「density interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A metallic element such as Hf is introduced to vicinity of an interface of the gate electrodes 23 and 24 and the gate insulating films 14 and 15 with face density of 1×10^13 to 5×10^14 atom/cm^2.例文帳に追加

ゲート電極２３，２４とゲート絶縁膜１４，１５との界面近傍に、１×１０^１３〜５×１０^１４原子／ｃｍ^２の面密度でＨｆのような金属元素が導入されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor substrate in which the thin film transistor substrate having high mobility as a transistor and low interface level density of a gate insulating film can be manufactured at low cost.例文帳に追加

トランジスタとしての移動度が高く、ゲート絶縁膜の界面準位密度が低い薄膜トランジスタ基板を低コストで製造することができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, a dislocation defect density existing in an interface between at least any one of the first and second Fe(001) layers and the single crystal MgO(001) is 25-50 pcs./μm or low.例文帳に追加

この際、第１あるいは第２のうち少なくともいずれか一方のＦｅ（００１）層と単結晶ＭｇＯ（００１）との間の界面に存在する転位欠陥の密度が２５〜５０個／μｍ以下である。 - 特許庁

To grow a single crystal having a low dislocation density in a good yield by preventing that the solid-liquid interface becomes a shape recessed to the melt side when the single crystal is grown by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いるに当たり、固液界面の形状が融液側に凹面になってしまうのを抑制することにより、転位密度の低い単結晶を歩留まり良く育成する。 - 特許庁

To provide a usable bus monitor device even when a relative density of image data occupying data on an interface is increased, the types of the image data are increased, and their forms become complicated.例文帳に追加

インターフェース上のデータの中で画像データの占める比重が高まるとともに、その画像データの種類も増え、形式も複雑になってきている場合にも、使い勝手の良いバスモニター装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a quartz-based optical waveguide having low dependence on polarized waves that crystallization is prevented near the interface of the upper clad in contact with the core waveguide and core waveguides can be arranged in high density.例文帳に追加

コア導波路と接する上部クラッド部界面付近に結晶が発生しないようにし、かつコア導波路の高密度配列を可能にした偏波依存性に小さい石英系光導波路を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which EPD (etch pit density) can be further reduced by grasping the exact position of the crystal growth interface in a crucible and controlling the position of a temperature gradient region relative to the crucible in single crystal growth by a vertical boat method, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

縦型ボート法の単結晶成長において，るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し，るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for imaging a two-dimensional electron density distribution and a nucleus scattering length density distribution on a surface, an interface and a specific depth position of a thin film and a multilayered film having nonuniform and different structure for every place in plane, by an X-ray reflectometry and neutron reflectometry.例文帳に追加

Ｘ線反射率法および中性子反射率法において、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜について、表面や界面、特定深さ位置における２次元の電子密度分布および核散乱長密度分布を画像化する方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

Further, a dopant reducing trap density of electric charges moving in and out of the charge storage layer 7 through the tunnel insulating film 6 is introduced into a region 7a on the side of an interface with the tunnel insulation film 6, or introduced into the region 7a to higher density than into another region 7b.例文帳に追加

また、電荷蓄積層７には、トンネル絶縁膜６を介して内部に出入りする電荷のトラップ密度を低減させるドーパントがトンネル絶縁膜６との界面側の領域７ａに導入されているか、もしくは領域７ａにはそれ以外の領域７ｂに比べてドーパントが高い濃度で導入されている。 - 特許庁

The region C has a decreasing SiO_2 component density ratio and an increasing MgF_2 component density ratio gradually from the region mainly of SiO_2 to the region mainly of MgF_2, and the region D is opposite to the region C, so that there is no clear interface between the regions C and D.例文帳に追加

領域ＣはＳｉＯ_2を主とする領域からＭｇＦ_2を主とする領域にかけて徐々にＳｉＯ_2の成分濃度比率が小さく、同時にＭｇＦ_2の成分濃度比率が大きくなり、領域Ｄでは領域Ｃと逆の関係となり、これらの領域Ｃ〜Ｄ間には明確な界面は存在しない。 - 特許庁

A cavity 15 is formed by selectively etching the GaAs crystal of the substrate 11 from the lateral direction in the interface between the conductive layer 12 and the substrate 11, in which misfit transitions exist at a high density due to the difference in lattice constant between the InAs and GaAs.例文帳に追加

