electron-dopedとは 意味・読み方・使い方

The Si delta-doped layer compensates for depletion of the electron gas at the interface of the graded layers and adjacent layers.例文帳に追加

Ｓｉデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。 - 特許庁

On a lower side electron travel layer (3) of compound semiconductor material, a lower side electron supply layer (4) is arranged which is doped in n-type and comprises a compound semiconductor material whose electron affinity is smaller than that of the lower side electron travel layer.例文帳に追加

化合物半導体材料からなる下側電子走行層(3)の上に、ｎ型にドーピングされ、下側電子走行層よりも電子親和力の小さな化合物半導体材料からなる下側電子供給層(4)が配置されている。 - 特許庁

The electron blocking layer 13 has a thickness of 2 to 8 nm and is formed of Mg-doped AlGaN having an Al compositional proportion of 20 to 30%.例文帳に追加

電子ブロック層１３は、厚さ２〜８ｎｍ、Ａｌ組成比２０〜３０％のＭｇドープＡｌＧａＮからなる。 - 特許庁

The gate alloyed region is formed of an alloy, containing constituent elements of the electron supply layer and a metal and reaches a deeper position than the second doped layer, but will not reach the first doped layer.例文帳に追加

ゲート合金化領域は、電子供給層の構成元素と金属との合金で形成され、第２のドープ層よりも深い位置まで達し、第１のドープ層までは達していない。 - 特許庁

The cold cathode electron emitter comprises a wide band gap (WBG) semiconductor that is n+ doped in high concentration, p doped WBG region, and a metallic layer having a low work function.例文帳に追加

冷陰極電子エミッタは、高濃度にｎ＋ドーピングされたワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）の半導体、ｐドーピングされたＷＢＧ領域、および低い仕事関数を持つ金属層を含む。 - 特許庁

An n-type electron feeding layer 14 made of AlGa and an n-type electron transit layer 15 made of GaN are formed sequentially with an un-doped AlGaN buffer layer 12 and an un-doped AlGaN base layer 13 in between on a sapphire substrate 11.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の上にundope−ＡｌＧａＮよりそれぞれなるバッファ層１２および下地層１３を介してｎ型ＡｌＧａＮよりなる電子供給層１４およびｎ型ＧａＮよりなる電子走行層１５が順次積層されている。 - 特許庁

To improve driving endurance characteristics and obtain high light fetch efficiency in an organic luminous device where an electron implantation dopant material is doped into an electron transfer material.例文帳に追加

電子輸送材料に対して電子注入ドーパント材料がドープされた有機発光素子において、駆動耐久特性を向上するとともに、高い光取り出し効率を得る。 - 特許庁

The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function.例文帳に追加

高電流密度が可能となるのは、ｐドーピング領域およびｐ＋ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。 - 特許庁