drift surfaceとは 意味・読み方・使い方

The drift layer 3 creeps under the reduced surface layer 9 (between the silicon substrate 2 and the reduced surface layer 9).例文帳に追加

ドリフト層３は、リサーフ層９の下（シリコン基板２とリサーフ層９との間）へと潜り込んでいる。 - 特許庁

A defect in the strong field drift layer 6' is passivated, by applying a hydrogen radical on a surface of the strong field drift layer 6'.例文帳に追加

次に、強電界ドリフト層６’の表面に水素ラジカルを照射することで強電界ドリフト層６’中の欠陥をパッシベーションする。 - 特許庁

The drift region 33 includes a high resistance lower drift region 33b, separated from a surface of pn junction with the body region 34.例文帳に追加

ドリフト領域３３は、ボディ領域３４とのｐｎ接合面から離反した領域に高抵抗な下部ドリフト領域３３ｂを含む。 - 特許庁

The high concentration well region 3b is formed in the surface of the drift layer 2.例文帳に追加

また、ドリフト層２の表面内に高濃度ウエル領域３ｂが形成されている。 - 特許庁

Thus, in the surface channel layer 5, by making the impurity concentration low near the gate oxide film 7 which effectively reduces R channel and making the impurity concentration high near the surface section of the n^--type epitaxial layer 2 which influences Racc-drift, resistance components of (R channel + Racc-drift) can be reduced effectively.例文帳に追加

このように、表面チャネル層５のうち、Ｒchannelを効果的に低減するゲート酸化膜７の近傍の不純物濃度を低くし、Ｒacc-driftに影響のあるｎ^-型エピ層２の表面部近傍の不純物濃度を高くすることで、Ｒchannel＋Ｒacc-driftの抵抗成分を効果的に低減できる。 - 特許庁

To provide a technique for forming an impurity low-density drift area nearby the surface of a drift area without using a vapor-phase growing method.例文帳に追加

気相成長法を利用しないで、ドリフト領域の表面近傍に不純物低濃度ドリフト領域を形成する技術を提供する。 - 特許庁

The strong electric field drift layer 6' is then annealed in inert gas, and a surface electrode 7 is formed on the strong electric field drift layer 6 after annealed.例文帳に追加

次に、強電界ドリフト層６’を不活性ガス中でアニールし、アニール後の強電界ドリフト層６上に表面電極７を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has a drift layer 14 made of a gallium nitride and having a first surface and a second surface opposing the first surface, a Schottky electrode 16 formed on the first surface of the drift layer 14, and an ohmic electrode 15 electrically connected to the second surface of the drift layer 14 via a contact layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、窒化ガリウムからなり、第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有するドリフト層１４と、ドリフト層１４の第１の面上に形成されたショットキ電極１６と、ドリフト層１４の第２の面とコンタクト層１３を介して電気的に接続されたオーミック電極１５とを有している。 - 特許庁