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donor‐acceptor pairの英語
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「donor‐acceptor pair」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
FLUORESCENCE DONOR-ACCEPTOR PAIR例文帳に追加
蛍光ドナー−アクセプター対 - 特許庁
To provide a light emitting element satisfactorily providing surface emission according to donor-acceptor pair light emission by DC driving or AC driving of low voltage and, at the same time, having improved life characteristics than heretofore.例文帳に追加
ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動若しくは交流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。 - 特許庁
To provide a light-emitting element sufficiently obtaining surface emission owing to donor-acceptor pair emission by DC drive and also improving emission brightness compared with conventional ones.例文帳に追加
ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。 - 特許庁
To provide a light emitting element that sufficiently obtain surface light emission by donor-acceptor pair light emission by low-voltage DC driving and is improved in lifetime characteristics.例文帳に追加
ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。 - 特許庁
Each of the fine particles 11 is composed of a fine crystal with a crystal particle diameter of 100 nm or less and has an inter-band luminous function and a donor acceptor pair luminous function.例文帳に追加
各微粒子１１は結晶粒径が１００ｎｍ以下の微結晶により構成されており、バンド間発光機能およびドナーアクセプターペア発光機能を有している。 - 特許庁
The light emitting element 100 comprises a pair of electrodes 2, 4 and a light emitting layer 3 which is arranged between the electrodes 2, 4 and has a donor-acceptor pair light emission function, wherein the light emitting layer 3 contains at least one kind of element among Y, Nb, Mo, Zr, Hf, Ta, W and Re.例文帳に追加
発光素子１００は、一対の電極２，４と、電極２，４間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層３とを備え、発光層３は、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅのうちの少なくとも１種の元素を含む。 - 特許庁
The photoelectric conversion element includes a pair of electrodes and the photoelectric conversion layer provided between the pair of electrodes, and the photoelectric conversion layer contains only an organic compound of one kind of donor-acceptor linked structure as an organic compound and is formed in a state that the temperature of the layer is held at room temperature or below when formed.例文帳に追加
一対の電極と、一対の電極の間に設けられた光電変換層とを備えた光電変換素子であって、光電変換層が、有機化合物として一種類のドナー−アクセプタ連結構造の有機化合物のみを含み、光電変換層の形成時に膜の温度を室温以下とした状態で形成される。 - 特許庁
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「donor‐acceptor pair」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
After growing GaAs in which Sn is doped by a liquid phase growth method, Ni is doped into the GaAs by an ion injection method, then, a heat processing is applied to the GaAs to remove the damage caused by the ion injection method, thereby producing Ni-Sn doped GaAs phosphor having the good light-emitting property of donor-acceptor pair.例文帳に追加
ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 - 特許庁
The light-emitting element 100 includes a pair of electrodes 2 and 7, a light-emitting layer 5 provided between the pair of electrodes 2 and 7 and having a donor-acceptor pair light emitting function, a buffer layer 4 and a carrier injection layer 3 containing a p-type semiconductor in this order.例文帳に追加
一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。 - 特許庁
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