「drift surface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A PIN diode includes an n- drift layer 6, a p anode layer 8, an n buffer layer 12, an n+ layer 16, a front surface electrode and a rear surface electrode.例文帳に追加

ＰＩＮダイオードは、ｎ-ドリフト層６、ｐアノード層８、ｎバッファ層１２、ｎ+層１６、表面電極および裏面電極を備えている。 - 特許庁

In this field emission type electron source 1, electrons arriving at a surface of the strong field drift part 6 while applied with the electric field to the strong field drift part 6 are considered as hot electrons, and are emitted from the surface of the surface electrode 7 by the tunnel effect.例文帳に追加

この電界放射型電子源１０では、強電界ドリフト部６へ電界を印加することにより強電界ドリフト部６の表面に到達した電子はホットエレクトロンであると考えられ、トンネル効果によって表面電極７の表面から放出される。 - 特許庁

One surface side of a conductive substrate 1 is formed with a strong field drift part 6 made of the porous amorphous silicon, and a surface electrode 7 formed of a conductive thin film is formed on the strong field drift part 6.例文帳に追加

導電性基板１の一表面側に酸化された多孔質アモルファスシリコンよりなる強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に導電性薄膜よりなる表面電極７が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 13 includes an N^- conductivity type drift layer 3 and a P^- conductivity type reduced surface layer 9 wherein the drift layer 3 and the reduced surface layer 9 are arranged to appear alternately in the direction parallel with the silicon substrate 2.例文帳に追加

半導体層１３は、導電型がＮ^-型のドリフト層３と導電型がＰ^-型のリサーフ層９とを含んでおり、ドリフト層３とリサーフ層９とは、シリコン基板２に平行な方向に交互に現れるように配列されている。 - 特許庁

On the main surface of a conductive n-type silicon substrate 1, an intense-field drift layer 6 consisting of an oxidized porous polycrystalline silicon layer id formed, and a surface electrode 7 is arranged on the intense-field drift layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化された多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、該強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

Oxidized porous polycrystalline silicon is mounted on the main surface of an n-type silicon substrate, which is a conductive substrate, to give a strong electrostatic drift region 6 and a surface electrode 7 is formed on the strong electrostatic drift region 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化された多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

A drain electrode 16 is formed on one main surface of an n^+-type substrate 15, while an n^--type drift region 13 is formed on the other main surface.例文帳に追加

ｎ^＋型基板１５の一方の主面上にはドレイン電極１６が、他方の主面上にはｎ^−型ドリフト領域１３が形成されている。 - 特許庁

P-well regions 3 and n^+ source regions 4 are selectively provided in a surface layer of an n^- drift region 2.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域２の表面層には、ｐウェル領域３およびｎ^+ソース領域４が選択的に設けられている。 - 特許庁

A trench 3 penetrating the base region 2 and reaching the drift region 1 is provided on a front surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のおもて面には、ベース領域２を貫通し、ドリフト領域１まで達するトレンチ３が設けられている。 - 特許庁

To certainly prevent mud water from flowing out of a peripheral surface of a level-driving machine in the case of drilling a drift in a natural ground.例文帳に追加

地山に横坑道を掘削する場合の掘進機周面から流出する泥水の止水を確実にする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a p^- body region 13 and an n^- drift region 14a in the surface.例文帳に追加

半導体装置１００は，その表層部に，Ｐ^- ボディ領域１３およびＮ^- ドリフト領域１４ａ中が形成されている。 - 特許庁

Owing to rich nitrogen in an atmosphere of the region 17 in which bubbles drift and gather, oxidation on the outer surface of the bubbles can be suppressed.例文帳に追加

気泡が漂い集まる領域１７の雰囲気も窒素リッチになるので気泡の外面での酸化を抑制できる。 - 特許庁

More specifically, the reduced surface layer 9 is separated from the silicon substrate 2 by the drift layer 3 and does not touch the silicon substrate 2.例文帳に追加

すなわち、リサーフ層９は、ドリフト層３によってシリコン基板２と隔てられており、シリコン基板２に接していない。 - 特許庁

The impurity concentration of the p anode layer 8 is relatively rapidly decreased from a first main surface toward the n- drift layer 6.例文帳に追加

ｐアノード層８の不純物濃度は、第１主表面からｎ-ドリフト層６にかけて比較的急峻に減少する。 - 特許庁

The power transistor device further includes a first region, a drift region that adjoins a top surface of the buffer layer, and a body region.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスはさらに、第１の領域と、バッファ層の上面に隣接するドリフト領域と、ボディ領域とを含む。 - 特許庁

DRIFT AMOUNT PRESUMING DEVICE FOR LATERAL ACCELERATION SENSOR, OUTPUT CORRECTING DEVICE FOR LATERAL ACCELERATION SENSOR, AND ROAD SURFACE FRICTIONAL CONDITION PRESUMING DEVICE例文帳に追加

横加速度センサのドリフト量推定装置、横加速度センサの出力補正装置及び路面摩擦状態推定装置 - 特許庁

A depletion layer extended from the surface of the p-n junction to an inside of a drift region 33 is formed, in a state with the power off, and the lower drift region 33b is disposed outside the range to which the depletion layer is extended.例文帳に追加

