「confinement structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The fuel electrode diffusion electrode 11 of the fuel electrode 10 includes a structure in contact with a fuel holding structural body 48 via a fuel confinement permeation layer 45.例文帳に追加

燃料極１０の燃料極拡散電極１１は、燃料制限透過層４５を介して燃料保持構造体４８に接する構造とされている。 - 特許庁

The liquid confinement structure confines immersion liquid at least partially to a space between the projection system and the substrate and/or substrate table, or between the both of them.例文帳に追加

液体閉じ込め構造は、投影システムと基板、基板テーブル、又はその両方との間にある空間に液浸液を少なくとも部分的に閉じ込める。 - 特許庁

The mesa stripe is buried in a high resistance Fe doped InP layer 28 and an n-type InP layer 29 grown sequentially to form a current confinement structure in the lateral direction.例文帳に追加

メサストライプは、順次成長させた、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９で埋め込まれ、横方向の電流閉じ込め構造が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 comprises an active layer 45 of multiple quantum well structure, and separation confinement heterostructure (SCH) layers 42, 44, 50 and 52.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられた分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）層４２、４４、５０、５２を備えている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element using a group III nitride semiconductor substrate having a structure for improving the confinement of light into a light-emitting layer and reducing the generation of a crack.例文帳に追加

発光層への光の閉じ込めを向上すると共にクラックの発生を低減する構造を有しIII族窒化物半導体基板を用いる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The immersion lithographic apparatus may comprise a substrate table for supporting a substrate and a fluid confinement structure for confining immersion fluid between a projection system and the substrate table and/or the substrate.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置は、基板をサポートするための基板テーブルおよび投影システムと基板テーブルおよび／または基板との間に液浸流体を閉じ込めるための流体閉じ込め構造を含んでもよい。 - 特許庁

Since an etching mask having a fin pitch can be formed by ink jet method, a fine protruding/recessed structure can be obtained and since the light confinement effect is improved, a high efficiency solar cell can be produced.例文帳に追加

また、インクジェット法により、ピッチが小さいエッチング用マスクを形成できるので、微細な凹凸構造ができ、その結果、光閉じ込め効果が改善されるので、高効率の太陽電池を得ることができる。 - 特許庁

To enable a semiconductor device having an embedded structure to satisfactorily perform for example its current confinement function and thereby to enable the semiconductor device to exhibit excellent operational characteristics.例文帳に追加

埋め込み構造を有する半導体装置における例えば電流狭窄機能を十分に機能するようにして、半導体装置に良好な動作特性を得られるようにする。 - 特許庁

To provide a new structure for an AT cut crystal oscillating piece of a thickness slide oscillation mode, which can achieve the energy confinement effect and support miniaturization and can be manufactured simply and accurately, in order to attain low frequency operation and miniaturization.例文帳に追加

厚みすべり振動モードのＡＴカット水晶振動片において低周波化、小型化を図るべく、エネルギ閉じ込め効果を発揮し、小型化に対応しつつ簡単かつ高精度に製造できる新規な構造を提供する。 - 特許庁

An optical active layer has a quantum confinement structure where micro particles about 1-10 nm in size, or quantum dot of material with large interaction between light and electron, are carried.例文帳に追加

光活性層を、光と電子の大きな相互作用を持つ物質の量子ドット、概ね１〜１０ｎｍ程度の大きなの超微粒子を担持させた量子閉じ込め構造とした。 - 特許庁

Liquid immersion lithography equipment is provided with a liquid confinement structure for defining a space arranged to contain liquid between a projection system and a substrate at least partially.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置が、投影システムと基板との間に液体を含むように構成された空間を少なくとも部分的に画定する液体閉込め構造を設けられる。 - 特許庁

As for electrode constitution, an exciting electrode on a piezoelectric element board has thinning structure in order to perform energy confinement to only a desired resonance mode, to realize film thickness control and to make a film thickness free from the deterioration of a resistance value.例文帳に追加

電極構成を、所望の共振モードのみをエネルギー閉じ込め可能で、且つ、膜厚制御が可能で、更に、抵抗値劣化のない膜厚にするために、圧電素板上の励振用電極を間引き構造とする。 - 特許庁

To provide a simple manufacturing method for reducing the size of the texture of a crystal semiconductor substrate having an uneven structure for optical confinement on the surface.例文帳に追加

