「depth profile」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, a temperature profile TP in the depth direction of the well 1 is found by the optical fiber 10.例文帳に追加

そこで光ファイバ１０で孔井１の深さ方向の温度プロファイルＴＰを入手する。 - 特許庁

To perform a measurement having a high depth precision and a high quantitative determination precision by excluding the depth dependency of profile shift and detection sensitivity regarding a method of analyzing the distribution in the depth direction of a group V element in a group IV semiconductor.例文帳に追加

ＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布の分析方法に関し、プロファイルシフト及び検出感度の深さ依存性を排除して、深さ精度および定量精度の高い測定を行う。 - 特許庁

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.例文帳に追加

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁

The display of the circumferential line of the coherent part can be generated, and depth profile data can be obtained only from the coherent part.例文帳に追加

コヒーレント部分の外周線の表示を生成し得、深さプロファイルデータは、コヒーレント部分からのみ得られ得る。 - 特許庁

To provide a device hiding a radar, having a profile of a volume, or a depth, and reducing the loss of microwaves.例文帳に追加

容積すなわち奥行きという側面を有しマイクロ波の損失が少ない、レーダーを隠す装置を作ることである。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate, having semiconductor layers of uniform concentration profile in the depth direction of the substrate using a new constitution, and to provide a manufacturing method of the substrate.例文帳に追加

新規な構成による深さ方向に均一な濃度プロファイルの半導体層を有する半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The photodiodes 10 are formed by using a diffusion layer, having a profile whose concentration and depth are each different.例文帳に追加

フォトダイオード１０は、それぞれ異なる濃度、深さのプロファイルを有する拡散層を用いて形成される。 - 特許庁

Subsequently, a concentration profile showing a correlation between a depth from the surface of wafer and the concentration of dopant impurity is measured through an SIMS (secondary ion mass spectroscope).例文帳に追加

つづいてＳＩＭＳを利用して、ウェーハ表面からの深さとドーパント不純物濃度との相関を示す濃度プロファイルを計測する。 - 特許庁

The peak of a concentration profile on impurities comprising the diffusion layers 13, 13b and 13c exists in the depth of ≥0.04 μm from the surface of the substrate 12.例文帳に追加

拡散層１３，１３ｂ，１３ｃを構成する不純物の濃度プロファイルのピークは、基板１２の表面から０．０４μｍ以上の深さにある。 - 特許庁

To provide a wave gear device having a three-dimensionally contacting positive shifted tooth profile continuously meshing in the tooth trace direction and having an increased tooth depth.例文帳に追加

歯筋方向に沿って連続噛み合い可能で歯たけの大きい３次元接触の正偏位歯形を有する波動歯車装置を提案すること。 - 特許庁

The impurity concentration of the n+ layer 16 has a stepped profile and is almost constant from a second main surface down to a predetermined depth.例文帳に追加

ｎ+層１６の不純物濃度は、階段状のプロファイルを有し、第２主表面から所定の深さにわたりほぼ一定とされる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with variation in threshold voltage improved by homogenizing the concentration profile in a depth direction of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの深さ方向の濃度プロファイルが均一化され、閾値電圧ばらつきを改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the profile of a pattern by enhancing the resolution in immersion lithography while sustaining the depth of focus.例文帳に追加

液浸リソグラフィにおける解像度の向上と焦点深度の維持とを両立させることにより、パターン形状を良好にできるようにする。 - 特許庁

A tooth profile forming portion 30 which can extrude the spur gear by pressing the stock material in the axial direction is provided at the depth of the cavity 17.例文帳に追加

一方、空孔１７の奥には、軸線方向に素材を押込むことで平歯車が押出し成形可能の歯形成形部３０を設けた。 - 特許庁

To detect, more simply and accurately than conventionally, the size and depth of a surface flaw on a welded part from a cross-section profile of the welded part.例文帳に追加

溶接部の断面プロフィールから、溶接部上の表面欠陥の大きさや深さを従来よりも簡便に精度よく検出する。 - 特許庁

Acquired OCT raw signals are provided for a data processing and determiner 50 to perform profile computation processing in the depth direction of reflectance (S1), profile analysis processing in the depth direction of reflectance (S2), and determination processing (S3) as data processing and determination processing.例文帳に追加

