「confinement structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a light modulator having a waveguide structure with a high optical confinement effect.例文帳に追加

光閉じ込め効果の高い導波路構造を備えた光変調器を提供する。 - 特許庁

A vertical light emitting diode (VLED) die 10A includes a p-type confinement layer 12A, an active layer 14A on the p-type confinement layer configured to emit light, and an n-type confinement structure 16A having at least one etch stop layer 22A configured to protect the active layer.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element, with a low operation voltage, which comprises a confinement structure with an Al oxide layer wherein the size of confinement structure is controlled surely.例文帳に追加

閉じ込め構造の寸法を確実に制御できるようにしたＡｌ酸化層による閉じ込め構造を備え、しかも動作電圧の低い半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

In an active region 19, a quantum well structure section 45a is provided between a first light confinement layer 43a and a second light confinement layer 47a.例文帳に追加

活性領域１９では、量子井戸構造部４５ａは、第１の光閉じ込め層４３ａと第２の光閉じ込め層４７ａとの間に設けられている。 - 特許庁

The lower semiconductor DBR 103 is disposed on the substrate 101 side with respect to the resonator structure and has a second lower semiconductor DBR which is a light confinement reducing region for reducing light confinement in the lateral direction.例文帳に追加

下部半導体ＤＢＲ１０３は、共振器構造体に対して基板１０１側に設けられ、横方向に関する光閉じ込めを低減させる光閉じ込め低減領域としての第２の下部半導体ＤＢＲを有している。 - 特許庁

A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁

On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed.例文帳に追加

一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。 - 特許庁

The apparatus also has a liquid confinement structure defining, in use, in part with the lower surface and the substrate and/or substrate table, an immersion space, and the immersion space has, in use, a liquid meniscus between a part of the lower surface facing a surface of the liquid confinement structure and a facing surface of the liquid confinement structure facing the part of the lower surface.例文帳に追加

装置は、使用時に、部分的に下面及び基板及び／又は基板テーブルとともに液浸空間を画定する液体閉じ込め構造も有し、液浸空間は、使用時に液体閉じ込め構造の表面に対面する下面の一部と、下面の一部に対面する液体閉じ込め構造の対面表面との間に液体メニスカスを備える。 - 特許庁

A precursor 510 in three dimensional photonic crystal structure and a substrate where a stripe 509A including a light confinement part is stuck together to obtain a structure having the light confinement part formed at the center part of the three dimensional photonic crystal structure.例文帳に追加

３次元フォトニック結晶構造の前駆体510と光閉じ込め部を含むストライプ509Aが形成された基板とを貼り合わせることによって、３次元フォトニック結晶構造体の中央部に光閉じ込め部が形成された構造体が得られる。 - 特許庁

A method for fabricating the vertical light emitting diode (VLED) die includes the steps of: providing a carrier substrate 24A; forming on the carrier substrate an n-type confinement structure having at least one etch stop layer; forming an active layer on the n-type confinement structure; forming a p-type confinement layer on the active layer; and removing the carrier substrate.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 - 特許庁

To establish an electric current confinement structure in the laser body without requiring ion radiation and ion implantation.例文帳に追加

イオン照射やイオン注入を行う必要なしにレーザ本体内に電流閉じ込め構造を設けること。 - 特許庁

High pressure gradient may cause particulate contamination within the liquid supply system and/or the liquid confinement structure.例文帳に追加

高い圧力勾配は、液体供給系および／または封液構造体内で微粒子汚染を引き起こす可能性がある。 - 特許庁

To provide a waveguide structure for obtaining fine lateral mode confinement for use in QCL and mid-infrared wavelength VCSEL.例文帳に追加

ＱＣＬおよび中赤外波長ＶＣＳＥＬで用いるための、良好な横モード閉じ込めが得られる導波構造を提供する。 - 特許庁

The grating structure includes grooves etched in a plasmon-enhanced confinement layer(PECL) disposed adjacent and in contact with an upper metallic electrode.例文帳に追加

格子構造は上部メタル電極に隣接して割り付けられたプラズモン励起閉じ込め層（ＰＥＣＬ層）中にエッチングされたグルーブを包含する。 - 特許庁

VERTICAL LIGHT EMITTING DIODE (VLED) HAVING N-TYPE CONFINEMENT STRUCTURE WITH ETCH STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATION例文帳に追加

エッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造を備える垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）及びその製造方法 - 特許庁

The cladding region includes a periodic structure configured to produce light guided by bandgap confinement.例文帳に追加

クラッド領域はバンドギャップ閉じ込めによってガイドする光を生成するように構成された周期的構造を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device having a structure which does not require process of p-type semiconductor for confinement of current.例文帳に追加

電流の閉じ込めのためにｐ型半導体の加工を必要としない構造を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having a current and optical confinement structure consisting of an Al oxide layer on an InP substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上にＡｌ酸化層による電流及び光閉じ込め構造を有する半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