オフ状態では、ｐｎ接合面からドリフト領域３３内に向けて伸びる空乏層が形成され、下部ドリフト領域３３ｂはその空乏層が伸びる範囲外に配置されている。 - 特許庁

An electron injected into the high field drift layer 6 from the n-type silicon substrate 1 drifts toward an internal surface through the high field drift layer 6 and is emitted by tunneling the conductive thin film 7.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし導電性薄膜７をトンネルして放出される。 - 特許庁

A strong field drift layer 6 is formed on the surface side of a n-type silicon substrate 1 forming a conductive substrate, a thin gold film 7 forming a thin metal film is formed on the strong field drift layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に金属薄膜たる金薄膜７が形成されている。 - 特許庁

A high field drift layer 6 is formed on the surface of a conductive n-type silicon substrate 1, and a conductive gold thin film 7 is formed on the high field drift layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に金薄膜よりなる導電性薄膜７が形成されている。 - 特許庁

The drift region 1 has such a resistivity that a depletion layer extended from a collector region 10 provided on the rear surface of the n^- type drift region 1 toward the shell region 5 does not reach the shell region 5.例文帳に追加

ドリフト領域１は、ｎ^-型のドリフト領域１の裏面に設けられたコレクタ領域１０からシェル領域５に向かって拡がる空乏層がシェル領域５に到達しない抵抗率を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type SiC drift layer 2 and an element forming region 17 formed on the surface of the n-type SiC drift layer 2 and forming an MOSFET having an electrode 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ｎ型ＳｉＣドリフト層２と、ｎ型ＳｉＣドリフト層２表面に設けられ、電極１０を有するＭＯＳＦＥＴを形成する素子形成領域１７とを備える。 - 特許庁

After forming a surface channel layer 5 formed of 4H or 6H-SiC on the surface of an n^--type drift layer 2, an unnecessary part of the surface channel layer 5 is removed by using a resist 20 as a mask.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト層２の表面に４Ｈ又は６Ｈ−ＳｉＣからなる表面チャネル層５を形成したのち、レジスト２０をマスクとして表面チャネル層５の不要部分を除去する。 - 特許庁

A MOSFET 1 comprises: a silicon carbide substrate 11; a drift layer 12 that has a surface (primary surface 12A) having an off-angle of 50° or more to 65° or less to the {0001} plane and is composed of silicon carbide; and a gate oxide film 21 that is formed in contact with the primary surface 12A of the drift layer 12.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、炭化珪素基板１１と、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である表面（主面１２Ａ）を有し、炭化珪素からなるドリフト層１２と、ドリフト層１２の主面１２Ａ上に接触して形成されたゲート酸化膜２１とを備えている。 - 特許庁

A nitriding treatment is conducted on the surface of a drift layer 10 in a gas atmosphere containing NO or N_2O in a semiconductor device body 20, and the gate insulating film 5 is deposited on the surface of the drift layer 10 by a chemical or physical vapor-growth method.例文帳に追加

半導体装置本体２０に、ＮＯもしくはＮ_2Ｏを含んだガス雰囲気でドリフト層１０表面に窒化処理を行った後、化学的もしくは物理的気相成長法によって、ドリフト層１０表面にゲート絶縁膜５を堆積する。 - 特許庁

A strong electric field drift layer 6 is composed of drift parts 6a formed of a plurality of oxidized porous polycrystal silicon layers formed at the intersecting parts of lower electrodes 12a and surface electrodes 7, and separation parts 6b formed of polycrystal silicon layers which fill spaces between the drift parts 6a.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、下部電極１２ａと表面電極７とが交差する部位に形成された複数の酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなるドリフト部６ａと、ドリフト部６ａの間を埋める多結晶シリコン層よりなる分離部６ｂとで構成されている。 - 特許庁

In an RESURF MOSFET, an n-type upper diffusion area 115 that has higher n-type impurity concentration than that in other parts of a drift area 102 is provided between a drain area 109 and a drift embedded area 114 on the surface of an n-type drift area 102.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦＭＯＳＦＥＴにおいて、Ｎ型ドリフト領域１０２の表面部におけるドレイン領域１０９とドリフト埋め込み領域１１４との間に、ドリフト領域１０２の他の部分と比べてより高いＮ型不純物濃度を有するＮ型上部拡散領域１１５が設けられている。 - 特許庁

The energy-filter drift tube is constructed so as to match the scattered electrons according to the polar angle of the orbit from the surface of the sample.例文帳に追加

エネルギーフィルタ・ドリフトチューブは、散乱電子を標本表面からの軌道の極角に従って一致させるように構成される。 - 特許庁

A channel connecting region 4 is formed on the predetermined position of the surface of a drift region 2 that is formed on an SiC substrate 1.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に形成されたドリフト領域２の表層部の所定位置に、チャネル接続領域４を形成する。 - 特許庁