得られたＯＣＴ生信号は、データ処理および判定部５０へ与えられて、データ処理および判定処理として、「反射率の深さ方向のプロファイル算出処理」（Ｓ１）、「反射率の深さ方向プロファイル解析処理」（Ｓ２）および「判定処理」（Ｓ３）が行われる。 - 特許庁

To provide a system for measuring a bed profile that accurately measures the bed profile, velocity distribution and a flow rate regardless of irregularity of a river bed, velocity and water depth.例文帳に追加

河底の凹凸，流速，水深にかかわりなく、河床形状，流速分布，流量を正確に測定できる河床形状測定装置を提供する。 - 特許庁

An impurity concentration profile is measured in the depth direction from the surface of a plurality of first parts, and change of the impurity concentration profile dependent on the area of the first part is determined.例文帳に追加

そして、前記半導体層のうちの複数の前記第１の部分の表面から深さ方向の不純物濃度プロファイルを測定し、前記第１の部分の面積に依存する前記不純物濃度プロファイルの変化を求める。 - 特許庁

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield.例文帳に追加

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 - 特許庁

At that time, the temperature of the etchant supplied from each nozzle 12 and the moving velocity of the nozzle collection 11 are so controlled that their values may be determined by a processing depth determined from a difference between the target profile and the profile before processing, at each position on the surface of the work piece.例文帳に追加

その際、各ノズル１２から供給されるエッチング液の温度及びノズル集合体１１の移動速度を、被加工物表面上の各位置において目的プロファイルと加工前プロファイルの差から求めた加工深さにより定まる値になるように制御する。 - 特許庁

A projecting section piece 5 provided at the front end of the external assembling section piece 4b' of the first aluminum extruded profile 1 is engaged with a groove 8 formed to a base section on the external surface side of the external assembling section piece 6b' of the second aluminum extruded profile 2, and each external assembling section piece is superposed mutually in the depth direction.例文帳に追加

第一アルミ押出し形材１の前記外側組付け部片４ｂ´の先端に設けた突部片５を、前記第二アルミ押出し形材２の前記外側組付け部片６ｂ´の外面側の基部に設けた溝８に係合して各外側組付け部片を互いに見込み方向に重合する。 - 特許庁

Inserting a low profile rectangular extension card provided with an antenna section 111 to a low profile rectangular slot 102 provided on a side face of an enclosure 101 of e.g. a personal computer allows the antenna section 111 to be mounted in the slot 102 deeply to its depth.例文帳に追加

例えばパソコンの筐体１０１の側面に設けられた薄型長方形のスロット１０２に、アンテナ部１１１を備えた薄型長方形の拡張カードを挿入すると、そのアンテナ部１１１はスロット１０２内の奥深くに装着される。 - 特許庁

A log printer 4 finds a depth of water and a water temperature according to a start time + a lapse of time of diving while referring to a diving data from a diving computer 2, and prepares a diving profile for showing changes of the depth of water and the water temperature along with the diving lapse time.例文帳に追加

ログ印刷装置４は、ダイビングコンピュータ２からのダイビングデータを参照し、開始時刻＋経過時間に従って、各時点での水深と水温を求め、ダイビング経過時間に対する深度と水温の変化を示すダイブプロファイルを作成する。 - 特許庁

The electrically conductive well (2) is generated by means of high-energy ion implantation and subsequent heating, so that it has a doping profile which either has a maximum located at a depth T_1 from the planar surface (5) of the electrically conductive well (2), or is essentially constant up to a depth T_2.例文帳に追加

導電性ウェル（２）は、それが導電性ウェル（２）の平坦面（５）から深さＴ_１に位置する最大値を有するか、または深さＴ_２まで本質的に一定であるかのどちらかのドーピング分布を有するように、高エネルギーイオン注入法およびその後の加熱によって生成される。 - 特許庁

When the distribution in the depth direction of the group V element in the group IV semiconductor is measured by an SIMS (secondary ion mass spectrometry) method, a primary ion species, a primary ion acceleration energy, and a primary ion incident angle are limited in the range for reducing profile shift and sensitivity dependency in the depth direction.例文帳に追加

ＳＩＭＳ法によりＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布を測定する際に、一次イオン種、一次イオン加速エネルギー、及び、一次イオン入射角度をプロファイルシフト及び深さ方向の感度依存性を少なくする範囲に限定する。 - 特許庁

