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confinement structureとは 意味・読み方・使い方
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「confinement structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 105件
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CURRENT CONFINEMENT STRUCTURE例文帳に追加
電流閉じ込め構造を備えた半導体デバイス - 特許庁
UNDERGROUND WATER DRAINAGE STRUCTURE OF ORIGINAL POSITION CONFINEMENT CONSTRUCTION METHOD例文帳に追加
原位置封じ込め工法の地下水集排水構造 - 特許庁
An n-type light confinement layer 41a, the first light confinement layer 43a, the quantum well structure section 45a, the second light confinement layer 47a and a p-type light confinement layer 49a appear on at least any one of the one end face 13a and the other end face 13b of a semiconductor region 13.例文帳に追加
n型光閉じ込め層41a、第1の光閉じ込め層43a、量子井戸構造部45a、第2の光閉じ込め層47aおよびp型光閉じ込め層49aは、半導体領域13の一端面13aおよび他端面13bの少なくともいずれか一方に現れている。 - 特許庁
To allow confinement of atoms without using a structure for driving a current.例文帳に追加
電流を駆動するための構造を用いることなしに、原子の閉じ込めが行えるようにする。 - 特許庁
To provide a light modulator having a waveguide structure with a high optical confinement effect.例文帳に追加
光閉じ込め効果の高い導波路構造を備えた光変調器を提供する。 - 特許庁
A vertical light emitting diode (VLED) die 10A includes a p-type confinement layer 12A, an active layer 14A on the p-type confinement layer configured to emit light, and an n-type confinement structure 16A having at least one etch stop layer 22A configured to protect the active layer.例文帳に追加
垂直型発光ダイオード(VLED)ダイ10Aは、p型閉じ込め層12Aと、光を放射するように構成されたp型閉じ込め層上の活性層14Aと、活性層を保護するように構成された少なくとも1つのエッチング停止層22Aを有するn型閉じ込め構造16Aとを含む。 - 特許庁
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「confinement structure」の部分一致の例文検索結果
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To provide a semiconductor laser element, with a low operation voltage, which comprises a confinement structure with an Al oxide layer wherein the size of confinement structure is controlled surely.例文帳に追加
閉じ込め構造の寸法を確実に制御できるようにしたAl酸化層による閉じ込め構造を備え、しかも動作電圧の低い半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
In an active region 19, a quantum well structure section 45a is provided between a first light confinement layer 43a and a second light confinement layer 47a.例文帳に追加
活性領域19では、量子井戸構造部45aは、第1の光閉じ込め層43aと第2の光閉じ込め層47aとの間に設けられている。 - 特許庁
The lower semiconductor DBR 103 is disposed on the substrate 101 side with respect to the resonator structure and has a second lower semiconductor DBR which is a light confinement reducing region for reducing light confinement in the lateral direction.例文帳に追加
下部半導体DBR103は、共振器構造体に対して基板101側に設けられ、横方向に関する光閉じ込めを低減させる光閉じ込め低減領域としての第2の下部半導体DBRを有している。 - 特許庁
A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加
n型基板1の上に、バッファ層11、回折格子層2、回折格子埋込層3、光閉込層4、多重量子井戸活性層5、光閉込層6、クラッド層7を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁
On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed.例文帳に追加
一方の面に分散型ブラッグ反射体、n型閉込め層、活性層、p型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。 - 特許庁
The apparatus also has a liquid confinement structure defining, in use, in part with the lower surface and the substrate and/or substrate table, an immersion space, and the immersion space has, in use, a liquid meniscus between a part of the lower surface facing a surface of the liquid confinement structure and a facing surface of the liquid confinement structure facing the part of the lower surface.例文帳に追加
装置は、使用時に、部分的に下面及び基板及び/又は基板テーブルとともに液浸空間を画定する液体閉じ込め構造も有し、液浸空間は、使用時に液体閉じ込め構造の表面に対面する下面の一部と、下面の一部に対面する液体閉じ込め構造の対面表面との間に液体メニスカスを備える。 - 特許庁
A precursor 510 in three dimensional photonic crystal structure and a substrate where a stripe 509A including a light confinement part is stuck together to obtain a structure having the light confinement part formed at the center part of the three dimensional photonic crystal structure.例文帳に追加
3次元フォトニック結晶構造の前駆体510と光閉じ込め部を含むストライプ509Aが形成された基板とを貼り合わせることによって、3次元フォトニック結晶構造体の中央部に光閉じ込め部が形成された構造体が得られる。 - 特許庁
A method for fabricating the vertical light emitting diode (VLED) die includes the steps of: providing a carrier substrate 24A; forming on the carrier substrate an n-type confinement structure having at least one etch stop layer; forming an active layer on the n-type confinement structure; forming a p-type confinement layer on the active layer; and removing the carrier substrate.例文帳に追加
垂直型発光ダイオード(VLED)ダイを製造する方法は、キャリア基板24Aを提供するステップと、少なくとも1つのエッチング停止層を有するn型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、n型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にp型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 - 特許庁
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