表面に光り閉じ込め用の凹凸構造を有する結晶系半導体基板のテクスチャのサイズを小さくする簡便な製造方法を提供すること。 - 特許庁

For example, a closing member is used to receive liquid in a liquid confinement structure while the substrate is replaced on a substrate table in an immersion lithographic apparatus.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置で、例えば基板が基板テーブル上で交換中に流体閉じ込め構造内に流体を収容するために閉鎖部材が使用される。 - 特許庁

In a liquid confinement structure of an immersion lithographic apparatus, an elongate continuous opening forms an outlet for supplying liquid to a space beneath a projection system.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置の液体閉じ込め構造では、細長い連続的な開口が投影システムの下の空間に液体を供給する出口を形成する。 - 特許庁

For the tubular discharge, a pulse voltage having a highly repetitive structure of ultrashort pulses is used to suppress Joule heating of the plasma, thereby achieving long-time (1 to 10 μs) plasma confinement by small Joule heating of the plasma.例文帳に追加

管状放電において、極短パルスの高繰り返し構造を持ったパルス電圧を用いることにより、プラズマのジュール加熱を抑制し、少ないプラズマのジュール加熱で長時間（１〜１０μｓ）のプラズマ閉じ込めが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser structure which has high tunneling efficiency, in a tunnel junction layer and in which light confinement or absorption is less likely to occur in the tunnel junction layer.例文帳に追加

トンネル接合層のトンネル効率が高く、トンネル接合層における光の閉じ込めや吸収が生じにくい半導体レーザ構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a door handle stroke switching structure that can prevent confinement in a vehicle due to forgetting an operating method of an operating member in an emergency.例文帳に追加

本発明は、非常時における操作部材の操作方法失念による車内閉じ込め防止等を可能とするドアハンドルストローク切替構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

For example, a closing member 30 is used to receive liquid in a liquid confinement structure 12 while the substrate is replaced on a substrate table WT2 in an immersion lithographic apparatus.例文帳に追加

液浸リソグラフィ装置で、例えば基板が基板テーブルＷＴ２上で交換中に流体閉じ込め構造１２内に流体を収容するために閉鎖部材３０が使用される。 - 特許庁

To provide a double-core fiber which can maintain an optical confinement level having a resistance to disturbance over the longitudinal direction of waveguide structure of a core even when the variation rate of outside diameter is large and can perform rigid waveguide.例文帳に追加

外径の変化率が大きくてもコアの導波構造が長手方向にわたって外乱に強い閉じ込めレベルを維持し、強固な導波が行われるダブルコアファイバの提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a laser diode structure where an enhanced coefficient of transverse optical confinement and a low series resistance are realized, and whose absorption loss due to a p-electrode can be controlled.例文帳に追加

高い横方向光閉じ込め係数と低い直列抵抗とを実現し、かつｐ電極による吸収損失を抑制できるレーザダイオード構造を提供する。 - 特許庁

Due to this structure, when electrons are excited by light in the carrier confinement layers C1-C3, the quantum wave interference layers are propagated by waves from an (n) layer to a (p) layer, to allow a photoelectric current to flow at high speeds.例文帳に追加

この構造によりキャリア閉込層Ｃ_1〜Ｃ_3に電子が光励起されるとｎ層からｐ層へ量子波干渉層を波動で伝搬し、光電流が高速に流れる。 - 特許庁

To provide an amorphous-crystalline junction type thin-film solar cell in which the defective density in the crystalline semiconductor layer is reduced while the light confinement effect is sufficiently provided by a rough texture structure.例文帳に追加

結晶質半導体層中の欠陥密度が低減され、かつ凹凸テクスチャー構造による光閉込効果が十分に得られるアモルファス−結晶質接合型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

Quantum well structures, having different widths for controlling the distribution of two-dimensional carriers by electronic holes or electrons, are formed by utilizing the lengths of different photo-isolation confinement structures, and the structures are stuck to form into a multiple structure.例文帳に追加

異なる光分離閉じ込め構造の長さを利用して、電子ホール、もしくは電子によって二次元キャリアの分布を制御する幅の異なる量子井戸構造を形成し、これを積み重ねて多重構造とする。 - 特許庁

To provide an amorphous-crystalline junction thin film solar cell in which defect density is reduced in the crystalline semiconductor layer, and sufficient light confinement effect can be attained by a texture structure of protrusions and recesses.例文帳に追加

結晶質半導体層中の欠陥密度が低減され、かつ凹凸テクスチャー構造による光閉込効果が十分に得られるアモルファス−結晶質接合型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