The oblique ion pouring and the ion pouring for forming the well-contact layer 4 are effected, so that the profile 34 of a first conductivity impurities forming the well contact layer 4 covers the profile 33 of impurities forming the impurities diffusion layer in the profile of impurities in the well contact layer 4, when a depth is positioned in the axis of ordinates and the density of impurities is positioned in the axis of abscissas.例文帳に追加

上記斜めイオン注入と、上記ウェルコンタクト層４を形成するためのイオン注入とは、ウェルコンタクト層４の不純物プロファイルにおいて、縦軸に深さをとり、横軸に不純物濃度をとったとき、不純物拡散層を形成する不純物のプロファイル３３を、ウェルコンタクト層４を形成する第１導電型の不純物プロファイル３４が覆い被さるように行なう。 - 特許庁

The spatially varying diffraction efficiency of the grating may be accomplished by selectively changing or modifying the shape, size, depth, profile, pitch and optical properties of the diffraction grooves at predetermined locations on the grating.例文帳に追加

格子の空間的に変化する回折効率は、該格子上の所定位置における回折溝の形状、サイズ、深さ、断面形状、ピットおよび光学特性を選択的に変更ないし修正することにより、達成されることができる。 - 特許庁

Compared with a case that the supply amounts of the materials of both the dopant and the group III element are fixed, a profile in the depth direction of the dopant concentration can be uniformed in the crystal.例文帳に追加

この方法により、ドーパント原料供給量とIII族元素原料供給量を何れも一定とした場合に比較して、結晶中でのドーパント濃度の深さ方向プロファイルを均一化することが可能となる。 - 特許庁

According to the present invention, since a profile material of groundwater according to a depth of a tube well can be continuously collected, an accurate groundwater related material can be collected more efficiently.例文帳に追加

本発明によれば、管井の深さに従う地下水のプロファイル資料を持続的に収集することができるので、正確な地下水関連資料をより効率良く収集できる。 - 特許庁

The processing effects such as chemical composition analysis, chemical species concentration, depth profile, measurement and mapping of homogeneous characteristics, purity, and reactivity can be monitored by an optical spectroscopic method.例文帳に追加

例えば、化学的組成分析、化学種濃度、深さ輪郭、均質特性測定及びマッピング、純度、並びに反応性のような処理効果が、光学的分光分析法によって監視され得る。 - 特許庁

Since the bottle type profile 260 is obtained on the bottom of the trench 261 through the third etching step, width and depth of the deep trench are increased.例文帳に追加

第３エッチング工程において、トレンチ２６１の底部にボトル型のプロフィル２６０が得られるので、ディープトレンチの幅及び深さが大きくなる。 - 特許庁

A base layer constituted of a GeSi layer having a profile in which the composition rate of Ge changes logarithmically on the depth is formed by paraxial growth on a silicon semiconductor layer functioning as a collector.例文帳に追加

コレクタとして機能するシリコン半導体層上に、Ｇｅの組成比が、深さに対して対数関数的に変化するプロファイルを有するＧｅＳｉ層からなるベース層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

To obtain a leaching apparatus capable of continuously manufacturing flexographic printing plates nearly free from unevenness in process over the entire surface, having good thin line reproducibility and also having relief profile and depth suitable for printing.例文帳に追加

版全面にわたって製版ムラが少なく、かつ細線の再現性がよく、印刷に適するレリーフプロフアイルと深度を有するフレキソ印刷刷版が連続的に製作することができる溶出装置を提供すること。 - 特許庁

The form for a cement product comprises a main form 10 for forming an overall profile shape of the product, and a core 20 for forming engaging grooves provided with tapers gradually becoming wider toward a depth at both sides of the product.例文帳に追加

セメント製品の全体外形形状をつくる主型１０と、その主型に取り付けて、セメント製品に、深くなるにつれ漸次幅広となるテーパを両側に設けた嵌合溝をつくる中子２０とからなる。 - 特許庁

To provide a surface profile measurement method under liquid and its system in which compensation for determining the depth from a liquid surface to an object is considered by photographing position information for an image and the refractive index of the liquid.例文帳に追加

