「density interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To decrease a density of an interface state formed in an interface between silicon carbide semiconductor layer and a silicon oxide layer.例文帳に追加

炭化珪素半導体層と酸化珪素層の界面に形成される界面準位の密度を小さくする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing SOI wafer for reducing interface level density at the interface between an SOI layer and an insulator.例文帳に追加

ＳＯＩ層と絶縁体との界面の界面準位密度を低減するＳＯＩウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Setting of a printing density is received by a user interface for selecting a reference density or a low density thinner than the reference density, and a selection part for selecting whether the printing density when printing a specified color is made more dense than the low density is displayed to be selectable in the user interface, when the setting of the received printing density is the low density.例文帳に追加

基準の濃度あるいは前記基準の濃度よりも薄い低濃度を選択するユーザーインターフェースによって印刷濃度の設定を受け付け、受け付けた前記印刷濃度の設定が前記低濃度である場合、特定の色を印刷する際の前記印刷濃度を前記低濃度よりも濃くするか否かを選択するための選択部を前記ユーザーインターフェースにおいて選択可能に表示する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a gate oxide film/a semiconductor interface having an interface level density, and a method for forming the same.例文帳に追加

界面準位密度のゲート酸化膜／半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。 - 特許庁

When the interface is saturated with the deuterium, trap density at the interface is decreased, resulting in reduced degradation of hot carrier of a channel.例文帳に追加

界面が重水素で飽和されると、界面のトラップ密度が減少し、それによりチャネルのホットキャリヤの劣化が減少する。 - 特許庁

Density correction processing makes it possible to select 'automation', 'user setting', or 'no setting' by using a user interface.例文帳に追加

濃度補正処理は、ユーザインターフェイスにて、「自動」、「ユーザ設定」「しない」を選択可能とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

USER INTERFACE PROGRAM FOR CHANGING TIME SCALE IN ACCORDANCE WITH DENSITY OF TIME SERIES DATA, SYSTEM AND METHOD例文帳に追加

時系列データの疎密に応じてタイムスケールを変更するユーザインタフェースプログラム、システム及び方法 - 特許庁

To lower interface level density in an interface with an oxide film in a semiconductor device having an MOS structure using an SiC semiconductor.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体を用いたＭＯＳ構造を有する半導体装置において、酸化膜との界面における界面準位密度を低くする。 - 特許庁

To visualize an interface of a low density ratio existing in a portion invisible to the naked eye to observe a phenomenon generated in the interface.例文帳に追加

肉眼では視認できない箇所に存在する低密度比の界面を可視化して、該界面において起こる現象を観察できるようにする。 - 特許庁

In the case where the density of a printed image is not a satisfactory one even though the image density is increased to the utmost by a normal image density adjusting UI (user interface), the users access the maximum density increasing UI screen, and then, the user inputs instructions to increase the maximum density.例文帳に追加

通常の画像濃度調整用のＵＩ（ユーザインタフェース）で画像濃度を最大限まで上げても、印刷結果の画像濃度が十分でない場合、ユーザは、最大濃度上昇用のＵＩ画面を呼び出し、最大濃度の上昇指示を入力する。 - 特許庁

The scroll bar comprises a graphical user interface which changes its contrast in response to the density of the information amount.例文帳に追加

前記スクロールバーは情報量の疎密に応じて濃淡が変化するグラフィカルユーザインタフェースを備える。 - 特許庁

To provide a fine particle containing body, having a uniform fine-particle density near the interface with a substrate.例文帳に追加

基板との界面近傍に均一な微粒子密度を有する微粒子含有体を提供すること。 - 特許庁

Consequently, the interfacial level density in the interface between the insulating film 4 and semiconductor substrate 1 falls.例文帳に追加

これにより、ゲート絶縁膜４と半導体基板１との界面での界面準位密度が低下する。 - 特許庁

The first oil 70a and the second oil 70b are respectively made up of different materials in acoustic impedance density, thereby enabling the interface of the first oil 70a and the second oil 70b to be used as a reflecting surface 71 made of the different materials in the acoustic impedance density.例文帳に追加

そして、これら第１オイル７０ａと第２オイル７０ｂが音響インピーダンス密度の異なる物質で構成されるようにする。 - 特許庁

The storage cell further comprises interface state density formed by a polysilicon film and a silicon nitride film to the film (2) side of a tunnel discharging side, and a main body of holding charge for storing information carried to the interface state density so that the silicon nitride film can be thinned.例文帳に追加