ＩｎＡｓとＧａＡｓの格子定数差から界面に高密度のミスフィット転移が存在しているＧａＡｓ結晶を選択的に横方向からエッチングすることにより空孔１５を形成している。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device wherein a gate insulating film for which EOT is small and the increase of interface level density is suppressed is provided and a leakage current is suppressed even when miniaturized, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＥＯＴが小さく、界面準位密度の増加が抑制されたゲート絶縁膜を備え、微細化されてもリーク電流が抑制され、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a node device, a communication module packaging unit, a packaging method for a plurality of subsystems, and an information transmission system in which density of an interface substrate is improved without sacrificing functions provided in the subsystems.例文帳に追加

各サブシステムの備える機能を犠牲にすること無くインタフェース基板の高密度化を図ったノード装置、通信モジュール実装ユニット、複数のサブシステムの実装方法および情報伝送システムを提供する。 - 特許庁

If the structure of the sample 12, such as film thickness, density, the roughness of a surface or interface, and crystal orientation, is nonuniform, the distribution of the scattering intensities detected becomes a speckle that reflects the nonuniformity.例文帳に追加

この時検出される散乱強度の分布は、試料１２の膜厚、密度および表面・界面のラフネスや結晶方位といった構造が不均一である場合、その不均一性を反映したスペックルとなる。 - 特許庁

During this process, by exposing the first electrode 20 under the plasma of pure nitrogen, the partial oxidization of the first electrode 20 is prevented and the density of the charge trap on an electrode/dielectric interface is reduced.例文帳に追加

この工程中第１の電極２０を純窒素のプラズマに露出することにより、第１の電極２０の部分的な酸化が防止され、電極／誘電体インタフェースにおける電荷トラップの密度が低減される。 - 特許庁

Moreover, it comprises a region which includes at least one kind of metal of Hf and Zr at the density of 1.3 E 14 atoms/cm^2 or less, in the SiO_2 film 120 or on the interface between the SiO_2 film 120 and polycrystalline silicon film 106.例文帳に追加

また、ＳｉＯ_2膜１２０中またはＳｉＯ_2膜１２０と多結晶シリコン膜１０６との界面に、ＨｆおよびＺｒのうち少なくとも一種の金属が、１．３Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以下の面密度で含まれる領域を有する。 - 特許庁

Although many minute airspaces 5 are interposed at the interface of the crystal layer 4 and a base substrate 3, since the transmission of transposition from the base substrate 3 is controlled by the existence of the air spaces 5, the transposition density of the crystal layer 4 is reduced.例文帳に追加

結晶層４と下地基板３との界面には多数の微細な空隙５を介在することになるが、該空隙５の存在により、下地基板３からの転位の伝搬が抑制されるので、結晶層４の転位密度は低下する。 - 特許庁

To increase the effective dielectric constant of a gate insulating film by manufacturing a layer where the density of mixed elements is increased at the interface of a semiconductor substrate and a gate insulating film, and to reduce physical film thickness necessary at the gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜の界面部分に、混入元素の濃度を高めた層を作製することでゲート絶縁膜の実効誘電率を高め、ゲート絶縁膜として必要な物理膜厚を低減することを目的とする。 - 特許庁

To suppress an occurrence of a crystal defect, an interface state density or the like at a main surface side of a semiconductor substrate in a method for manufacturing an element isolation in a semiconductor memory or a semiconductor arithmetic processing unit.例文帳に追加

本発明は半導体記憶装置や半導体演算処理装置における素子分離の製造方法に関し、半導体基板の主表面側における結晶欠陥や界面準位等の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁

Density of dopant which determines a type of electric conduction of the ground semiconductor layer 107 is chosen 1×10^17 cm^-3 or less in order to stop current at an interface between the ground semiconductor layer 107 and the electrode layer 111.例文帳に追加

下地半導体層１０７の導電型を定める不純物のドーピング濃度が、下地半導体層１０７と電極層１１１との界面で電流が阻止されるように１×１０^17ｃｍ^-3以下に設定されている。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor wherein the carrier density of a protective film side interface of an oxide semiconductor layer is lower than that of a gate insulation layer side and the film thickness of the oxide semiconductor layer is optimized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When an oxide insulator is formed as a protective film on an oxide semiconductor layer, a film is formed in an atmosphere containing an oxidizing gas, and the carrier density around an interface of the oxide semiconductor is made lower than that of an insulation layer side.例文帳に追加

酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。 - 特許庁

To eliminate an S/S density step difference even when dimmer is insufficient by changing a threshold value of detecting a buffer full state depending on an amount of read data, a type of an interface, and a communication speed or the like so as to make a stop time by the S/S constant.例文帳に追加

読み込むデータ量、インターフェイス種類、通信速度等によりバッファフルを検出するしきい値を変え、Ｓ／Ｓで停止している時間を一定に保つことで調光が不十分であったとしてもＳ／Ｓ濃度段差を出さない。 - 特許庁

