「drift surface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, a surface electrode 7 is formed on the strong field drift layer 6.例文帳に追加

次に、強電界ドリフト層６上に表面電極７を形成する。 - 特許庁

A planar gate is disposed on the drift layer surface between the separated base regions.例文帳に追加

分離したベース領域間のドリフト層表面にプレーナゲートを配置する。 - 特許庁

The drift layer 3 creeps under the reduced surface layer 9 (between the silicon substrate 2 and the reduced surface layer 9).例文帳に追加

ドリフト層３は、リサーフ層９の下（シリコン基板２とリサーフ層９との間）へと潜り込んでいる。 - 特許庁

A defect in the strong field drift layer 6' is passivated, by applying a hydrogen radical on a surface of the strong field drift layer 6'.例文帳に追加

次に、強電界ドリフト層６’の表面に水素ラジカルを照射することで強電界ドリフト層６’中の欠陥をパッシベーションする。 - 特許庁

The drift region 33 includes a high resistance lower drift region 33b, separated from a surface of pn junction with the body region 34.例文帳に追加

ドリフト領域３３は、ボディ領域３４とのｐｎ接合面から離反した領域に高抵抗な下部ドリフト領域３３ｂを含む。 - 特許庁

The high concentration well region 3b is formed in the surface of the drift layer 2.例文帳に追加

また、ドリフト層２の表面内に高濃度ウエル領域３ｂが形成されている。 - 特許庁

Thus, in the surface channel layer 5, by making the impurity concentration low near the gate oxide film 7 which effectively reduces R channel and making the impurity concentration high near the surface section of the n^--type epitaxial layer 2 which influences Racc-drift, resistance components of (R channel + Racc-drift) can be reduced effectively.例文帳に追加

このように、表面チャネル層５のうち、Ｒchannelを効果的に低減するゲート酸化膜７の近傍の不純物濃度を低くし、Ｒacc-driftに影響のあるｎ^-型エピ層２の表面部近傍の不純物濃度を高くすることで、Ｒchannel＋Ｒacc-driftの抵抗成分を効果的に低減できる。 - 特許庁

To provide a technique for forming an impurity low-density drift area nearby the surface of a drift area without using a vapor-phase growing method.例文帳に追加

気相成長法を利用しないで、ドリフト領域の表面近傍に不純物低濃度ドリフト領域を形成する技術を提供する。 - 特許庁

The strong electric field drift layer 6' is then annealed in inert gas, and a surface electrode 7 is formed on the strong electric field drift layer 6 after annealed.例文帳に追加

次に、強電界ドリフト層６’を不活性ガス中でアニールし、アニール後の強電界ドリフト層６上に表面電極７を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has a drift layer 14 made of a gallium nitride and having a first surface and a second surface opposing the first surface, a Schottky electrode 16 formed on the first surface of the drift layer 14, and an ohmic electrode 15 electrically connected to the second surface of the drift layer 14 via a contact layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、窒化ガリウムからなり、第１の面及び該第１の面と対向する第２の面を有するドリフト層１４と、ドリフト層１４の第１の面上に形成されたショットキ電極１６と、ドリフト層１４の第２の面とコンタクト層１３を介して電気的に接続されたオーミック電極１５とを有している。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided in a surface layer of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided on a surface layer of an n^-type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

An N- type drift layer 21 is formed in the surface of the N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−−型の半導体層１２の表面には、Ｎ−型のドリフト層２１が形成されている。 - 特許庁

At a surface layer section of the drift region 11, an N^+-type drain region 14 is formed.例文帳に追加

ドリフト領域１１の表層部には、Ｎ^＋型のドレイン領域１４が形成されている。 - 特許庁

The electrons injected in the strong electrostatic drift region 6 and originated from the n-type silicon substrate are drifted in a strong electrostatic drift region 6 toward surface and are tunneled through the surface electrode 7 to be emitted.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト部６に注入された電子は、強電界ドリフト部６内を表面に向かってドリフトし表面電極７をトンネルして放出される。 - 特許庁

In this field emission electron source, a strong electric field drift part 6 is formed on the main surface side of a n-type silicon substrate 1, and a surface electrode 7 of a gold foil film is formed on the strong electric field drift part 6.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に金薄膜よりなる表面電極７が形成されている。 - 特許庁

