive SiC substrate 1 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板１の上面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜２を形成する。 - 特許庁

A metal film 1 is formed on the back of the conductive SiC substrate 2 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta, and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板２の裏面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor element comprises an under layer 2 made of a nitride semiconductor containing at least Al and formed on a substrate 1 made of a conductive SiC having a resistivity of 1×10^5 Ω cm or less in thickness of preferably 2 μm or more.例文帳に追加

抵抗率が１×１０^５Ωｃｍ以下の導電性ＳｉＣからなる基材１上に、少なくともＡｌを含む窒化物半導体からなる下地層２を、好ましくは２μｍ以上の厚さに形成する。 - 特許庁

A photoelectric conversion film 13 is formed (Fig. b), in such a way that a p-type SiC layer, an i-type a-Si layer and an n-type a-Si layer are laminated in this order on a glass substrate 11, on which a transparent conductive film 12 is formed (Fig. a).例文帳に追加

透明導電膜１２が形成されたガラス基板１１上に（ａ）、ｐ型a-ＳｉＣ層，ｉ型a-Ｓｉ層，ｎ型a-Ｓｉ層をこの順に積層してなる光電変換膜１３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

A nitride semiconductor device comprises a nitride semiconductor multi-layer structure 2 formed on a conductive SiC substrate 1 and an amorphous carbon layer 3 formed on an area under an active region of the nitride semiconductor multi-layer structure 2.例文帳に追加

窒化物半導体装置を、導電性ＳｉＣ基板１上に形成された窒化物半導体積層構造２と、窒化物半導体積層構造２の活性領域の下方の領域に形成されたアモルファスカーボン層３とを備えるものとする。 - 特許庁