The thermal stress relaxing substance 20 is provided with insulation properties and a polycrystalline or an amorphous structure of superior stress-relaxing properties by slippage in an interface between crystal grains, or has a structure which does not exist in a precise crystal arrangement having small density.例文帳に追加

熱応力緩和物質２０は電気絶縁性を有し、結晶粒界に於けるすべりなどにより応力の緩和性に優れた多結晶又はアモルファス構造を有し、或いは密度が小さく緻密な結晶配置にない構造を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which boron leakage from a gate electrode can be inhibited, even when a gate insulating film is thinned, increase in interface rank density and generation of plus charge in the film can be restrained.例文帳に追加

ゲート電極からのボロン漏れを抑制することができ、ゲート絶縁膜を薄膜化した場合でも、界面順位密度の増加及び膜中のプラスチャージの生成を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供。 - 特許庁

To provide a solid polymer electrolyte fuel cell capable of providing high output density and stabilizing the performance for a long time without causing damage to an interface between a solid polymer electrolyte membrane and catalyst layer joining material and a gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子電解質膜・触媒層接合体とガス拡散層に生じる界面にダメージを生じることなく、高い出力密度を可能とし、かつ長時間性能が安定する固体高分子電解質型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

A high density plasma oxidation (HDPO) processing layer is formed on a channel, source and drain regions to form a dielectric interface and then one or more dielectric layers are deposited on the HDPO layer to form a high quality gate dielectric layer.例文帳に追加

高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。 - 特許庁

At a part where distribution density in the laminating directions of inner conductors 14 and 15 is comparatively low inside of the laminated body 3 in the forming area of the cavity 6, a dummy layer 17 for correcting thickness is provided along a specific interface between ceramic layers 2.例文帳に追加

キャビティ６の形成領域における積層体３の内部の、内部導体１４、１５の積層方向での分布密度の比較的低い部分に、厚み補正用ダミー層１７を、セラミック層２の間の特定の界面に沿って設ける。 - 特許庁

The density of fine minerals, called as a seed veil, is 0/cm^2 for a seed veil having a major diameter of 30 μm or more, and not more than 5/cm^2 for a seed veil having a major diameter of from 10 μm to less than 30 μm, on the interface between the crystal and the seed 20.例文帳に追加

シードベールと呼ばれる微細鉱物の密度が結晶と種子２０の境界において、シードベールの長径３０μｍ以上では０個／ｃｍ^２、シードベールの長径１０μｍ以上３０μｍ未満では５個／ｃｍ^２以下を満たす。 - 特許庁

To provide a method and device for testing a semiconductor device capable of evaluating an exact interface state density and its energy distribution of the semiconductor device having an insulating film permitting the tunnel current to easily flow.例文帳に追加

トンネル電流が流れやすい絶縁膜を有する半導体装置について正確な界面準位密度及びそのエネルギー分布を評価することを可能とする半導体装置の試験方法及び試験装置を提供することを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium reduced in output fluctuations due to interface fluctuation between the nonmagnetic and magnetic layers and achieves a high S/N and a low error rate even in high density magnetic recording at a read track width of about 1 μm or smaller and to provide a method of manufacturing the magnetic recording medium.例文帳に追加

非磁性層と磁性層の界面変動による出力変動を抑制し、再生トラック幅が約１μm以下の高密度磁気記録でも高Ｓ／Ｎ比であり、エラーレートが少ない磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The image processing apparatus, further, includes a matrix for calculating the parameters from density adjustment values, prepared on the basis of the plurality of preset hues and input by the user interface, values of the respective stages of the RGB signal, and a coefficient values set by each hue basis.例文帳に追加

さらに、予め設定された複数の色相毎に用意され、前記ユーザインターフェースにより入力された濃度調整値と、ＲＧＢ信号の各段階の値と、色相毎に設定された係数値とから前記パラメータを算出するマトリックスを備えている。 - 特許庁

By using a completely new insulating film called this phosphorus nitride film, an insulating film can be formed which has low tension/low interface state density as compared with the conventional insulating film, and high reliability process suitable for compound semiconductor can be constituted.例文帳に追加

この窒化リン膜という全く新奇な絶縁膜を用いることにより、従来の絶縁膜に比して、低応力・低界面準位密度の絶縁膜の形成を可能とし、化合物半導体に適した高信頼性プロセスを構築することが可能となる。 - 特許庁

Since the silicon oxide film 40, the silicon film 60 and the silicon oxide film 70, are successively formed without exposing them to the atmosphere, the amount of impurity which may be stuck to interfaces between the films 40, 60, 70 during the manufacturing process of the films is reduced and the density of the interface levels is reduced.例文帳に追加

