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dislocation energyの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
Furthermore, if the inclined dislocation is in a movable state, the energy stored in the liquid crystal LC can be extracted, by utilizing the movement of the inclined dislocation and the flow generated in the liquid crystal LC accompanying the movement of the inclined dislocation.例文帳に追加
また、転傾が移動できる状態とすれば、液晶LC中に貯蔵されていたエネルギを、転傾の移動や、転傾の移動に伴って液晶LC中に発生する流動を利用して取り出すことができる。 - 特許庁
A time development equation with respect to a grain shape is solved by incorporating the distortion energy by dislocation into a phase field model.例文帳に追加
転位による歪エネルギーをフェーズフィールドモデルに取り込みグレイン形状にたいする時間発展方程式を解く。 - 特許庁
To provide a mounting structure for an energy storage which prevents the dislocation of the energy storage from a mounting position, in a structure for detachably mounting the energy storage on a vehicle.例文帳に追加
車両に対して蓄電装置を着脱可能に搭載する構造において、蓄電装置が搭載位置からずれてしまうのを阻止することができる蓄電装置の搭載構造を提供する。 - 特許庁
This energy storage device is provided with a holding means 1, which holds the liquid crystal LC inside; an inclined-dislocation forming means, which is arranged in a liquid crystal within the holding means 1 and forms an inclined dislocation inside the liquid crystal LC; and a restraining means which restrains the movement of the inclined dislocation formed in the liquid crystal.例文帳に追加
液晶LCを内部に保持する保持手段1と、保持手段1内の液晶中に配設され、液晶LC内に転傾を形成する転傾形成手段と、液晶内に形成された転傾の移動を拘束する拘束手段とを備えている。 - 特許庁
Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加
これにより、半導体発光素子1の結晶内部(量子井戸層よりも上層部分)に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁
To improve the fracture dislocation when being subjected to a bending load in an automobile energy absorbing member composed of an Al-Zn-Mg-based aluminum alloy extruded material.例文帳に追加
Al−Zn−Mg系アルミニウム合金押出材からなる自動車のエネルギー吸収部材において、曲げ荷重を受けたときの破断変位を改善する。 - 特許庁
The second low-resistance layer 111 is made of a dislocation layer of C54 or the like in which the lattice structure of the first low-resistance layer 111a is dislocated by thermal energy, and it is lower in electric resistance than the first low-resistance layer 111a.例文帳に追加
第2低抵抗層111は、第1低抵抗層111aの格子構造が熱エネルギーによって転位してなるC54等の転位層であり、第1低抵抗層111aより電気抵抗が低い。 - 特許庁
To provide a method for joining a matter to be adhered to an adherend which permits highly accurate positioning by suppressing dislocation caused by shrinkage on curing of an energy-curable adhesive as much as possible by a simple apparatus constitution regardless of adhesion forms or the like, its joint structure and a joining apparatus therefor.例文帳に追加
簡単な装置構成で、接着形態等にかかわらずエネルギ硬化型接着剤の硬化収縮による位置ずれを極力抑制して高精度な位置合わせを可能とする被接着物と接着物との接合方法、その接合構造、およびその接合装置を提供する。 - 特許庁
In this way, when the brass casting is deformed by receiving the outer power, the crystal structure so as to generate by dispersing the strain in a metallic crystal, is formed and the dislocation is eliminated by generating the recrystallization with strain energy generated with the dispersion in the case of receiving the high speed outer power, and thus, the brass having high ductility to the high speed outer power is obtd.例文帳に追加
これにより外力をうけ変形するとき金属結晶の歪が分散して生じるような結晶組織が形成され、高速外力を受けると、分散して生じた歪エネルギーが再結晶を生じさせて転位を解消し、高速外力に対する高い延性をもつ黄銅が得られる。 - 特許庁
To provide a wafer-conveying method, which can reduce crystal dislocation such as a slip by reducing a thermal shock given to a wafer when the wafer is carried in a device, and to improve productivity, by saving the energy needed to raise the device temperature and shortening the time, and a wafer support member used for the method.例文帳に追加
ウエハを装置内へ搬入する際、該ウエハに与えられる熱衝撃を軽減し、スリップ等の結晶転位の発生を減少させることができ、かつ、装置温度の昇降温に要するエネルギーの節約および時間の短縮により、生産性の向上を図ることができるウエハ搬送方法およびそれに用いるウエハ支持部材を提供する。 - 特許庁
In a compound semiconductor 1 composed of a buffer layer 3 and a compound semiconductor layer 4 formed on a substrate 2, the surface of at least either of the buffer layer 3 and the compound semiconductor layer 4 is formed into a wavelike surface having an unevenness in a specific direction; thus strain energy in the crystal can be reduced and dislocation density by the crystal defects can be reduced.例文帳に追加
基体2上に、バッファ層3と化合物半導体層4とが形成された化合物半導体1において、バッファ層3及び化合物半導体層4の少なくとも一方の表面を特定の方向に凹凸を有する波状面とすることにより、結晶内部の歪エネルギーを低減することができ、結晶欠陥による転位密度を低減することが可能とされる。 - 特許庁
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