「"confinement structure"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

VERTICAL LIGHT EMITTING DIODE (VLED) HAVING N-TYPE CONFINEMENT STRUCTURE WITH ETCH STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATION例文帳に追加

エッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造を備える垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）及びその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having a current and optical confinement structure consisting of an Al oxide layer on an InP substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上にＡｌ酸化層による電流及び光閉じ込め構造を有する半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

An ultrasonic transducer 24 emits ultrasonic beams 25 through a gas which exists under a liquid confinement structure 22.例文帳に追加

超音波トランスデューザー２４は、液体閉じこめ構造体２２の下に存在する気体を通して超音波ビーム２５を放出する。 - 特許庁

An ultrasonic transducer 24 emits an ultrasonic beam 25 through a gas present under a liquid confinement structure 22.例文帳に追加

超音波トランスデューザー２４は、液体閉じこめ構造体２２の下に存在する気体を通して超音波ビーム２５を放出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has a current and optical confinement structure consisting of an Al oxide layer and is provided with a constitution, wherein the laser element can be manufactured at low cost.例文帳に追加

Ａｌ酸化層による電流及び光閉じ込め構造を有し、低コストで作製できる構成を備えた半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

An immersion lithographic apparatus, arranged in a space where one or a plurality of liquid flow dividers are enclosed by a liquid confinement structure, is disclosed.例文帳に追加

１つ又は複数の液体分流器が液体閉じ込め構造によって囲まれた空間内に配置された液浸リソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁

To disclose a lithography apparatus comprising a substrate table, a projection system, a liquid confinement structure and a thermal measurement system.例文帳に追加

基板テーブル、投影システム、液体閉じ込め構造及び熱測定システムを備えるリソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁

The liquid immersion lithographic apparatus, arranged in a space wherein one or a plurality of liquid distributors are enclosed by a liquid confinement structure, is released.例文帳に追加

１つ又は複数の液体分流器が液体閉じ込め構造によって囲まれた空間内に配置された液浸リソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁

The article may be any one of the group consisting of a substrate table, an optical element, a shutter member, a sensor, a projection system, and a confinement structure.例文帳に追加

物品は、基板テーブル、光学要素、シャッタ部材、センサ、投影システム、及び封じ込め構造で構成されたグループのいずれか１つでよい。 - 特許庁

To provide an optical waveguide type optical switch with current confinement structure which has simple constitution and easily manufactured.例文帳に追加

構造が簡単で製作が容易な電流狭窄構造を有する光導波路型の光スイッチをを実現することにある。 - 特許庁

A supplying line for supplying the liquid to a gap outside the radial direction of openings adapted to two-layer flow and supplying the liquid to the liquid confinement structure, and an extracting line for extracting the liquid from the liquid confinement structure, have an inner surface having corrosion resistance against organic liquid.例文帳に追加

二層流に適合された開口の半径方向外側の隙間に液体を供給することができる、液体閉じ込め構造に液体を供給する供給ライン、および液体閉じ込め構造から液体を引き出す抽出ラインは、有機液体に対して耐腐食性のある内面を有する。 - 特許庁

The confinement structure (20) is generally aligned with a contact (22) on a main emission surface of the LED (10), and substantially prevents emission of a light from an area of the active region (18) matching an area of the confinement structure (20) and the top-surface contact (22).例文帳に追加

閉じ込め構造（２０）は、ＬＥＤ（１０）の主放射上面のコンタクト（２２）とほぼ一列に並んでおり、閉じ込め構造（２０）および上面コンタクト（２２）の面積と一致する活性領域（１８）の面積からの光の放射を実質的に妨げる。 - 特許庁

This lithography device includes: a projection system PS; and a liquid confinement structure for at least partially confining an immersion liquid in an immersion space demarcated by the projection system, a liquid confinement structure 12, and also a substrate and/or a substrate table.例文帳に追加

投影システムと、該投影システム、液体閉じ込め構造、並びに基板及び／又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液体閉じ込め構造とを含むリソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁

A method for fabricating the vertical light emitting diode (VLED) die includes the steps of: providing a carrier substrate 24A; forming on the carrier substrate an n-type confinement structure having at least one etch stop layer; forming an active layer on the n-type confinement structure; forming a p-type confinement layer on the active layer; and removing the carrier substrate.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 - 特許庁

A vertical resonator is provided on a substrate 101, and the vertical resonator includes a first reflective layer 102 on the substrate 101, an active layer 104 provided on the first reflective layer 102, a current confinement structure provided over the active layer 104, and a second reflective layer 109 provided over the current confinement structure.例文帳に追加