Electrons injected from the n-type silicone substrate 1 to the strong field drift layer 6 are drifted toward the surface inside the strong field drift layer 6 and emitted through the surface electrode 7.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし表面電極７をトンネルして放出される。 - 特許庁

A high-field drift part 6 is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1 and a front electrode 7 is formed on the drift part 6.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に表面電極７が形成される。 - 特許庁

The diode part shares the drain layer and the drift layer with the element part, and has a plurality of second trenches penetrating through the surface of the base region and contacting with the drift layer.例文帳に追加

ダイオード部は、ドレイン層とドリフト層とにおいて素子部と共有し、ベース領域の表面を貫通して、ドリフト層に接する複数の第２トレンチを有する。 - 特許庁

When voltage is applied between the m-type regions 8a and the surface electrode 7 by placing the surface electrode 7 on the high-potential side, by the electric field acting on the drift parts 6a, electrons injected from the n-type regions 8a drift in the drift parts 6a and are emitted through the surface electrode 7.例文帳に追加

ｎ形領域８ａと表面電極７との間に表面電極７を高電位側として電圧を印加すると、ドリフト部６ａに作用する電界によりｎ形領域８ａから注入された電子がドリフト部６ａをドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

An n-type drift region 101 is formed on a surface part of a p-type silicon substrate 100.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部にｎ型ドリフト領域１０１が形成されている。 - 特許庁

A p type base region 2 is selectively provided on a surface of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面に、ｐ型のベース領域２が選択的に設けられている。 - 特許庁

Furthermore, a planar cell of the IGBT is disposed on the surface of the drift layer where base region is not disposed.例文帳に追加

更に、ベース領域が配置されないドリフト層表面に、ＩＧＢＴのプレーナーセルを配置する。 - 特許庁

To provide a bipolar semiconductor element which can reduce surface defect and can suppress on voltage drift.例文帳に追加

表面欠陥を低減でき、オン電圧ドリフトを抑制できるバイポーラ半導体素子を提供する。 - 特許庁

A p-type collector region 103 is formed on a surface part of the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１０１の表面部にｐ型コレクタ領域１０３が形成されている。 - 特許庁

A surface electrode 7 is formed on a strong field drift layer 6, after irradiation of hydrogen radicals.例文帳に追加

そして、水素ラジカル照射後の強電界ドリフト層６上に表面電極７を形成する。 - 特許庁

Then an n- buffer layer 22 and a p+ collector layer 23 are formed on the surface of the n- drift layer 21.例文帳に追加

ｎ^−ドリフト層２１の表面にｎ^＋バッファ層２２とｐ^＋コレクタ層２３を形成する。 - 特許庁

To provide a surface light source apparatus to prevent generation of a current drift phenomenon, and a manufacturing method for the surface light source apparatus.例文帳に追加

電流偏流現象の発生を防止する面光源装置及び面光源装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a drift correcting device capable of minimizing laser beam drift on the surface of an object to be irradiated and also to provide a laser beam machine using this device.例文帳に追加

被照射物の表面におけるレーザビームのドリフトを最小限に抑え得るレーザビームのドリフト補正装置及びこれを用いたレーザ加工装置を提供すること。 - 特許庁

After a drift S of a specific cross section is constructed from the ground surface 1 to the neighborhood of a deep-sea water intake position 4, a partition wall 7 is constructed inside of the end of the drift S.例文帳に追加

地表面１より所定断面の坑道Ｓを深層水取水位置４近傍まで構築した後、該坑道Ｓの端部内に隔壁７を構築する。 - 特許庁

The high-field drift layer 6 constitutes a drift part, and the n-type silicon substrate 1 and an ohmic electrode (not illustrated) on the rear surface of the n-type silicon substrate 1 constitute a lower electrode.例文帳に追加

強電界ドリフト層６がドリフト部を構成し、ｎ形シリコン基板１とｎ形シリコン基板１の裏面のオーミック電極（図示せず）とで下部電極を構成している。 - 特許庁

In where a surface crossing the thickness direction of the p-type silicon substrate 1 is considered as a virtual surface, each strong field drift layer 6 has inclined drift parts 6a, 6b, respectively having an interface between the surface electrode 7 and inclined at different angles of inclination in relation to the virtual surface.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１の厚み方向に直交する面を仮想表面とするとき、各強電界ドリフト層６が、仮想表面に対して表面電極７との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる傾斜型ドリフト部６ａ，６ｂを有している。 - 特許庁

