depth profileとは 意味・読み方・使い方

The photodiodes 10 are formed by using a diffusion layer, having a profile whose concentration and depth are each different.例文帳に追加

フォトダイオード１０は、それぞれ異なる濃度、深さのプロファイルを有する拡散層を用いて形成される。 - 特許庁

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.例文帳に追加

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁

The display of the circumferential line of the coherent part can be generated, and depth profile data can be obtained only from the coherent part.例文帳に追加

コヒーレント部分の外周線の表示を生成し得、深さプロファイルデータは、コヒーレント部分からのみ得られ得る。 - 特許庁

To perform a measurement having a high depth precision and a high quantitative determination precision by excluding the depth dependency of profile shift and detection sensitivity regarding a method of analyzing the distribution in the depth direction of a group V element in a group IV semiconductor.例文帳に追加

ＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布の分析方法に関し、プロファイルシフト及び検出感度の深さ依存性を排除して、深さ精度および定量精度の高い測定を行う。 - 特許庁

To provide a device hiding a radar, having a profile of a volume, or a depth, and reducing the loss of microwaves.例文帳に追加

容積すなわち奥行きという側面を有しマイクロ波の損失が少ない、レーダーを隠す装置を作ることである。 - 特許庁

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield.例文帳に追加

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 - 特許庁

Acquired OCT raw signals are provided for a data processing and determiner 50 to perform profile computation processing in the depth direction of reflectance (S1), profile analysis processing in the depth direction of reflectance (S2), and determination processing (S3) as data processing and determination processing.例文帳に追加

得られたＯＣＴ生信号は、データ処理および判定部５０へ与えられて、データ処理および判定処理として、「反射率の深さ方向のプロファイル算出処理」（Ｓ１）、「反射率の深さ方向プロファイル解析処理」（Ｓ２）および「判定処理」（Ｓ３）が行われる。 - 特許庁

The impurity concentration of the n+ layer 16 has a stepped profile and is almost constant from a second main surface down to a predetermined depth.例文帳に追加

ｎ+層１６の不純物濃度は、階段状のプロファイルを有し、第２主表面から所定の深さにわたりほぼ一定とされる。 - 特許庁