基板１０１上に垂直共振器が設けられ、垂直共振器は基板１０１上の第１反射層１０２と、第１反射層１０２上に設けられた活性層１０４と、この活性層１０４の上部に設けられた電流狭窄構造と、この電流狭窄構造の上部に設けられた第２反射層１０９とを含む。 - 特許庁

RARE EARTH ELEMENT ADDED SEMICONDUCTOR LAMINATE STRUCTURE FOR LIGHT EMITTING DEVICE USING SEPARATE CONFINEMENT STRUCTURE, LIGHT EMITTING DIODE USING THE SAME, SEMICONDUCTOR LASER DIODE, AND OPTICAL AMPLIFIER例文帳に追加

分離閉じ込め構造を用いた発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、光増幅器 - 特許庁

The liquid confinement structure confines immersion liquid at least partially to a space between the projection system and the substrate and/or substrate table, or between the both of them.例文帳に追加

液体閉じ込め構造は、投影システムと基板、基板テーブル、又はその両方との間にある空間に液浸液を少なくとも部分的に閉じ込める。 - 特許庁

The mesa stripe is buried in a high resistance Fe doped InP layer 28 and an n-type InP layer 29 grown sequentially to form a current confinement structure in the lateral direction.例文帳に追加

メサストライプは、順次成長させた、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９で埋め込まれ、横方向の電流閉じ込め構造が形成されている。 - 特許庁

The immersion lithographic apparatus may comprise a substrate table for supporting a substrate and a fluid confinement structure for confining immersion fluid between a projection system and the substrate table and/or the substrate.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置は、基板をサポートするための基板テーブルおよび投影システムと基板テーブルおよび／または基板との間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造を含んでもよい。 - 特許庁

An optical active layer has a quantum confinement structure where micro particles about 1-10 nm in size, or quantum dot of material with large interaction between light and electron, are carried.例文帳に追加

光活性層を、光と電子の大きな相互作用を持つ物質の量子ドット、概ね１〜１０ｎｍ程度の大きなの超微粒子を担持させた量子閉じ込め構造とした。 - 特許庁

Liquid immersion lithography equipment is provided with a liquid confinement structure for defining a space arranged to contain liquid between a projection system and a substrate at least partially.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置が、投影システムと基板との間に液体を含むように構成された空間を少なくとも部分的に画定する液体閉込め構造を設けられる。 - 特許庁

For example, a closing member is used to receive liquid in a liquid confinement structure while the substrate is replaced on a substrate table in an immersion lithographic apparatus.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置で、例えば基板が基板テーブル上で交換中に流体閉じ込め構造内に流体を収容するために閉鎖部材が使用される。 - 特許庁

In a liquid confinement structure of an immersion lithographic apparatus, an elongate continuous opening forms an outlet for supplying liquid to a space beneath a projection system.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置の液体閉じ込め構造では、細長い連続的な開口が投影システムの下の空間に液体を供給する出口を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a surface-emitting laser capable of aligning a center axis of a surface relief structure with that of a current confinement structure with high precision to reduce a surface damage during the producing process.例文帳に追加

表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心軸を高精度に位置合わせでき、作製過程において、表面への損傷の軽減が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid confinement structure is equipped with at least of two openings 10 used for supplying a liquid to a gap below the structure and extracting it.例文帳に追加

液体閉じ込め構造は、構造の下方の隙間に液体を供給しかつ液体を引き出すために使用される少なくとも二つの開口１０を備える。 - 特許庁

After forming a mask in the process S107, in the process S108, a current confinement structure is formed matched with the position of the desired periodic structure using the mask.例文帳に追加

工程Ｓ１０７でマスクを形成した後に、工程Ｓ１０８では、このマスクを用いて所望の周期構造の位置に合わせて電流閉じ込め構造を形成する。 - 特許庁

For example, a closing member 30 is used to receive liquid in a liquid confinement structure 12 while the substrate is replaced on a substrate table WT2 in an immersion lithographic apparatus.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置で、例えば基板が基板テーブルＷＴ２上で交換中に流体閉じ込め構造１２内に流体を収容するために閉鎖部材３０が使用される。 - 特許庁

This method is provided with a stripe-type ridge or mesa-post structure comprising a semiconductor layer 15 which contains Al and an InP layer 16, and a confinement structure is constituted of an Al oxide layer herein and Al of a semiconductor layer comprising Al is selectively oxidized.例文帳に追加

本半導体素子の作製方法は、Ａｌを含む半導体層１５とＩｎＰ層１６とを有するストライプ状のリッジ又はメサポスト構造を備え、かつＡｌを含む半導体層のＡｌを選択的に酸化させてなるＡｌ酸化層により閉じ込め構造を構成する半導体素子の作製方法である。 - 特許庁