A dummy oxide film 12 is formed in a trench 4 extending from a surface of a P type body layer 3 to the inside of an N type drift layer 2.例文帳に追加

Ｐ型ボディ層３の表面からＮ型ドリフト層２内に延在するトレンチ４にダミー酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

Thus, a current drift between adjoining discharge spaces is prevented, and the brightness of the surface light source is improved.例文帳に追加

従って、隣接する放電空間の間に電流が偏流する現象が防止され、面光源装置の輝度が向上される。 - 特許庁

A trench 3 penetrating through the base region 2 and reaching the drift region 1 is provided in a front surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のおもて面には、ベース領域２を貫通し、ドリフト領域１まで達するトレンチ３が設けられている。 - 特許庁

A trench 113 penetrates a surface of the semiconductor substrate 102 through the body region 141 to reach the drift region 112.例文帳に追加

トレンチ１１３は、半導体基板１０２の表面からボディ領域１４１を貫通してドリフト領域１１２に達している。 - 特許庁

The drift section 6a of the intense-field drift layer 6 is formed by smoothing the surface of a polycrystalline silicon layer 3 and then by making porous by anodizing and further by oxidizing by a rapid thermal oxidization technology.例文帳に追加

強電界ドリフト層６のドリフト部６ａは多結晶シリコン層３の表面を平滑化した後に陽極酸化処理にて多孔質化し、さらに、急速熱酸化技術にて酸化することで形成される。 - 特許庁

A drift region and a source/drain ion implanted region are formed on the surface part of a substrate, a trench is made deeper than the drift region in the substrate and a channel 36 is formed along the bottom face part of the trench.例文帳に追加

本発明は、基板表面部にドリフト領域とソース／ドレインイオン注入領域とを形成させ、その基板にドリフト領域より深くトレンチを形成させ、そのトレンチの底面部分に沿ってチャネル３６を形成させる。 - 特許庁

The surface of the gate polysilicon 22 is covered with a gate oxide film 23, and the surface of the gate oxide film 23 is covered with a cathode film 24 subject to n-type doping with a density higher than that of the n^- drift layer.例文帳に追加

ゲートポリシリコン２２の表面をゲート酸化膜２３で覆い、ゲート酸化膜２３の表面を、ｎ^-ドリフト層よりも高濃度にｎ型ドープされたカソード膜２４で覆う。 - 特許庁

An electric field drift layer 6 is formed on the main surface of an n-type silicon substrate 1, having a surface electrode 7.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト層６が形成され、該強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

To prevent decrease in breakdown strength due to breakdown strength drift caused by the decrease in the surface concentration in an RESURF(reduced surface field) layer.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦ層表面濃度の低下による耐圧ドリフトによる耐圧低下を防ぎ、高信頼性の高耐圧型半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

P-type base regions 14 are formed in the surface region of the drift region 13, and further, N^+-type source regions 5 are formed in the surface regions of the base regions 14.例文帳に追加

ドリフト領域１３の表面領域にＰ型のベース領域１４を形成し、さらに、ベース領域１４の表面領域にＮ^＋型のソース領域１５を形成する。 - 特許庁

A base region 13 is formed in a surface region of a drift region 11, a source region 14 is formed in a surface region of the base region 13, and an oxide film 20, a gate electrode 30 and an interlayer insulating film 40 are formed on the drift region 11.例文帳に追加

ドリフト領域１１の表面領域にはベース領域１３が形成され、ベース領域１３の表面領域にはソース電極１４が形成され、ドリフト領域１１上には、酸化膜２０、ゲート電極３０、及び、層間絶縁膜４０が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 20 of an upright semiconductor device 11 is provided with a drift region 28 containing n^--type impurities, and two kinds of partial regions 62, 64 formed along the surface of the semiconductor substrate 20 on the surface side of the drift region 28.例文帳に追加

縦型の半導体装置１１の半導体基板２０は、ｎ^−型の不純物を含むドリフト領域２８と、そのドリフト領域２８の表面側において半導体基板２０の表面に沿って形成されている２種類の部分領域６２、６４を備えている。 - 特許庁

A strong field drift layer 6 formed of an oxidized porous polycrystalline silicon layer is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1 as a conductive substrate, and a surface electrode 7 formed of a conductive thin film is formed on the strong field drift layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化された多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に導電性薄膜よりなる表面電極７が形成されている。 - 特許庁

For the cold cathode electrode 10, as shown in the figure (b), a strong electric field drift layer 6 composed of an oxidized porous polycrystalline silicon layer is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1, and a surface electrode 7 is formed on the strong electric field drift layer 6.例文帳に追加

冷陰極１０は、図１（ｂ）に示すように、ｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化した多孔質多結晶シリコン層からなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

An n-type source region 105 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 away from the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部にｎ型ソース領域１０５がｎ型ドリフト領域１０１から離隔して形成されている。 - 特許庁

An n-type drift region DRI and a p-type body region BO are formed at the main surface side of the p^- epitaxial region EP2.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２の主表面側には、ｎ型ドリフト領域ＤＲＩとｐ型ボディ領域ＢＯとが形成されている。 - 特許庁