A surface layer on a reverse side of the n-type drift region 1 is provided with a p-type collector region 7.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１の裏面の表面層には、ｐ型コレクタ領域７が設けられている。 - 特許庁

An n+-type drain layer 17 and a p-type reserve layer 19 are formed on the surface of the drift layer 13.例文帳に追加

ドリフト層１３の表面には、ｎ^+ 型のドレイン層１７とｐ型のリサーフ層１９とが形成される。 - 特許庁

A first conductivity-type drain drift layer 101 is formed on a surface of a first conductivity-type semiconductor substrate 100, a second conductivity-type well layer 102 is formed on a surface of the drift layer 101 sequentially, and a trench 106 including an insulating film 107 on an inner wall is formed from a surface of the well layer 102 to the drift layer 101.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１００表面に第一導電型のドレインドリフト層１０１、ドリフト層１０１表面に第二導電型のウェル層１０２を順次形成し、ウェル層１０２表面からドリフト層１０１に至るまで内壁に絶縁膜１０７を有するトレンチ１０６を形成する。 - 特許庁

The Schottky electrode portion 10b is in direct contact with the surface of the drift semiconductor region 12.例文帳に追加

ショットキー電極部１０ｂは、ドリフト半導体領域１２の表面に直接的に接触している。 - 特許庁

P-type high resistance burying layers 26 are arranged on the surface layer of the first high resistance drift layer 22 and the base layer of the second high resistance drift layer 23, which are positioned just below a plurality of P type base area 24 arranged on the surface layer of the second high resistance drift layer 23.例文帳に追加

第２高抵抗ドリフト層２３の表面層に配置された複数のＰ型ベース領域２４の各直下位置の第１高抵抗ドリフト層２２の表面層および第２高抵抗ドリフト層２３の底面層にＰ−型高抵抗埋め込み層２６が配置されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an n-type drift region 21, a plurality of p-type base regions 1 formed on a part of the surface of the drift region 21, and a p-type carrier extraction region 2 formed on a part of surface of the drift region 21 among a plurality of base regions 1.例文帳に追加

ｎ型のドリフト領域２１と、ドリフト領域２１の表面の一部に配置された複数のｐ型のベース領域１と、この複数のベース領域１の間のドリフト領域２１の表面の一部に配置されたｐ型のキャリア引き抜き領域２とを有した半導体装置である。 - 特許庁

Each surface electrode 7 is formed in the form extending to the plurality of the strong electric field drift layers 6 and to the polycrystalline silicon layers 3 interposed between the strong electric field drift layers 6.例文帳に追加

各表面電極７は複数本の強電界ドリフト層６と各強電界ドリフト層６間に介在する多結晶シリコン層３とに跨る形で形成されている。 - 特許庁

An electron injected from the n-type silicon substrate 1 to the strong field drift layer 6 is drifted toward its surface in the strong field drift layer 6, and is emitted by tunneling the thin gold film 7.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし金薄膜７をトンネルして放出される。 - 特許庁

The strong field drift layer 6 forms a drift part where an electron is drifted by an electric field acting when a voltage is applied between the lower electrode 12 and the surface electrode 7.例文帳に追加

強電界ドリフト層６が、下部電極１２と表面電極７との間に電圧を印加したときに作用する電界により電子がドリフトするドリフト部を構成している。 - 特許庁

On the semiconductor substrate, a p-type body region 141 is laminated on a surface of an n-type drift region 112.例文帳に追加

半導体基板は、ｎ型のドリフト領域１１２の表面に、ｐ型のボディ領域１４１が積層されている。 - 特許庁

A p body region 4 and an n buffer region 7 are provided separately on the surface layer of an n^- drift region 3.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域３の表面層にｐボディ領域４と、ｎバッファ領域７とが離れて設けられている。 - 特許庁

A trench 3 penetrating the base region and reaching a drift region 1 is formed on a front surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のおもて面に、ベース領域を貫通し、ドリフト領域１まで達するトレンチ３を形成する。 - 特許庁

The surface of the body layer 63 between the second drift layer 64 and the source layer 55 becomes a channel region CH2.例文帳に追加

この第２のドリフト層６４とソース層５５との間のボディ層６３の表面がチャネル領域ＣＨ２となる。 - 特許庁