画像の撮影位置情報と液体の屈折率により、液体表面から物体までの深度を求めるための補正を考慮した液体下の表面形状測定方法及びそのシステムを提供する。 - 特許庁

(a) A semiconductor substrate in which at least one kind of impurities is added to a surface layer of a first surface and a depth profile of the added impurities is grasped is prepared.例文帳に追加

（ａ）第１の表面の表層部に少なくとも一種類の不純物が添加され、添加された不純物のデプスプロファイルが把握された半導体基板を準備する。 - 特許庁

A depth correction profile in which a propagation delay in a pixel array of a sensor 5 of a flight time image pickup apparatus 6 is considered is applied to a measured bathymetric chart.例文帳に追加

飛行時間撮像装置６のセンサ５の画素アレイ内の伝播遅延を考慮した、深度修正プロファイルは測定された深度図に応用される。 - 特許庁

(b) Based on the depth profile of impurities thus grasped, a deepest position from the first surface where the impurities are added is determined, and a target temperature at which the impurities added to that position can be activated is determined.例文帳に追加

（ｂ）把握された不純物のデプスプロファイルに基づき、不純物が添加されている、第１の表面から最も深い位置を決定し、該位置に添加されている不純物を活性化させうる目標温度を決定する。 - 特許庁

As tooth profiles for the portion from the principal section 30 to the opening end 34a, and the portion from the principal section 30 to an inner end 34b, shifted tooth profiles FS2, FS3 which are obtained by shifting the tooth profile FS1 in the negative direction of the tooth depth are employed respectively.例文帳に追加

主断面３０から開口端部３４ａに掛けてと主断面３０から内端部３４ｂに掛けての歯形として、歯形ＦＳ１に歯たけの負方向に転位を施して得られる転位歯形ＦＳ２、ＦＳ３をそれぞれ採用する。 - 特許庁

To provide a motor bearing component having features such as a microfine groove pitch (<100 μm), a fine feature width (<25 μm), and a three-dimensionally changing groove depth and a surface profile for an optimum bearing performance.例文帳に追加

最適軸受性能のために微細溝ピッチ（＜１００ミクロン）、微細フィーチャ幅（＜２５ミクロン）、３Ｄで変化する溝深さ及び表面プロファイルなどのフィーチャを有するモータ軸受構成部品を提供すること。 - 特許庁

The peripheral surface of the sleeve 23a2 is provided with a surface roughness Rz in roughness profile within a range of 5-20 μm and the number of depressed portions of ≥1 μm depth is set to a range of 1-5 per 0.2 mm measured length.例文帳に追加

スリーブ２３ａ２の外周面は、粗さプロファイルにおける表面粗さＲｚが５〜２０μｍの範囲になって、深さが１μｍ以上の凹部の数が０．２ｍｍの測定長さ当たりに１〜５個の範囲になるように形成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern, the method capable of responding to formation of various types of resist patterns and allowing formation of a resist pattern excellent in depth of focus, a pattern profile, resolution, CDU (critical dimension uniformity) and resistance to pattern collapse.例文帳に追加

種々のレジストパターンの形成に対応でき、焦点深度、パターン形状、解像性、ＣＤＵ及びパターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a contact 20 which obtains a stable connection without increasing a fitting force and an insertion force even if it has multiple cores, and which is lower-profile and is also downsized in the depth direction.例文帳に追加

本発明は多芯数になっても嵌合力や挿入力が大きくなることなく、安定した接続をえることができ、低背化や奥行き方向の小型化もできる構造のコンタクト２０を提供する。 - 特許庁

If the outer diameter of the serration is made to be 70 to 75 mm, the tooth depth is made to be not more than 1.0 mm, the number of teeth is made to be 144±1, and the amount of profile shift is made to be the above mentioned value, the serration having the tip end tooth thickness T of 20 to 70 μm can be easily machined.例文帳に追加

セレーションの外径を７０〜７５ｍｍ、歯丈を１．０ｍｍ以下、歯数を１４４±１として転位量を前記の値にすると、先端歯厚Ｔが２０〜７０μｍのセレーションを容易に加工することができる。 - 特許庁

The stand 3 is formed into a profile having such an angle relative to the propagating direction of the wave capable of concentrating wave to a specified position and positioned at such a depth from a water surface that capable of concentrating wave to the specified position.例文帳に追加

台３は波の伝播方向に対して波を所定箇所に集中させる角度をなす輪郭形状と水面からの深さとを有する。 - 特許庁