The active region 19 has a region of carrier concentration not higher than 1×10^16 cm^-3 in the light confinement layers 43a, 47a and the quantum well structure section 45a with the total thickness of ≥270 nm.例文帳に追加

活性領域１９が、光閉じ込め層４３ａ、４７ａ並びに量子井戸構造部４５ａに総厚２７０ｎｍ以上の１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度の領域を有する。 - 特許庁

This method is provided with a stripe-type ridge or mesa-post structure comprising a semiconductor layer 15 which contains Al and an InP layer 16, and a confinement structure is constituted of an Al oxide layer herein and Al of a semiconductor layer comprising Al is selectively oxidized.例文帳に追加

本半導体素子の作製方法は、Ａｌを含む半導体層１５とＩｎＰ層１６とを有するストライプ状のリッジ又はメサポスト構造を備え、かつＡｌを含む半導体層のＡｌを選択的に酸化させてなるＡｌ酸化層により閉じ込め構造を構成する半導体素子の作製方法である。 - 特許庁

More preferably, since a carrier confinement layer 28 having the band gap energy larger than that of the first barrier layer 2a is provided in the second conductivity type layer 12, a band structure opposed to a non- symmetrical structure of the active layer is provided in each conductivity type layer sandwiching the active layer.例文帳に追加

更に好ましくは、第２導電型層１２内には、第１の障壁層２ａよりもバンドギャップエネルギーの大きなキャリア閉じ込め層２８が設けられることで、活性層を挟む各導電型層に、活性層の非対称構造とは反対のバンド構造が設けられる。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser is provided with a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are laminated in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁

The VCSEL includes a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are layered in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁

To provide photonic crystals into which refractive index distribution structure for providing the whole refractive index distribution in order to form the optical confinement structure of a practical device and performing connection with an external waveguide, an optical fiber or the like at a low loss is introduced, and a method for manufacturing the photonic crystals.例文帳に追加

実際のデバイスの光閉じこめ構造形成のために全体の屈折率分布を与えたり、外部の導波路や光ファイバ等との接続を低損失で行うための屈折率分布構造を導入したフォトニック結晶及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 has an active layer 5 of quantum well structure comprising a clad layer 9 composed of p-type semiconductor material, a clad layer 3 composed of n-type semiconductor material and a light confinement layer, and emits a laser beam from the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｐ型半導体材料からなるクラッド層９とｎ型半導体材料からなるクラッド層３と光閉じ込め層と量子井戸構造からなる活性層５を有し、活性層５から出射されるレーザ光を出射する。 - 特許庁

To provide a structure for reducing resistance loss due to the small thickness of an electrode for an energy confinement type piezoelectric vibrator which obtains basic wave vibration of ≥100 MHz by forming a very thin part by etching, etc., on an AT-cut piezoelectric diaphragm.例文帳に追加

ＡＴカット圧電振動板にエッチング等の手段により超薄肉部を形成し、１００ＭＨｚ以上の基本波振動を得るエネルギー閉じ込め型の圧電振動子において、電極の薄さに起因する抵抗損失を小さくする為の構造を提供すること課題とする。 - 特許庁

In the electro-optic device, a stack structure including a first silicon semiconductor layer of a first conductivity type and a second silicon semiconductor layer of a second conductivity type has a rib waveguide shape to form an optical confinement area, and a slab portion of a rib waveguide includes an area to which a metal electrode is connected.例文帳に追加

電気光学装置において、第１の導電型の第１のシリコン半導体層と第２の導電型の第２のシリコン半導体層との積層構造がリブ導波路形状を有して光の閉じ込め領域を構成し、リブ導波路のスラブ部分に、金属電極が接続された領域を設ける。 - 特許庁

The LED (10) including a p-type material layer having an associated p-contact, an n-type material layer having an associated n-contact, and an active region (18) between the p-type layer and the n-type is equipped with a confinement structure (20) formed in either one of the p-type material layer and the n-type material layer.例文帳に追加

関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層（１０）と、関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、ｐ型層とｎ型層との間の活性領域（１８）とを有するＬＥＤ（１０）は、ｐ型材料層またはｎ型材料層のいずれかの中に形成された閉じ込め構造（２０）を備える。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode in the structure with a plurality of light-emitting layers being laminated wherein the other light-emitting layer can also be used as a carrier confinement layer for one of the light-emitting layers and productivity can also be improved by enabling continuous formation of layers.例文帳に追加

複数の発光層を重畳してなる発光ダイオードであり、他の発光層を前記１つの発光層へのキャリア閉じ込め層としても利用可能に構成したことにあり、さらに連続層形成を可能として生産性を向上させたものである。 - 特許庁