An ultrasonic transducer 24 emits ultrasonic beams 25 through a gas which exists under a liquid confinement structure 22.例文帳に追加

超音波トランスデューザー２４は、液体閉じこめ構造体２２の下に存在する気体を通して超音波ビーム２５を放出する。 - 特許庁

As a result, a high-conductivity and high optical transparency substrate for a thin-film solar cell, which is inexpensive and has optical confinement effects (uneven surface structure of the film), is provided.例文帳に追加

その結果、安価で、且つ、光閉じ込め効果（膜の凹凸構造）を有し、高導電性で高光透過性の薄膜太陽電池用基板が得られる。 - 特許庁

An ultrasonic transducer 24 emits an ultrasonic beam 25 through a gas present under a liquid confinement structure 22.例文帳に追加

超音波トランスデューザー２４は、液体閉じこめ構造体２２の下に存在する気体を通して超音波ビーム２５を放出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has a current and optical confinement structure consisting of an Al oxide layer and is provided with a constitution, wherein the laser element can be manufactured at low cost.例文帳に追加

Ａｌ酸化層による電流及び光閉じ込め構造を有し、低コストで作製できる構成を備えた半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

An immersion lithographic apparatus, arranged in a space where one or a plurality of liquid flow dividers are enclosed by a liquid confinement structure, is disclosed.例文帳に追加

１つ又は複数の液体分流器が液体閉じ込め構造によって囲まれた空間内に配置された液浸リソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁

To provide an elevator device of structure possible to quickly and surely rescue passengers in a car in the case that confinement is caused in the elevator.例文帳に追加

エレベータで閉じ込めが発生した場合に、かご内の乗客を迅速に且つ確実に乗場に脱出させることができるエレベータ装置を得る。 - 特許庁

To disclose a lithography apparatus comprising a substrate table, a projection system, a liquid confinement structure and a thermal measurement system.例文帳に追加

基板テーブル、投影システム、液体閉じ込め構造及び熱測定システムを備えるリソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁

The liquid immersion lithographic apparatus, arranged in a space wherein one or a plurality of liquid distributors are enclosed by a liquid confinement structure, is released.例文帳に追加

１つ又は複数の液体分流器が液体閉じ込め構造によって囲まれた空間内に配置された液浸リソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁

The article may be any one of the group consisting of a substrate table, an optical element, a shutter member, a sensor, a projection system, and a confinement structure.例文帳に追加

物品は、基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループのいずれか１つでよい。 - 特許庁

To precisely control a current confinement region in a current injection type light control element which uses a 3-dimensional photonic crystal structure.例文帳に追加

３次元フォトニック結晶構造を用いた電流注入型光制御素子において、電流狭窄領域を精密に制御する。 - 特許庁

As a result, a high conductivity and high optical transparency substrate for a thin film solar cell which has a moderate price and an optical confinement effect (uneven surface structure of the film).例文帳に追加

その結果、安価で、且つ、光閉じ込め効果（膜の凹凸構造）を有し、高導電性で高光透過性の薄膜太陽電池用基板が得られる。 - 特許庁

To provide an optical waveguide type optical switch with current confinement structure which has simple constitution and easily manufactured.例文帳に追加

構造が簡単で製作が容易な電流狭窄構造を有する光導波路型の光スイッチをを実現することにある。 - 特許庁

A supplying line for supplying the liquid to a gap outside the radial direction of openings adapted to two-layer flow and supplying the liquid to the liquid confinement structure, and an extracting line for extracting the liquid from the liquid confinement structure, have an inner surface having corrosion resistance against organic liquid.例文帳に追加

二層流に適合された開口の半径方向外側の隙間に液体を供給することができる、液体閉じ込め構造に液体を供給する供給ライン、および液体閉じ込め構造から液体を引き出す抽出ラインは、有機液体に対して耐腐食性のある内面を有する。 - 特許庁

The confinement structure (20) is generally aligned with a contact (22) on a main emission surface of the LED (10), and substantially prevents emission of a light from an area of the active region (18) matching an area of the confinement structure (20) and the top-surface contact (22).例文帳に追加

閉じ込め構造（２０）は、ＬＥＤ（１０）の主放射上面のコンタクト（２２）とほぼ一列に並んでおり、閉じ込め構造（２０）および上面コンタクト（２２）の面積と一致する活性領域（１８）の面積からの光の放射を実質的に妨げる。 - 特許庁

This lithography device includes: a projection system PS; and a liquid confinement structure for at least partially confining an immersion liquid in an immersion space demarcated by the projection system, a liquid confinement structure 12, and also a substrate and/or a substrate table.例文帳に追加

投影システムと、該投影システム、液体閉じ込め構造、並びに基板及び／又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液体閉じ込め構造とを含むリソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁

