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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > electron-dopedの意味・解説 

electron-dopedとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「electron-doped」の意味

electron-doped

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「electron-doped」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 67



例文

ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING DOPED TRIAZINE ELECTRON TRANSPORT LAYER例文帳に追加

ドープされたトリアジン電子輸送層を含む有機発光デバイス - 特許庁

First and second doped layers (24 and 27) are provided in the electron supply layer.例文帳に追加

電子供給層内に、第1及び第2のドープ層(24,27)が配置されている。 - 特許庁

The cold cathode electron emitter comprises a p-doped semiconductor, a dielectric layer and a metal layer.例文帳に追加

冷陰極電子エミッタは、pドープされた半導体、誘電体層、および金属層を含む。 - 特許庁

The Si delta-doped layer compensates for depletion of the electron gas at the interface of the graded layers and adjacent layers.例文帳に追加

Siデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。 - 特許庁

To improve electron mobility of the channel of a high electron mobility transistor using a δ-doped HEMT structure epitaxial wafer.例文帳に追加

δドープHEMT構造エピタキシャルウェハを用いた高電子移動度トランジスタのチャネルの電子移動度を向上する。 - 特許庁

Hereby, the planar doped layer on one side of the planar doped layers can reduce the quantity of the electrons, which are doped to the vicinity of the layer 35, and the electron mobility in the semiconductor wafer can be enhanced.例文帳に追加

これにより、一方のプレーナドープ層がチャネル層の近傍にドープする電子の量を低減することができ、移動度を高めることができる。 - 特許庁

例文

Phosphorescent OLEDs have a double doped-layer structure, wherein the OLEDs includes: a hole transporting layer (HTL) having a phosphorescent material doped therein; and an electron transporting layer (ETL) having the same phosphorescent material doped therein.例文帳に追加

OLEDが、燐光材料が中にドープされたホール輸送層(HTL)、同じ燐光材料が中にドープされた電子輸送層(ETL)を有する、二重ドープ層構造を有する燐光OLED。 - 特許庁

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「electron-doped」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 67



例文

On a lower side electron travel layer (3) of compound semiconductor material, a lower side electron supply layer (4) is arranged which is doped in n-type and comprises a compound semiconductor material whose electron affinity is smaller than that of the lower side electron travel layer.例文帳に追加

化合物半導体材料からなる下側電子走行層(3)の上に、n型にドーピングされ、下側電子走行層よりも電子親和力の小さな化合物半導体材料からなる下側電子供給層(4)が配置されている。 - 特許庁

That region of electron transport layer 5a on the side with the light emission layer as a region contacting with the light emission layer 4 is doped with a dopant of the same sort as that with which the light emission layer 4 is doped at a lower concentration than in the light emission layer 4, and thereby a doped layer 7 is formed.例文帳に追加

また、電子輸送層5aの発光層4と接する領域である発光層側領域に、発光層4にドープされているものと同種のドーパントが発光層4よりも低濃度でドープされることにより、ドープ層7が形成されている。 - 特許庁

The cold cathode electron emitter comprises a wide band gap (WBG) semiconductor that is n+ doped in high concentration, p doped WBG region, and a metallic layer having a low work function.例文帳に追加

冷陰極電子エミッタは、高濃度にn+ドーピングされたワイドバンドギャップ(WBG)の半導体、pドーピングされたWBG領域、および低い仕事関数を持つ金属層を含む。 - 特許庁

The gate alloyed region is formed of an alloy, containing constituent elements of the electron supply layer and a metal and reaches a deeper position than the second doped layer, but will not reach the first doped layer.例文帳に追加

ゲート合金化領域は、電子供給層の構成元素と金属との合金で形成され、第2のドープ層よりも深い位置まで達し、第1のドープ層までは達していない。 - 特許庁

The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function.例文帳に追加

高電流密度が可能となるのは、pドーピング領域およびp+ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。 - 特許庁

In an oxide thin film 2, as shown in Fig.1(b), a dope oxide layer 2a in which the n-type (electron conduction type) impurity is doped, and an undope oxide layer 2b in which the n-type impurity is not doped are laminated alternatively and repeatedly.例文帳に追加

酸化物薄膜2は、図1(b)に示されるように、n型(電子伝導型)不純物をドーピングしたドープ酸化物層2aと、n型不純物をドーピングしないアンドープ酸化物層2bとが交互に繰り返し積層されている。 - 特許庁

A Dy3+ ion doped optical amplifier minimizes mutual function between electron of Dy3+ ion and phonon.例文帳に追加

Dy^3+イオン含有光増幅器は、Dy^3+イオンの電子とフォノンとの間の相互作用を最小化する。 - 特許庁

例文

To enable a δ-doped layer in a carrier feed layer to be made uniform in sheet carrier concentration, in a high electron mobility transistor wafer.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタ用ウェハにおいて、そのキャリア供給層中のδドープ層のシートキャリア濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

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