Assuming a first axis 116 and a second axis 117 which are orthogonal to each other in a plane passing the current confinement structure and parallel to each of the layers, a light emission profile in the direction of the first axis 116 and a light emission profile in the direction of the second axis 117 are different.例文帳に追加

電流狭窄構造を通る面内で直交するとともに、各層に平行な第１軸１１６および第２軸１１７を想定した場合、第１軸１１６方向での発光プロファイルおよび前記第２軸１１７方向での発光プロファイルが異なっている。 - 特許庁

A channel layer 4 is grown from a principal surface of a substrate 2 having a nonpolar surface as the principal surface and an electron confinement layer 5 is further grown on the channel layer 4 to form a nitride semiconductor stack structure portion 3 on one surface side of the substrate 2.例文帳に追加

非極性面を主面とする基板２の主面からチャネル層４を成長させ、このチャネル層４上にさらに電子閉じ込め層５を成長させることによって、基板２の一方側に窒化物半導体積層構造部３を形成する。 - 特許庁

To provide a flat type solar concentration solar battery module remarkably improving an efficiency by devising a shape of a rear surface part of a gap between solar light power generating element and developing a new optical confinement structure satisfying an installing place and weather conditions.例文帳に追加

本発明は、太陽光発電素子の相互間の隙間における裏面部分の形状に工夫を加え、設置場所および気象条件にかなう新たな光閉じ込め構造を開発して、効率の大幅な向上を図った、平板集光太陽電池モジュールを提供することを課題とする。 - 特許庁

A reference loop 6 is placed in a space inside a rib member 3 provided between a inner wall 1 and an outer wall 2 of a torus type vacuum container 4 with a double wall structure for a magnetic confinement type nuclear fusion device, and a main loop 5 is placed outside the outer wall 2.例文帳に追加

磁気閉じ込め方式核融合装置の二重壁構造のトーラス型真空容器４の内壁１と外壁２の間に設けられたリブ部材３内部の空間内に参照ループ６が配置され、主ループ５は外壁２外側に配置されている。 - 特許庁

To provide a laminated piezoelectric ceramic component wherein various kinds of applicable insulating materials can be used, a damage to a ceramic can be suppressed, the confinement of changing can be prevented, an insulation layer can be formed at an optional place, being independent of a lamination structure, and the production of other kind of items and small quantity can be relaized.例文帳に追加

積層型圧電セラミックス素子において、扱える絶縁材の種類を広げ、セラミックに与えるダメージを抑え、変位の拘束も抑制可能とし、積層構造に左右されず任意の場所に絶縁層を形成でき他品種少量生産を可能とする。 - 特許庁

The laminate structure is constituted in such a manner that a laminate portion including an oxide-confinement layer 107 on an active layer 105 is formed in a first mesa post M1 and a laminate portion including a part of the active layer 105 and an n-type contact layer 104 is formed in a second mesa post M2.例文帳に追加

積層構造は、活性層１０５の上側の酸化狭窄層１０７を含む積層部分が第１のメサポストＭ１に形成され、活性層１０５及びｎ型コンタクト層１０４の一部を含む積層部分が第２のメサポストＭ２に形成される。 - 特許庁

The apparatus also has a pinning surface having a plurality of meniscus pinning features, the pinning surface being part of or on the part of the lower surface, or part of or on the facing surface of the liquid confinement structure, or part of or on both.例文帳に追加

装置は、複数のメニスカス固定特徴部を備える固定表面も有し、固定表面は、下面の一部若しくは一部上、液体閉じ込め構造の対面表面の一部若しくは一部上又はこれら両方の一部若しくは一部上にある。 - 特許庁

To provide an underground water drainage structure which is cost effective both in terms of construction and maintenance and makes efficient water collection and drainage possible even when an ambient underground water level is low in an original position confinement construction method for surely preventing the diffusion of polluted soil.例文帳に追加

汚染土壌の拡散を確実に防止するための原位置封じ込め工法において、施工面、維持管理面の両者において経済的であり、周辺地下水位が低い場合でも効率的な集排水が可能な地下水集排水構造を提供する。 - 特許庁

To provide a quantum well structure capable of improving performance of characteristics to obtain the quantum well structure having a crystal with a large In composition thicker than conventional ones as a quantum well layer, an optical confinement type quantum well structure, semiconductor laser, distributed feedback semiconductor laser, a spectrograph and a manufacturing method of the quantum well structure.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