このように、酸化シリコン膜４０、シリコン膜６０および酸化シリコン膜７０を大気に晒すことなく連続して成膜するので、製造プロセス時にそれらの界面に付着する不純物が少なくなり、界面準位の密度が低くなる。 - 特許庁

To form a trench isolation region which is capable of preventing an insulating layer formed on a silicon nitride liner from separating off at an interface and being damaged, by a method wherein a uniform gas distribution region is formed on a trench, and an insulating layer of uniform density is grown.例文帳に追加

トレンチ上に均一のガス分布領域を形成して、均一の密度を有する絶縁層を成長することにより、シリコン窒化膜ライナー層上に形成された絶縁層が界面で剥れる損傷を防止するトレンチ隔離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid level measuring method capable of determining the interface position, and a differential pressure transmitter therefor, when a pressure in a sealed tank storing two kinds of fluids with each having different density as measuring objects is changed, and the densities of the measuring objects are changed.例文帳に追加

本発明の目的は、計測対象として２種類の異なった密度を有する流体が貯蔵されている密閉タンク内の圧力が変化して計測対象の密度が変化する場合の界面の位置を求めることができる液位測定方法とその差圧伝送器を提供することにある。 - 特許庁

An annealing step (S102) in an atmosphere containing hydrogen for reducing the interface level density between a silicon oxide film and a silicon substrate is provided between a step (S101) for forming a silicon oxide film on a silicon substrate and a processing step (S103) for inducing charges in the silicon oxide film or the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にシリコン酸化膜を形成する工程（Ｓ１０１）と、シリコン酸化膜又はシリコン基板にチャージを誘起する処理工程（Ｓ１０３）との間に、シリコン酸化膜とシリコン基板との間の界面準位密度を低減するための水素を含む雰囲気でのアニール工程（Ｓ１０２）を備える。 - 特許庁

To provide an adhesive composition which does not cause adhered interface peeling and package crack, even when exposed on severe reflow conditions, and can achive high package reliability, in a semiconductor device in which thinned semiconductor chips are laminated in many layers and in a high density.例文帳に追加

薄型化しつつある半導体チップを多積層し高密度化された半導体装置において、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor is an MOS type thin-film transistor formed on an insulating substrate, wherein the interface state density of the gate insulating film of silicon oxide composing the thin-film transistor is 2×10^11/cm^2 eV or lower, and the insulating substrate is a plastic substrate.例文帳に追加

また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたＭＯＳ型の薄膜トランジスタであって、その薄膜トランジスタを構成する酸化シリコンからなるゲート絶縁膜の界面準位密度が２×１０^１１／ｃｍ^２ｅＶ以下であり、絶縁基板がプラスチック基板である。 - 特許庁

In order to improve the quality of the laminated layer structure with respect to the surface roughness and dislocation density, the composition parameter at the interface between the layer in the stack 5 with the gradient composition and the subsequent layer in the stack is chosen to be smaller than the composition parameter (1-xg) of the layer with a gradient composition.例文帳に追加

表面粗さと転位密度に関して積層層構造１の品質を改善するため、スタック５内の勾配組成を有する層と後続層との界面で、組成パラメータが、勾配組成を有する層側の組成パラメータ（１−ｘ_ｇ）よりも小さくなるように選択される。 - 特許庁

To provide a display device, reduced in the defect density of an interface between a gate insulating film and a polycrystalline semiconductor film of a channel region while having the TFT (thin film transistor) characteristics of high performance by improving the breakdown voltage of a gate insulating film, and the manufacturing method of the display device.例文帳に追加

ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減させると供に、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させて高性能なＴＦＴ特性を有する表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device in which interface state mass density can be inhibited at a low value by forming a first gate insulating film by a plasma oxidation and excellent device characteristics having a quick stable response time can be obtained.例文帳に追加

本発明は、第１ゲート絶縁膜の形成をプラズマ酸化によって行うことにより、界面準位密度を低く抑えることができ、応答時間が早く安定した良好なデバイス特性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供を提供することを課題とする。 - 特許庁

In this case, by setting the power density of laser beams to approximately 280 mJ/cm^2, an altered layer 11a modified to a gallium-rich state is formed near the interface, where the composition of gallium in the gallium nitride for composing the first contact layer 51 is larger than its stoichiometry ratio.例文帳に追加

このとき、レーザ光のパワー密度を約２８０ｍＪ／ｃｍ^２に設定することにより、第１コンタクト層５１を構成する窒化ガリウムにおけるガリウムの組成がその化学量論比と比べて大きい、ガリウムリッチな状態に変質した変質層１１ａが界面近傍に形成する。 - 特許庁