「density interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the power density of the laser beam is set at some 280 mJ/cm^2, and thus, an altered layer 11a which is altered into a gallium-rich state in which a gallium in the gallium nitride constituting a first contact layer 51 has a composition larger than that in a stoichiometric ratio thereof is formed in the vicinity of the interface.例文帳に追加

このとき、レーザ光のパワー密度を約２８０ｍＪ／ｃｍ^２ に設定することにより、第１コンタクト層５１を構成する窒化ガリウムにおけるガリウムの組成がその化学量論比と比べて大きい、ガリウムリッチな状態に変質した変質層１１ａが界面近傍に形成する。 - 特許庁

According to the present invention, the apparatus provides images of the two-dimensional electron density distribution and the nucleus scattering length density distribution on the surface, the interface and the specific depth position not using a method for making minute beams and performing an XY scan, but using beams having same size as those used in the regular X-ray reflectometry and the neutron reflectometry by algorithm of mathematical image reconstruction.例文帳に追加

本発明では、微小ビームを作製してＸＹスキャンを行う方法によらず、通常のＸ線反射率法および中性子反射率法において用いられるものと同じサイズのビームを用い、数学的な画像再構成のアルゴリズムによって、表面や界面、特定深さ位置における２次元の電子密度分布および核散乱長密度分布の画像が得られる装置を開発した。 - 特許庁

In the method of testing the semiconductor device to determine an interface state density of a MIS transistor formed on a semiconductor substrate 1 by using the charge pumping method, first, a value of a first current made to flow to the semiconductor substrate by applying a first measurement signal composed of continuous pulse waves to a gate of the MIS transistor is measured.例文帳に追加

チャージポンピング法を用いて、半導体基板上に形成されたＭＩＳ型トランジスタの界面準位密度を求める半導体装置の評価方法において、まず、パルス波が連続してなる第１の測定信号をＭＩＳ型トランジスタのゲートに印加して前記半導体基板に流れる第１の電流値を測定する。 - 特許庁

To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.例文帳に追加

電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁

As the zinc-doped yttrium oxide sintered compact has such a constitution that zinc (Zn) is segregated in each grain boundary (crystal interface) formed by an infinite number of yttrium oxide single crystal grains constituting the sintered compact, the sintered compact has such a dense structure that the relative density is ≥90%, approximately 90 to 99% or higher.例文帳に追加

本発明の亜鉛ドープ酸化イットリウム焼結体は、焼結体を構成する無数の酸化イットリウム単結晶体により形成される粒界（結晶界面）に亜鉛（Ｚｎ）が偏析している構成となるので、相対密度が９０％以上、概ね９０〜９９％あるいはそれ以上と緻密な構造となる。 - 特許庁

This ferrite magnetic layer is composed of 40 to 50 mol% Fe2O3, 15 to 35 mol% ZnO, 0 to 20 mol% Cu, and NiO and inevitable impurities for the rest, and an area having 5 mol% CuO, or lower density is formed in the ferrite magnetic layer nearby the interface contacting the top surface of the Si substrate.例文帳に追加

フェライト磁性層の組成がＦｅ_2Ｏ_3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１５〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ_2Ｏ_3：０〜１０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯ及び不可避不純物からなる磁性槽のＳｉ基板表面に接する界面近傍のフェライト磁性層にＣｕＯ濃度が５ｍｏｌ％以下の領域を形成する。 - 特許庁

To provide a digital copying machine, having a means that revises pixel density of an output image by changing number of revolutions of a polygon motor, a two-way communication interface that realizes a consolidated copying with another digital copying machine or more and facsimile applications for realizing a facsimile functions, that can provide an efficient interleaved output.例文帳に追加

ポリゴンモータの回転数を変更することにより出力画像の画素密度を変更する手段と、１以上の他のデジタル複写装置との連結コピーを実現する双方向通信インターフェースと、ファクシミリ機能を実現するファクシミリアプリケーションとを有するデジタル複写装置において、効率的なインターリーブ出力を行う。 - 特許庁

The total occupied area ratio of inclusions present in a joining interface after the electric resistance welding of an electric resistance welded steel tube containing Cr is ≤0.05%, the occupied area of individual inclusions is ≤0.01 mm^2, and the number density of the inclusions in the electric resistance welded steel tube containing Cr is ≤0.1 piece/mm^2.例文帳に追加

Ｃｒを含有する電縫鋼管の電縫溶接後の接合界面に存在する介在物の占有面積率の合計が０．０５％以下であり、個々の介在物の占有面積が０．０１ｍｍ^２以下であり、かつ、介在物の数密度が１ｍｍ^２あたり０．１個以下であるＣｒを含有する電縫鋼管。 - 特許庁

To minimize the leakage of a gas produced from a fuel from an interface between a polyethylene or high-density polyethylene inner face layer constituting a fuel tank, exposed to the inner face of an opening of the fuel tank to which a connector is attached, and a gas barrier layer formed outside thereof following the mounting of the connector to the opening.例文帳に追加

