electron modelとは 意味・読み方・使い方

an orbital electron in Bohr's atomic model発音を聞く 例文帳に追加

ボーアの原子模型における軌道電子 - EDR日英対訳辞書

The three-dimensional ramp device element model comprises: a Poisson equation model; an electron continuity equation model; a hole continuity equation; a Maxwell equation model; an eddy-current equation model; and an Ohm's law equation model.例文帳に追加

３次元ランプデバイス素子モデルは、ボアソン方程式モデルと、電子連続方程式モデルと、正孔連続方程式モデルと、マクスウェル方程式モデルと、渦電流方程式モデルと、オームの法則方程式モデルとを含む。 - 特許庁

When a locus of implantation ions is calculated by the Monte Carlo method to generate an ion implantation distribution, an electron stopping power S_e with respect to implantation ions is expressed by a combination of an electron stopping power S_eL of the Lindhard model, and an electron stopping power S_e-mB, corresponding to a modification of the electron stopping power S_eB of the Bethe model.例文帳に追加

注入イオンの軌跡をモンテカルロ法によって計算してイオン注入分布を発生させる際に、前記注入イオンに対する電子阻止能Ｓ_ｅを、リントハルトモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＬと、ベーテモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＢを修正した修正電子阻止能Ｓ_ｅ-ｍＢとの組合せにより表す。 - 特許庁

To provide an ionosphere model compensation method capable of determining an ionospheric electron density distribution which corresponds to reality.例文帳に追加

現実に則した電離層電子密度分布を決定することの可能な電離層モデル補正方法を提供する。 - 特許庁

An ionosphere density estimation unit 4 calculates three-dimensional ionosphere electron density distribution using a satellite signal from a navigation satellite and an ionosphere electron density distribution model.例文帳に追加

電離層密度推定部４は、航法衛星からの衛星信号および電離層電子密度分布モデルを用いて、３次元的な電離層電子密度分布を算出する。 - 特許庁

The model of the signal intensity or signal attenuation to be observed of the electron spin resonance spectrum is used according to the blood sugar level, the administration amount of the electron spin label and the elapse time after the administration to enhance an estimate precision.例文帳に追加

血糖値と電子スピンラベルの服用量と服用後の経過時間に応じて観測されるべき電子スピン共鳴スペクトル信号強度や信号減衰のモデルを用いて推定精度を上げる。 - 特許庁

Since an equivalent circuit model 10 provided with the serial circuit of plural sub device elements 13 depending on electron concentration and an electron velocity is set, simulation is based on the equivalent circuit model 10 including the internal physical characteristics of a concrete semiconductor device, and an accurate simulation result for which conventional errors are suppressed is attained.例文帳に追加

電子濃度および電子速度に依存した複数のサブデバイス要素１３の直列回路を有した等価回路モデル１０を設定するようにしたので、具体的な半導体デバイスの内部物理特性を含んだ等価回路モデル１０に基づいたシミュレーションとすることが可能となり、従来のような誤差が抑えられた正確なシミュレーション結果となる。 - 特許庁