トンネル放出側の酸化膜（２）寄りにポリシリコン膜とシリコン窒化膜による界面準位を形成し、これに情報記憶のための電荷保持の主体を担わせ、シリコン窒化膜の薄膜化を可能にした。 - 特許庁

As a result, making interface state not to concentrate at a high density around a conduction band is made possible.例文帳に追加

このため、界面準位がコンダクションバンド近辺に高密度に集中しないようにすることが可能となる。 - 特許庁

METHOD AND USER INTERFACE FOR MODIFYING AT LEAST ONE OF CONTRAST AND DENSITY OF PIXELS OF IMAGE TO BE PROCESSED例文帳に追加

処理される画像の画素のコントラスト及び濃度の少なくとも１つを修正する方法とユーザーインターフエース - 特許庁

To secure reliable high-density seal to an interface zone between a constant velocity joint and a hub bearing unit.例文帳に追加

定速度ジョイントとハブベアリングユニットとの間の界面ゾーンに対する信頼性の高い密閉シールを確実にする。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film in which the interface property of a silicon substrate and a silicon oxide film is good, and which produces the thin film with good low interface trap density.例文帳に追加

低温で、シリコン基板とシリコン酸化膜との界面特性が良好であり、低界面トラップ密度の良質な薄膜を作製する薄膜形成方法を提案する。 - 特許庁

Carbon remaining on the interface 15 of SiC and SiO_2 is removed and the defect is inactivated by nitriding and thereby interface level density decreases greatly.例文帳に追加

窒化処理により、ＳｉＣとＳｉＯ_2との界面１５に残っていた炭素が除去されるとともに欠陥が不活性化され、界面準位密度が大きく低下する。 - 特許庁

Oxygen peak density at an interface portion between the nitride semiconductor substrate 10 and the electrode 20 is ≥29 atom%, and also carbon peak density is ≤11 atom%.例文帳に追加

窒化物半導体基板１０と電極２０との界面部分における酸素ピーク濃度が２９原子％以上で、且つ炭素ピーク濃度が１１原子％以下である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a two-layer gate insulating film of silicon oxide nitride film/silicon nitride film, with a low interface level density.例文帳に追加

界面準位密度の低いシリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜の２層ゲート絶縁膜を製造方法を提供する。 - 特許庁

The density and the flow rate of a liq. passing there are detected, the density of a lower layer liq. 13 being extracted by a specified quantity is stored as a reference density, and if an input density lowers below a predetermined value from the reference density or the integrated value of the extraction quantity exceeds a target value, an interface detection signal is outputted.例文帳に追加

そして、通過する液の密度と流量を検出し、下層液13の所定量抜き出し時の密度を基準密度として記憶し、入力される密度が基準密度より予め定めた設定値以上低下するか、あるいは抜き出し量の積算値が目標値を超えると、界面検出信号を出力する。 - 特許庁

A MOS interface at a low interface order density is formed by an oxygen radical processing, and further a formation of an insulation film by a SiO deposition with lower damages is continued during an oxygen radical ambience.例文帳に追加

酸素ラジカル処理により低界面順位密度のＭＯＳ界面を形成し、更に低ダメージなＳｉＯ蒸着による絶縁膜形成を酸素ラジカル雰囲気中で連続しておこなう。 - 特許庁

The density of an interface trap is decreased, because undesirable formations of interface compounds at the time of growing the dielectric and thereafter is suppressed, by providing interfaces in which the non-oxygen chalcogen is rich.例文帳に追加

非酸素カルコゲンに富んだ界面を設けることによって、誘電体成長時およびその後の望ましくない界面化合物の形成が抑制され、界面トラップの密度が低下する。 - 特許庁

Consequently, since an interface state (interface state density) between the insulating film and the end of the pn junction is decreased, the leakage current is reduced and current properties are improved.例文帳に追加

これによって、絶縁膜とＰＮ接合の端部との間の界面準位（界面準位密度）が減少するので、リーク電流を低減し、電流特性を向上することができる。 - 特許庁

To provide a printed wiring board structure with which high-density wiring and high-density packaging can be expected, and a bus connection interface mechanism between mounted devices can be raised in speed.例文帳に追加

高密度配線、高密度実装化が期待できるとともに、実装デバイス相互におけるバス接続インターフェイス機構のより高速化を可能にしたプリント配線板構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose interface level density can be made to be less than usual, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

従来よりも界面準位密度を低減させることができる半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for an HBT (Hetero junction Bipolar Transistor) having an emitter-base interface of low density at the level of a recombination center.例文帳に追加

