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density interfaceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 密度境界面
「density interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 173件
A misfit dislocation density at an interface 27a is lower than a misfit dislocation density at an interface 27b.例文帳に追加
界面27aにおけるミスフィット転位密度は界面27bにおけるミスフィット転位密度より低い。 - 特許庁
In this layer structure, a p-type impurity density at the area near the hetero interface of the interface 1 is specified as follows.例文帳に追加
この層構成において、界面1のヘテロ界面近傍のp型不純物密度を以下のように規定する。 - 特許庁
To decrease a density of an interface state formed in an interface between silicon carbide semiconductor layer and a silicon oxide layer.例文帳に追加
炭化珪素半導体層と酸化珪素層の界面に形成される界面準位の密度を小さくする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing SOI wafer for reducing interface level density at the interface between an SOI layer and an insulator.例文帳に追加
SOI層と絶縁体との界面の界面準位密度を低減するSOIウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
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「density interface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 173件
Setting of a printing density is received by a user interface for selecting a reference density or a low density thinner than the reference density, and a selection part for selecting whether the printing density when printing a specified color is made more dense than the low density is displayed to be selectable in the user interface, when the setting of the received printing density is the low density.例文帳に追加
基準の濃度あるいは前記基準の濃度よりも薄い低濃度を選択するユーザーインターフェースによって印刷濃度の設定を受け付け、受け付けた前記印刷濃度の設定が前記低濃度である場合、特定の色を印刷する際の前記印刷濃度を前記低濃度よりも濃くするか否かを選択するための選択部を前記ユーザーインターフェースにおいて選択可能に表示する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a gate oxide film/a semiconductor interface having an interface level density, and a method for forming the same.例文帳に追加
界面準位密度のゲート酸化膜/半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。 - 特許庁
When the interface is saturated with the deuterium, trap density at the interface is decreased, resulting in reduced degradation of hot carrier of a channel.例文帳に追加
界面が重水素で飽和されると、界面のトラップ密度が減少し、それによりチャネルのホットキャリヤの劣化が減少する。 - 特許庁
Density correction processing makes it possible to select 'automation', 'user setting', or 'no setting' by using a user interface.例文帳に追加
濃度補正処理は、ユーザインターフェイスにて、「自動」、「ユーザ設定」「しない」を選択可能とする。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加
界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
USER INTERFACE PROGRAM FOR CHANGING TIME SCALE IN ACCORDANCE WITH DENSITY OF TIME SERIES DATA, SYSTEM AND METHOD例文帳に追加
時系列データの疎密に応じてタイムスケールを変更するユーザインタフェースプログラム、システム及び方法 - 特許庁
To lower interface level density in an interface with an oxide film in a semiconductor device having an MOS structure using an SiC semiconductor.例文帳に追加
SiC半導体を用いたMOS構造を有する半導体装置において、酸化膜との界面における界面準位密度を低くする。 - 特許庁
To visualize an interface of a low density ratio existing in a portion invisible to the naked eye to observe a phenomenon generated in the interface.例文帳に追加
肉眼では視認できない箇所に存在する低密度比の界面を可視化して、該界面において起こる現象を観察できるようにする。 - 特許庁
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