コネクタの取り付けられる燃料タンクの開口の内面に露出された当該燃料タンクを構成するポリエチレン又は高密度ポリエチレン製の内面層とその外側に形成されるガスバリア層との界面からの燃料から生じるガスのリークを、かかる開口へのコネクタの取り付けに伴ってできる限り減少させるようにする。 - 特許庁

A nucleation acceleration layer, such as a monomolecular layer or a quasi-monomolecular layer, that contains metal, metal silicide, or metal silicate has a thickness of ≤10Å, and increases density of a nucleation section on the substrate or intentional interface layer to accelerate uniform chemical vapor phase growth of a high dielectric constant dielectric material.例文帳に追加

金属、金属ケイ化物、又は金属ケイ酸塩を含む、単分子層又は準単分子層などの核形成促進層は、１０Å以下の厚さを有し、基板上又は意図的な界面層上の核形成部位の密度を増加させることによって、高誘電率誘電体材料の均一な化学気相成長が促進される。 - 特許庁

By a controller 101, when a floppy disk for reference recording density (low-order mode) is mounted on a disk table and also impact is detected by a shock sensor 116, the recording/reproducing signal processing of an FDD controller 115 is interrupted based on a control signal received from a host computer 140 through an ATAPI I/F (advance technoloty attachment packet interface) 118.例文帳に追加

コントローラ１０１は、標準記録密度（下位モード）用のフロッピーディスク１１Ｂがディスクテーブルに装着され、かつショックセンサ１１６が衝撃を検出したときにＡＴＡＰＩＩ／Ｆ１１８を介してホストコンピュータ１４０から受け取った制御信号に基づいてＦＤＤコントローラ１１５の記録／再生信号処理を中断する。 - 特許庁

The use of silicon oxide containing excessive oxygen can release oxygen from the insulation layer and decrease oxygen defects in the oxide semiconductor layer and interface state density between the base insulation layer or the protective insulation layer and the oxide semiconductor layer; thus, a semiconductor device with less variation in electrical characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

A main controlling part 11 decides whether an input device 6 is connected through an input-output interface 14 directly after the power is supplied, displays a set change instruction image on a displaying part 3 when the input-device 6 is connected and inquires of a user whether various set values such as printing density and a printing speed are to be changed.例文帳に追加

主制御部１１は、電源投入直後、入出力インタフェース１４を介して入力装置６が接続されているか否かを判定し、入力装置６が接続されているとき、表示部３に設定変更指示画面を表示させ、印字濃度や印字速度等の各種設定値の変更を行うか否かをユーザに問い合わせる。 - 特許庁

A high density interactive media guide interface (100) provides selection of a source from a dense array of available sources (105, 110) by displaying an array of available sources (105, 110) in a dense format that illustrates the availability of a high number of sources and expanding the display of selected sources (120, 130) to provide additional information regarding that source.例文帳に追加

高い密度の対話式メディアガイドインターフェース（１００）は、多くのソースの利用可能性を表す高密度形式で利用可能なソース（１０５，１１０）の配列を表示し、更に、選択されたソース（１２０，１３０）の表示を拡大して、そのソースに関する更なる情報を提供することによって、利用可能なソース（１０５，１１０）の高密度配列からのソースの選択を提供する。 - 特許庁

To obtain accurate results without substantially increasing calculation time, required memory, etc., for a polycrystalline thin film transistor containing a crystal grain boundary with a high trap density and a MOS interface in a device simulation method of dividing a semiconductor element into a mesh and solving physical equations such as potential equations, carrier continuity equations, etc., by each mesh.例文帳に追加

半導体素子をメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式・キャリア連続方程式等の物理方程式を解く、デバイスシミュレーション方法において、トラップ密度の高い結晶粒界やMOS界面を含む多結晶薄膜トランジスタに対しても、計算時間や必要メモリ等の大幅な増加なしに、正確な結果を与える、デバイスシミュレーション方法を、実現することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted of a silicon substrate 10, a gate insulating film 18 on the silicon substrate 10, a gate electrode 30 formed on the gate insulating film 18 and has a silicon film 26 on at least a face in contact with the gate insulating film 18, and a nitrogen segregation layer with a peak density in the vicinity of an interface between the silicon film 26 and the gate insulating film 18.例文帳に追加

シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成され、少なくともゲート絶縁膜１８に接する面にシリコン膜２６を有するゲート電極３０と、シリコン膜２６とゲート絶縁膜１８との界面近傍にピーク濃度を有する窒素偏析層とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a power generation film having a high output density even at a low temperature of approx, 800°C, a method of manufacturing the power generation films at low cost by simplified processes, and a solid oxide fuel cell using this power generation film by making the electrolyte film thinner without damage such as peels and cracks or faults such as trapping of air bubbles in the interface between the electrode and the electrolyte.例文帳に追加

電極と電解質との間の界面で剥離や割れ等の損傷や気泡のかみ込み等の欠陥がなく、電解質膜を薄くすることにより約８００℃の低温でも高い出力密度を有する発電膜および該発電膜を簡素化された製造工程により低コストで製造する製造方法ならびにこの発電膜を用いた固体酸化物形燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