cvd-wとは 意味・読み方・使い方

An Si wafer W is placed in the suscepter 5 provided in a CVD unit 1, and the wafer W is plasma processed by applying an RF power.例文帳に追加

ＣＶＤ装置１に備わるサセプタ５にＳｉウェハＷを載置し、ＲＦ電力の印加によりＳｉウェハＷに対してプラズマ処理を施す。 - 特許庁

To prevent a wavy deformation in the end of a substrate W and an abnormal arc discharge, in a plasma CVD apparatus 1.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１において、基材Ｗの端部の波状変形や異常なアーク放電を防止する。 - 特許庁

A plurality of wafers W of small size are sucked/held by a holding means 70 of a CVD device 1 for large size.例文帳に追加

小サイズの複数のウェハＷを大サイズ用のＣＶＤ装置１の保持手段７０にて吸着保持する。 - 特許庁

To provide a CVD film forming method for forming a W new creation film of high quality on a WxN film and moreover forming a W film of high quality thereon.例文帳に追加

ＷｘＮ膜上に高品質のＷニュークリエーション膜を形成し、ひいては高品質のＷ膜を形成するためのＣＶＤ成膜方法を提供すること。 - 特許庁

A W-film 2 is deposited on the substrate 1 to be treated by CVD (Chemical Vapor Deposition) using gaseous W(CO)_6 (stage 1), and a part or the whole of the W-film 2 deposited in this way is subjected to nitriding by plasma comprising gaseous N_2 (stage 2), so that the W-based film is obtained.例文帳に追加

被処理基板１上にＷ（ＣＯ）_６ガスを用いたＣＶＤによりＷ膜２を成膜し（工程１）、そのようにして成膜したＷ膜２の一部または全部をＮ_２ガスを含むプラズマで窒化してＷＮ膜３とし（工程２）、Ｗ系膜を得る。 - 特許庁

A via hole and a trench are formed in an insulating film on a wafer W, and a CVD-Ru film is formed thereupon as a barrier layer.例文帳に追加

ウエハＷ上の絶縁膜にビアホールとトレンチを形成し、この上にバリア層としてＣＶＤ−Ｒｕ膜を成膜する。 - 特許庁

Thereafter, a W nucleus film is formed on the barrier metal film by a CVD method of reducing a WF_6 gas with a B_2H_6 gas.例文帳に追加

その後、ＷＦ_6ガスをＢ_2Ｈ_6ガスにより還元させるＣＶＤ法により、Ｗ核付け膜をバリアメタル膜上に形成する。 - 特許庁

A MOSFET structure adopts as a gate stack a three-layered structure composed of a TiN-type layer 102 formed through a CVD method, a TiN layer 103 formed through a PVD method, and a W metal layer 104 formed through a CVD method.例文帳に追加

ゲート・スタックに三層構造、すなわちＣＶＤによるＴｉＮ形層（１０２）、ＰＶＤによるＴｉＮ層（１０３）及びＣＶＤによるＷ金属層（１０４）を取り入れたＭＯＳＦＥＴ構造。 - 特許庁