This plasma CVD device has a hollow structure of plasma confinement electrode plate 5 for plasma isolation being provided with a plurality of holes, between a plasma generation region and a substrate processing region, and the plasma confinement electrode plate 5 is provided with a radical passage hole and a neutral gas passage hole, and plural sheets of gas diffusion plates 7 (11 and 12) having holes are provided inside the plasma confinement electrode plate.例文帳に追加

プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板５を有し、プラズマ閉込電極板５には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板７（１１，１２）が複数枚設けられている。 - 特許庁

A semiconductor laminated structure including a p-type InP clad layer 12, an AlGaInAs lower optical confinement layer 13, an AlGaInAs-MQW active layer 14, an n-type AlGaInAs upper optical confinement layer 15, and an n-type InP clad layer 16 is formed on a p-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、ＡｌＧａＩｎＡｓ下光閉込層１３、ＡｌＧａＩｎＡｓ—ＭＱＷ活性層１４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ上光閉込層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６からなる半導体積層構造を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser 10 comprises a structure which has a buffer layer 2, a clad layer 3, a light confinement layer 4, an active layer 5, a light confinement layer 6, a clad layer 7, and a contact layer 8 laminated in order on a substrate 1 and is equipped with a window member 11 adjacently to the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、バッファ層２、クラッド層３、光閉じ込め層４、活性層５、光閉じ込め層６、クラッド層７およびコンタクト層８が基板１上に順次積層され、活性層５に隣接して窓部材１１を備える構造からなる。 - 特許庁

The light-emitting lamination structure includes a quantum well layer of an In-containing group III-V mixed-crystal semiconductor, a pair of carrier confinement layers sandwiching the quantum well layer and having a band gap wider than that of the quantum well layer, and a pair of clad layers sandwiching the three layers and having a band gap wider than that of the carrier confinement layers.例文帳に追加

発光積層構造は、Ｉｎを含むＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる量子井戸層、量子井戸層を挟み、量子井戸層よりもバンドギャップの大きな一対のキャリア閉込層、この３層を挟み、キャリア閉込層よりもバンドギャップの大きな一対のクラッド層とを含む。 - 特許庁

QUANTUM WELL STRUCTURE, OPTICAL CONFINEMENT TYPE QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER, SPECTROGRAPH, AND MANUFACTURING METHOD OF THE QUANTUM WELL STRUCTURE例文帳に追加

量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法 - 特許庁

The structure model setting part 11 sets a virtual structure model, assuming that hetero-structure of a FET has a confinement potential for forming a channel area and comprises a single semiconductor layer.例文帳に追加

構造モデル設定部１１は、ＦＥＴのヘテロ構造がチャネル領域を形成する閉じ込めポテンシャルを有するとともに単一の半導体層からなると仮定して仮想構造モデルを設定する。 - 特許庁

An active layer 1, a light confinement layer and a reflection structure for initiating laser oscillation are formed on a substrate 5, the upper light confinement layer is made a ridge structure, a part of a compound semiconductor on the substrate 5 is made as a semi-insulating layer through impurity diffusion, and the region of the active layer 1 is set to be positioned directly under the ridge structure.例文帳に追加

基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。 - 特許庁

RARE EARTH ELEMENT ADDED SEMICONDUCTOR LAMINATE STRUCTURE FOR LIGHT EMITTING DEVICE USING SEPARATE CONFINEMENT STRUCTURE, LIGHT EMITTING DIODE USING THE SAME, SEMICONDUCTOR LASER DIODE, AND OPTICAL AMPLIFIER例文帳に追加

分離閉じ込め構造を用いた発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、光増幅器 - 特許庁

To provide a method for producing a surface-emitting laser capable of aligning a center axis of a surface relief structure with that of a current confinement structure with high precision to reduce a surface damage during the producing process.例文帳に追加

表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心軸を高精度に位置合わせでき、作製過程において、表面への損傷の軽減が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid confinement structure is equipped with at least of two openings 10 used for supplying a liquid to a gap below the structure and extracting it.例文帳に追加

液体閉じ込め構造は、構造の下方の隙間に液体を供給しかつ液体を引き出すために使用される少なくとも二つの開口１０を備える。 - 特許庁

After forming a mask in the process S107, in the process S108, a current confinement structure is formed matched with the position of the desired periodic structure using the mask.例文帳に追加

工程Ｓ１０７でマスクを形成した後に、工程Ｓ１０８では、このマスクを用いて所望の周期構造の位置に合わせて電流閉じ込め構造を形成する。 - 特許庁

To improve confinement efficiency for light amplified by stimulated emission to limit a broadening width of outgoing laser light small and to prevent distribution of light emission from broadening with a simple structure of a chamfered structure.例文帳に追加

面取り構造という簡単な構造で、誘導放出によって増幅される光の閉じ込め効率を向上し、出射されるレーザ光の広がり幅を小さく制限すると共に、レーザ発光分布の広がりを防止する。 - 特許庁