再結合中心となる準位の濃度が小さいエミッタ・ベース界面を有するＨＢＴ用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The interface between the first and second layers may have an interfacial trap density which is lower than 1010 cm-2 eV.例文帳に追加

第１及び第２の層間の界面は、１０^１０ｃｍ^−２ｅＶより低い界面トラップ密度を持つことを特徴とする。 - 特許庁

A carbon density, an oxygen density, and a silicon density in an interface 17 between the semiconductor single crystal wafer 13 and the homoepitaxial film 15 are respectively less than 4×10^18/cm^3, less than 1×10^18/cm^3, and less than 4×10^18/cm^3.例文帳に追加

半導体単結晶ウエハ１３とホモエピタキシャル膜１５との界面１７における炭素濃度、酸素濃度、シリコン濃度は４×１０^１８個／ｃｍ^３未満、１×１０^１８個／ｃｍ^３未満、４×１０^１８個／ｃｍ^３未満である。 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing interface state density and suppressed in characteristic fluctuation and leakage current, and its manufacturing method.例文帳に追加

界面準位を低減し、特性変動及びリーク電流の少ない半導体製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor by which interface level density between a silicon layer and a gate insulating film can be lowered.例文帳に追加

シリコン層とゲート絶縁膜の間の界面準位密度を低下させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for evaluating a transistor comprises the step of measuring capacity-voltage in a quasi-static manner, and extracting the interface fault by using the Poisson equation and the carrier density equation.例文帳に追加

容量-電圧測定を準静的に行い、ポアソン方程式とキャリア密度方程式を用いて、界面欠陥を抽出する。 - 特許庁

To provide a fine particle containing body having a uniform fine-particle density along the interface 50a with the outside in an insulator 50.例文帳に追加

絶縁体５０中に外部との界面５０ａに沿って均一な微粒子密度を有する微粒子含有体を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor which is capable of effectively reducing the state density of the interface between a sapphire substrate and a nitride semiconductor.例文帳に追加

サファイアと窒化物半導体の間の界面準位を有効に低減させる窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the gate oxide film is made even, the interface state density at the interface of the gate oxide film and epitaxial layer can be reduced, and the excellent MOSFET with channel resistance reduced can be achieved.例文帳に追加

したがって、ゲート酸化膜が均一で、且つゲート酸化膜とエピタキシャル層の界面における界面準位密度を低減でき、チャネル抵抗が低減された優れたＭＯＳＦＥＴが実現できる。 - 特許庁

Further, annealing processing is carried out to form an interface bond state in which the Ga-N bond is dominant in a nitriding layer 5, thereby the interface level density can be made to be much lower.例文帳に追加

また、アニール処理することにより、窒化処理層５においてＧａ−Ｎ結合が支配的となった界面結合状態を形成し、界面準位密度を一段と低減させることができる。 - 特許庁

The first low density substance layer 22 and the second low density substance layer 32 are stacked in the order in which they are directly in contact with each other at an interface between the multilayer film structure 20 and the upper stacked structure 30.例文帳に追加

多層膜構造２０と上部積層構造３０との界面において、第１の低密度物質層２２と第２の低密度物質層３２とが直接接するような積層順序とされる。 - 特許庁

A concentration phase containing a concentration element having higher element density than average density in magnetic particles is incorporated in the interface between the magnetic particles constituting the magnetic substance formed body and an insulating film.例文帳に追加

磁性体成形体を構成する磁性粒子と絶縁皮膜との界面に、前記磁性粒子における平均濃度よりも高い元素濃度を有する濃化元素を含む濃化相を存在させる。 - 特許庁

A wiring structure is formed, a background (temperature, current density) is solved by a finite element method, and a diffusion analysis is carried out by the use of an electron wind power proportional to a current density and diffusion coefficients (lattice, grain boundary, interface, surface) related to crystal structures, to obtain void density.例文帳に追加

配線の構造を作成し、背景場（温度、電流密度）を有限要素法で解き、電流密度に比例した電子風力と各結晶構造に関わる拡散係数（格子、粒界、界面、表面）を用いて拡散解析を行い、空孔濃度を求める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device improved in reliability of a gate oxide film, and reduced in an interface state density.例文帳に追加

ゲート酸化膜の信頼性の向上と界面準位密度を低減するための、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin metal oxide film by which the thin metal oxide film can be formed with a low interface state density.例文帳に追加

界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