dummy arrayとは 意味・読み方・使い方

A dummy diode array (A2) including dummy diodes each not having an infrared absorption structure and/or a heat insulation structure is provided independent from a pixel array (A1).例文帳に追加

さらに、画素アレイ（Ａ１）とは別に、赤外線吸収構造及び／または断熱構造を有しないダミーダイオードからなるダミーダイオードアレイ（Ａ２）を設ける。 - 特許庁

Then a dummy cancel means 25 cancels the placement of dummy gate blocks and a gate array means 26 arrays successively the gate array blocks at all blank parts of the dummy gate blocks.例文帳に追加

ダミーゲートブロックとセルベースブロックとの間隙に隙間充填ブロックを配列してからダミーゲートブロックの配置を解除し、その空白にゲートアレイブロックを配列してから空白に隙間充填ブロックを配列する。 - 特許庁

The semiconductor memory device for accessing the designated memory cell MC of a memory cell array 1 is provided with: a dummy row array 4, a dummy word line 5; and a timing controller 16.例文帳に追加

メモリセルアレイ１中の指定のメモリセルＭＣにアクセス可能な半導体装置において、ダミーロウアレイ４、ダミーワード線５、およびタイミングコントローラ１６などを備えている。 - 特許庁

A memory cell array 10 has a plurality of memory cells MC and dummy memory cells DMC.例文帳に追加

メモリセルアレイ１０は、複数のメモリセルＭＣおよびダミーメモリセルＤＭＣを有する。 - 特許庁

Degradation of sensitivity by a negative feedback effect due to a wiring resistance of the pixel array (A1) is canceled by the dummy diode array.例文帳に追加

画素アレイ（Ａ１）の配線抵抗に起因する、負帰還効果による感度低下をダミーダイオードアレイによりキャンセルする。 - 特許庁

A semiconductor memory device is provided with a memory array section 1, word lines 2, memory cells 3, bit lines 4, sense amplifiers 5, dummy bit lines 6, dummy memory cells 7, and a plurality of dummy sense amplifiers 8a, 8b, 8c.例文帳に追加

半導体記憶装置に、メモリアレイ部１、ワード線２、メモリセル３、ビット線４、センスアンプ５、ダミービット線６、ダミーメモリセル７、および複数のダミーセンスアンプ８ａ，ｂ，ｃを設ける。 - 特許庁

Dummy bit lines Dummy BL and Dummy/BL are arranged by setting a pitch equal to a pitch between bit lines in a memory cell array MCA outside a bit line BL0 arranged in the end of the memory cell array MCA.例文帳に追加

メモリセルアレイＭＣＡの端部に配置されたビット線ＢＬ０の外側に、メモリセルアレイＭＣＡ内のビット線間のピッチと同一のピッチを空けて、ダミービット線ＤｕｍｍｙＢＬ及びＤｕｍｍｙ／ＢＬを配置する。 - 特許庁

A write dummy bit is constituted of a first dummy line and a second dummy line corresponding to complementary bit lines of a memory array and a plurality of first dummy cells which are formed in the same form as a static type memory cell and a write current path is connected between the first dummy line and the second dummy line.例文帳に追加

メモリアレイの相補ビット線に対応した第１ダミー線と第２ダミー線と、スタティック型メモリセルと同じ形態で形成され、書き込み電流経路が上記第１ダミー線と第２ダミー線との間に接続された複数の第１ダミーセルとで書き込みダミービットを構成する。 - 特許庁