dislocation energyとは 意味・読み方・使い方

Furthermore, if the inclined dislocation is in a movable state, the energy stored in the liquid crystal LC can be extracted, by utilizing the movement of the inclined dislocation and the flow generated in the liquid crystal LC accompanying the movement of the inclined dislocation.例文帳に追加

また、転傾が移動できる状態とすれば、液晶ＬＣ中に貯蔵されていたエネルギを、転傾の移動や、転傾の移動に伴って液晶ＬＣ中に発生する流動を利用して取り出すことができる。 - 特許庁

A time development equation with respect to a grain shape is solved by incorporating the distortion energy by dislocation into a phase field model.例文帳に追加

転位による歪エネルギーをフェーズフィールドモデルに取り込みグレイン形状にたいする時間発展方程式を解く。 - 特許庁

To provide a mounting structure for an energy storage which prevents the dislocation of the energy storage from a mounting position, in a structure for detachably mounting the energy storage on a vehicle.例文帳に追加

車両に対して蓄電装置を着脱可能に搭載する構造において、蓄電装置が搭載位置からずれてしまうのを阻止することができる蓄電装置の搭載構造を提供する。 - 特許庁

This energy storage device is provided with a holding means 1, which holds the liquid crystal LC inside; an inclined-dislocation forming means, which is arranged in a liquid crystal within the holding means 1 and forms an inclined dislocation inside the liquid crystal LC; and a restraining means which restrains the movement of the inclined dislocation formed in the liquid crystal.例文帳に追加

液晶ＬＣを内部に保持する保持手段１と、保持手段１内の液晶中に配設され、液晶ＬＣ内に転傾を形成する転傾形成手段と、液晶内に形成された転傾の移動を拘束する拘束手段とを備えている。 - 特許庁

Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加

これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁

To improve the fracture dislocation when being subjected to a bending load in an automobile energy absorbing member composed of an Al-Zn-Mg-based aluminum alloy extruded material.例文帳に追加

Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系アルミニウム合金押出材からなる自動車のエネルギー吸収部材において、曲げ荷重を受けたときの破断変位を改善する。 - 特許庁

The second low-resistance layer 111 is made of a dislocation layer of C54 or the like in which the lattice structure of the first low-resistance layer 111a is dislocated by thermal energy, and it is lower in electric resistance than the first low-resistance layer 111a.例文帳に追加

第２低抵抗層１１１は、第１低抵抗層１１１ａの格子構造が熱エネルギーによって転位してなるＣ５４等の転位層であり、第１低抵抗層１１１ａより電気抵抗が低い。 - 特許庁