The LED (10) including a p-type material layer having an associated p-contact, an n-type material layer having an associated n-contact, and an active region (18) between the p-type layer and the n-type is equipped with a confinement structure (20) formed in either one of the p-type material layer and the n-type material layer.例文帳に追加

関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層（１０）と、関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、ｐ型層とｎ型層との間の活性領域（１８）とを有するＬＥＤ（１０）は、ｐ型材料層またはｎ型材料層のいずれかの中に形成された閉じ込め構造（２０）を備える。 - 特許庁

Assuming a first axis 116 and a second axis 117 which are orthogonal to each other in a plane passing the current confinement structure and parallel to each of the layers, a light emission profile in the direction of the first axis 116 and a light emission profile in the direction of the second axis 117 are different.例文帳に追加

電流狭窄構造を通る面内で直交するとともに、各層に平行な第１軸１１６および第２軸１１７を想定した場合、第１軸１１６方向での発光プロファイルおよび前記第２軸１１７方向での発光プロファイルが異なっている。 - 特許庁

To provide a flat type solar concentration solar battery module remarkably improving an efficiency by devising a shape of a rear surface part of a gap between solar light power generating element and developing a new optical confinement structure satisfying an installing place and weather conditions.例文帳に追加

本発明は、太陽光発電素子の相互間の隙間における裏面部分の形状に工夫を加え、設置場所および気象条件にかなう新たな光閉じ込め構造を開発して、効率の大幅な向上を図った、平板集光太陽電池モジュールを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide photonic crystals into which refractive index distribution structure for providing the whole refractive index distribution in order to form the optical confinement structure of a practical device and performing connection with an external waveguide, an optical fiber or the like at a low loss is introduced, and a method for manufacturing the photonic crystals.例文帳に追加

実際のデバイスの光閉じこめ構造形成のために全体の屈折率分布を与えたり、外部の導波路や光ファイバ等との接続を低損失で行うための屈折率分布構造を導入したフォトニック結晶及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The apparatus also has a pinning surface having a plurality of meniscus pinning features, the pinning surface being part of or on the part of the lower surface, or part of or on the facing surface of the liquid confinement structure, or part of or on both.例文帳に追加

装置は、複数のメニスカス固定特徴部を備える固定表面も有し、固定表面は、下面の一部若しくは一部上、液体閉じ込め構造の対面表面の一部若しくは一部上又はこれら両方の一部若しくは一部上にある。 - 特許庁

A vertical light emitting diode (VLED) die 10A includes a p-type confinement layer 12A, an active layer 14A on the p-type confinement layer configured to emit light, and an n-type confinement structure 16A having at least one etch stop layer 22A configured to protect the active layer.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。 - 特許庁

For example, a closing member displacement mechanism using a combination of one or more leaf springs and one or more electromagnets, or a combination of one or more actuators and one or more pins, or a pressure source, is employed to move the closing member to or from the liquid confinement structure.例文帳に追加

閉鎖部材を流体閉じ込め構造へと、又は流体閉じ込め構造から移動させるために、例えば１つ又は複数の板ばねと１つ又は複数の電磁石の組合せ、又は１つ又は複数のアクチュエータと１つ又は複数のピンの組合せ、又は圧力源を使用する閉鎖部材移動機構が使用される。 - 特許庁

In the upper semiconductor DBR 107, an oxidized layer 108a containing at least an oxide generated by oxidizing part of selected oxidized layer containing aluminum and having 30 nm thickness surrounds a current passing-through region 108b and an oxidized confinement structure capable of simultaneously confining an injected current and a lateral mode of oscillation light is included in the upper semiconductor DBR.例文帳に追加

上部半導体ＤＢＲ１０７は、アルミニウムを含む厚さ３０ｎｍの被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる酸化狭窄構造体をその中に含んでいる。 - 特許庁

To prevent occurrence of a problem of deterioration of the light-emission intensity of an active layer by forming a structure in which an active layer containing nitrogen is formed after forming a p-type semiconductor layer and arranging a layer for selective oxidation mainly composed of AlAs within the p-type semiconductor layer, even if a part of the arranged layer for selective oxidation is selectively oxidized to form a current confinement structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層を形成した後に窒素を含む活性層を形成する構造とし、ｐ型半導体層中にＡｌＡｓを主成分とする被選択酸化層を配置し、配置された被選択酸化層の一部を選択的に酸化して電流狭窄構造を形成する場合にも、活性層の発光強度が劣化してしまうという問題が生じることを防止する。 - 特許庁